H01L 21/66 — испытания или измерения в процессе изготовления или обработки

Номер патента: 767871

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Кононов, Махаев, Миненков, Ожерельева

МПК: H01L 21/66

Метки: виду, внешнему, радиодеталей

...всесторонний осмотр схем 5. Так как транспортныеканалы 7 выполнены струнными, то неостается на интегральной схеме 5участков, труднодоступных для осмотра оператором. Реечный привод бпозволяет производить останов и фиксацию транспортных каналов 7 в любойюЮмент, а также по необходимости 65 осуществить обратное вращение. Бракованные интегральные схеьв 5 удаляются из транспортных каналов 7 конструктивно простым приспособлением (не показано). Неполные транспортные каналы .7 заполняются заведомо годными интегральными схемами из доэагруэочных лотков 15, которые находятся с другой торцовой стороны 2 корпуса 1 и установлены в доэагруэочные гнезда 14 устройства также соосно с с транспортными каналами 7. Для проведения дозагрузки...

Номер патента: 773538

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Добровольскис, Кроткус

МПК: H01L 21/66

Метки: дрейфовой, материалах, носителей, полупроводниковых, скорости

...в осциллографах 5 и 6.Наэтих импульсах можно выделить триобласти:- область, в которой электрическое поле в образце слабое,концентрация носителей тока близка, рравновесной, а подвижность соответствует подвижности при законе Ома,Й - область сильного электрического поля с соответствующими этомуполю концентрацией и подвижностьюносителей тока, Ф - вторая, областьслабого поля, во время которой концентрация остается равной концентрации в конце импульса сильного поля,а подвижность соответствует законуОма, 39Импульсы электрического поля вобразце с омическими контактами снимаются с находящегося в держателеобразца высокоомного резистивногоделителя импульсы же, пропорциональные величине тока в образце - свключенного последовательно к образцу...

Номер патента: 780083

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Ивакин, Кандыбин, Комаров, Косилов, Осипов

МПК: H01L 21/66

Метки: зондовое

...зонда 6 с контактной площадкой, Индивидуальное нажа-,тие электропроводящего зонда брегулируется с помощью регулятораприжима 4Электропроводящий зонд б выполнен 15 из сплава на основе меди, например,Си -М- й;-Ре-Мл. Модуль упругости монокристаллов этого сплава на порядок иболее меньше такового для электропроводящих зондов, выполненных из жест ких материалов, Кроме того, монокристаллы этого сплава обладают аномально высокой упругой деформацией до10-15%.Низкий модуль упругости и высокаяупругая деформация монокристалловсплава Си -М-Н 1 -Ре-Мь гарантируютполную неповреждаемость контактныхплощадок исследуемой интегральнойсхемы при зондировании, причем,при ЗО многократном использовании электро780083 ль Т,КаратыКузьма Со авит ед М...

Номер патента: 788053

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Коротченков, Ляху, Молодян

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: зависимости, заряда, материалах, носителей, подвижности, полупроводниковых, температурной, холловской

...электромагнитом 10.Устройство работает следующим образом.Образец 4 подключается к источнику1 напряжения и между потенциальнымиконтактами 6 и 7 устанавливается заданное напряжение, С изменением температуры образца 4 изменяется электропроводность объема полупроводника итоковых контактов 2 и 3, в результатепроисходит перераспределение паденийнапряжения на токовых контактах и наобъеме полупроводника, расположенноммежду потенциальными контактами 6 и 7.При этом блок 5 обратной связи,снабженный схемой управления источником 1 напряжения, позволяет изменятьнапряжение между токовыми контактами2 и 3 так, чтобы падение напряжениямежду потенциальными контактами б и 7оставалось постоянным, Таким образом,каждому значению температуры...

Номер патента: 789918

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Беглов, Каратыгин, Ликальтер

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: испытания, полупроводниковых

...функциональная схема устройства; на фиг.2конструкция крепления емкостногодатчика на корпусе, фиг. 3 - вид Ана фиг. 2,Устройство содержит источник 1инжектирующих импульсов света, состоящий из импульсного генератора 2и светодиода 3, высокочастотный генератор 4, широкополосный усилитель5, детектор б, осциллограф 7 и емкостный датчик 8, содержащий электропроводящие пластины 9 и 10,Каждая из электропроводящих пластин 9 и 10 емкостного датчика 8размещается между двумя замкнутымиэластичными электроизоляционными ЗОлентами 11 и 12, расположенными нанатяжных роликах 13, 14, 15 соответствующих пар рычагов 16 и 17,установленных на корпусе 18, установленном на направляющих 19 и 20 с возможностью перемещения по вертикалинад электроизоляционной...

Номер патента: 790040

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Бывалый, Волков, Гольдберг, Дмитриев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников, фотоэлетрический

...спад фоточувствительности в коротковолновой части спектра0 Формула изобретения 3 7900фХ)может быть аппроксимирована (Рфункцией принюх1 ч Ефпри всех ф5остальных ,чгде Х -координата в направленииградиента ширины запретнойзоны варизонного полупроводника;ф, - постоянная величина;Гу - максимальное значение ширинызапрещенной зоны.Подставляя в общее выражение для фототока лупроводника п - да А А=О,З 7,Варизонные слои изготавливаютсяметодом жидкофаэной эпитаксии на подложках п-баР,На этих слоях вначале создаетсяомический контакт вплавлением Юов подложку, а затем барьерный- химическим осаждением Аи на узкозоннуюповерхность полупроводника.Для освещения полупроводника используется монохроматор ДМРс.лампой СИО -300.Энергия фотонов выбирается...

Номер патента: 790042

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Белов, Горохов, Назаров

МПК: H01L 21/66

Метки: визуального, плоских

...и загрузочно-разгрузочный механизм, держатель плоских иэделий выполнен в виде пластины, установленной на наклонном поворотном основании, причем на одной из граней пластины выполнены ступенчатые выступы с шагом, равным расстоянию между ячейками кассеты, а загрузочно-разгрузочный механизм снабжен направляющей, закреп ленной на поворотном основании, и пластиной для кассеты, установленной с возможностью перемещения по направ ляющей.На фиг.1 схематически представлено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг.2 - схема расположения изделий на пластине; на фиг.З . устройство, вид спереди.Предлагаемое устройство для контроля внешнего вида полупроводниковых приборов состоит из наклонно установленной пластины 1, имеющей на одной из граней...

Номер патента: 794566

Опубликовано: 07.01.1981

Авторы: Болгов, Малютенко, Пипа, Чайкин

МПК: H01L 21/66

Метки: рекомбинации, скоростиповерхностной

...30 20 где д - размерная скорость генерациинеравновесных пар;т, т - эффективная масса электронов идырок соответственно;й - постоянная Планка;25 с - скорость света;й - коэффициент Больцмана;)г - безразмерное поле;р - подвижность электронов;0 - коэффициент биполярной диффузии;п - показатель преломления материала;Ец - ширина запрещенной зоны;Т - температура;35 Е - напряженность электрическогополя;Й - концентрация нескомпенсированных примесей;Я - размерная скорость поверхност ной рекомбинации;О в напряженность магнитного поля;д - заряд электрона;1 в диффузионн длина;- толщина образца.45 На чертеже изображена схема реализации предлагаемого способа. Схема содержит исследуемый образец 1, снабженныйомическими контактами и выводами, полюса 2...

Номер патента: 799050

Опубликовано: 23.01.1981

Авторы: Берзин, Кривич, Левитас, Медвидь

МПК: H01L 21/66

Метки: поверх-ностной, рекомбинации, скорости

...поля, кривая 1 и кривая 2, соответственно.Способ осуществляется следующим образом.При облучении светом в полупроводниковом кристалле, толщиной 26 еЬ с асимметрично обработанными поверхностями, возникает распределение носителей тока по толщине этого крис- ЗО талла (фиг. 2 кривая 1). Поместив полупроводниковый кристалл в.перпендикулярно направленные электрическое и магнитное поля,так, чтобы сила Лоренца была направлена к освещаемой 33 поверхности, получаем перераспределение носителей тока, показанное на фиг. 2 кривая 2, Это перераспределение носителей тока приводит к изменению фототока, Регистрируемого на 4 О сопротивлении нагрузки. Спектральная зависимость фотопроводимости в магнитном поле и. без него представлена кривыми 1 и 2 на...

Номер патента: 805213

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Новиков, Палей, Прохоров

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, надежностиполупроводниковых, пе-реходами, структур

...а локализуется в отдельныхобластях (микроплазмах). При низкойтемпературе микроплаэменный пробойшунтируется влиянием поверхностныхзФФектов и глубоких ловушечных уровней, обусловливающих параметрическиеотказы приборов при длительной эксплуатации. Наличие глубоких ловушечных уровней приводит также к гистереэису лавинного пробоя.Последовательность операций приосуществлении предлагаемого способаследующая.Испытываемые полупроводниковыеструктуры с р-и-переходами помещаютв камеру холода, выдерживают их вней в течение достаточного временидля установления низкой температуры:от минус 115 до минус 125 С для германиевых структур и от минус 75 доминус 85 С для кремниевых структур.Затем на р-и"переходы структур, находящихся в условиях низкой...

Номер патента: 805451

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Крачковский, Чарный

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: разбраковкирадиоэлементов

...а на нижнемконце вертикального питателя 2 выполнен вырез 42 под Г-образныйприжим 12, Каждая каретка снабженадвумя парами вертикальных пазов:43 в каретке б и 44 в каретке 7,форма и размеры которых соответствуют спутникам-носителям 37-40с загруженными в них приборами33 - 36. Расстояние а между пазами 43 каретки б и 44, каретки 7равно шагу рабочего хода кареток6 и 7. Каждая разделительная пластина снабжена одной парой пазов соответственно 45 в пластине 8 и 46 впластине 9, форма и размеры которых соответствуют спутникам-носителям 37 - 40 с загруженными в нихприборами 33 - 36. На боковой поверхности каждой каретки б и 7выполнена сквозная прорезь 47, переходящая в продольный паз 48 дляразмещения отсекателей соответственно 10 и 11. Торец...

Номер патента: 811370

Опубликовано: 07.03.1981

Авторы: Гершензон, Орлов, Орлова

МПК: H01L 21/66

Метки: исследования, конвер-сированного, обемеполупроводника, областей, проводимости, типа

...образца - матрица - имеет один тип проводимости, в нем содержатся области с конверспрованным типом проводимости.В спектрах фотопроводимости линии ЦР носителей конверсированных областей противоположны по направлению перезонансной фотопроводи мости и ЦР ыосителей матрицы, что позволяет определить тпп проводимости матрицы и областей.Из спектра поглощения известнь:и способом можно рассчитать полное число носителей в матрице и в конверсированных областях, поскольку поглощение пропорционально числу поглощающих центров,Предлагаемый способ дает возможность по линиям ЦР поглощения носителей, принадлежащих областям, оценить средний размер областей р, Когда р соизмеримо с радиусом циклотронного вращения г цр пли длиной свободного пробега г,...

Номер патента: 813329

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Акимов, Сережкин, Федосеев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметровглубоких, полупроводниках, центров

...б, индуктивность7 развязки,Измерение зарядового состоянияглубоких центров в области объемного заряда осуществляют частичнымуменьшением напряжения смещения нар-и переходе образца б от значенияОдо Ощ при помощи источника 1 ступенчатого напряжения, Контроль комплексного сопротивления осуществляютс помощью моста 4 полных проводимостейи индикатора 3 баланса моста. В плечо сравнения моста 4 включают параллельную йб-цепочку, комплексное сопротивление которой принимают заКонтроль баланса моста осуществляютпо фазе комплексного сопротивленияВремя достижения баланса моста в хо.де релаксации комплексного сопротивления измеряют измерителем 2 времени.Индуктивность 7 и емкость 5 служатэлементами развязки цепей постоянного и переменного...

Номер патента: 606430

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Котина, Пирожкова

МПК: H01L 21/66

Метки: материалах, параметров, полупроводниковых, примесейцентров

...ОК;Ппгг 1 - амплитУДа пРЯмого смеЩениЯ;Ч - контактная разность потенциалов.По истечении времени т.пр переходят.к первоначальной полярйости прежней амплитуды и измеряют зависимость генерационного, тока слоя объем-. ного заряда от времени при различных значениях амплитуды импульса прямого смещения. Время, в течение которого прикладывают прямое смещение 1 пР, выбирают таким образом, чтобы удлинение прямого импульса не вызывало изменения величины генерационного тока слоя объемного заряда.Величины М, ЕС п, )Г р определяют из следующих соотношений:а) монополярная термическая генерация2 ) г.т 1 ОЛ оьро Ч) -д о)60 б 430 су и 1 щ СТ Формула изобретения Еактз Ги Юр 1 з,где рРчм Ми П) ) пр Где Э (О) - плотность генерационео-г,тго тока в...

Номер патента: 609363

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Котина, Мазурин, Новиков, Седов, Шишкина

МПК: H01L 21/66

Метки: полупровдниковых, электрофизическихсойств

...объемного заряда), характеризуется квадратичнойзависимостью от обратного смещения,в то время как величина фототока,обусловленного ионизацией примесныхцентров в нейтральных областях отобратного смеще ия не зависит,При наличии в запрещенной зонеполупроводника нескольких примесныхуровней на спектральной кривой фототока .наблюдают изломы, представляющие собой. изменения наклона, обусловленные фвключениемф очередного примэсного уровня. Энергия кванта,соответствующая началу изменениянаклона на спектральной кривой, определяет энергию ионизации данногопримесного центра, что дает возможность идентифицировать его с тем илииным химическим элементом.Спектральную кривую фототока раскладывают на компоненты, связанныес Фотоионизацией отдельных...

Номер патента: 817808

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Зверев, Кружаев, Минков

МПК: H01L 21/66

Метки: носителей, полуметаллах, полупроводникахи, эффективноймассы

...и - А 5 с концентрацией б= 2 10") см З. Туннельный контакт йзготовлен по известной методике. При этом образец исследуемого материала технически шлифуют и полируют, травят в полирующем травителе (5 ч НИО+Зч НГ,+Зч. ледя- ной уксусной кйслоты), затем обезгаживают в вакууме 5 10 6 торр при 120 ОС 5 ч и окисляют в атмосфере сухого кислорода при нормальном давлении и 120 С 36 ч с целью получения на поверхности туннельного тонкого окисла, После этого в вакууме 10 торр на полученную поверхность напыляют свинец.Во время измерений туннельный контакт помещают в сосуд Дьюара, вставленный в рабочий объем сверхпроводящего соленоида. Внутри сосуда с помощью стабилизатора температуры, поддерживают требуемую фиксированную температуру в...

Номер патента: 832625

Опубликовано: 23.05.1981

Авторы: Кляус, Сердюк, Черепов

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизнинеосновных, заряда, носителей, обемеполупроводника

...носители заряда. При этом в подложке устанавливается распределение избыточной концентрации неосновных носителей Р (х, у, з). Неосновные носители йз объема полупроводника диффундируют в ОПЗ 7 под фазными электродами 4, на которое подано обедняющее напряжение, и составляют токи 1, значения которых определяются как производная от величины накопленного заряда О р по времении пропорциональны угад Р (х, у, к)на границы соответствующего ОПЗ.Для устранения влияния особенностейна границе раздела полупроводниковая подложка 8 - диэлектрик 9 на 46значение Р (х, у, х ) в объемена остальные фазные электроды 5и 6 и входные затворы 2 и 3 подается напряжение плоских зон ПЭ.После накопления величины заряда 4Я р эа время Ф, необходимой...

Номер патента: 834808

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Лопухин, Фарберов, Чудаковский, Шелест

МПК: H01L 21/66

Метки: гибридныхинтегральных, ихизготовлении, микросхем

...источника 11 пробных сигналов, предназначенного для подачи на вход контролируемого микроузла стийулирующих сигналов Различной частотыу клю чевую схему 12, два входа которой соединены свыходами соответственно схемы 1 О сравненчя и блока 9 определения фазы и работающей как ключ, блок 813 управления, вход которого соединен с выходом ключевой схемы 12,а выход через исполнительный механизм 14 - с блоком 4 сортировки.Блок 13 управления служит для управления исполнительным механизмом 14 в зависимости от величины сигнала,пропорционального фазовому сдвигу,поступающему на его вход, В свою очередь, исполнительный механизм14 устанавливает в блоке 4 сортировки требуемую группу сортировки. Устройство работает следующимобразом. На координатном столе...

Номер патента: 689423

Опубликовано: 07.08.1981

Автор: Нахмансон

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрациипримеси, полупроводниках, профиля

...имеемили, используя (3),Если величина О является гармонической функцией времени0 = Оэ 1 им, и = 2 ЙЕ,то из (б) следует, что перная гармоника фото-ЭДС пропорциональна Сч т.е., согласно (1), пропорциональнакоординате х, а вторая гармоникафото-Эдс пропорциональна а(С )/а 1),т.е., согласно (2), пропорциональна1/И(х). Если величина 0 являетсясуммой двух гармонических величин то обе первые гармоники фото-ЭДС пропорциональны х, а обе вторые гармоники фото-ЭДС, а также сигналы фото ЭДС на комбинационных часто.тах Е + Г и Г 1 - Г пропорциональны 1/Я(х).В принципе для измерений достаточно использовать один световой поток, модулируемый с частотой Г/Г 1 = х /, для более точных измерений концентрации (1(х) предпочтительнее использовать два...

Номер патента: 855553

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Барабаш, Литовченко, Трегуб

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, поля, релаксации, эффекта

...от генератора 3. От источника напряжения Г прикладывают к образцу 1 постоянное тянущее поле. Резисторы и конденсаторы образуют мостовую схему, в которую включают исследуемый образец 1. Сигнал, снимаемый с образца 1, после прохождения фазовращателя 4, усиливается дифференциальным усилителем 5 и регистрируется осциллографом 6 и вольтметром 7. 15На фиг. 2 изображена осциллограмма напряжения, снимаемого с образца при подаче на полевой электрод прямоугольного импульса модулирующего напряжения, по которой предварительно 20 определяют время релаксации эффекта поля на участке спада кривой) и измеряют величину О квазиравновесного значения напряжения.После предварительного определения параметра по осциллограмме напряжения, снимаемого с...

Номер патента: 784643

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Гольдман, Гуляев, Ждан, Приходько, Филиппов

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, параметров, пограничных, раздела, состояний, твердых, тел

...от концентрации заполненныхпограничных состояний, В результатев области напряжений, н которой происходит интенсивное доэаполнение пограничных состояний высота барьерадля прямого тока Ф, фиг, 16) слабозависит от напряжения, а поэтому наВАХ контакта будет наблюдаться область кназинасьщения обусловленнаядозаполнением пограничных состояний.Если при некотором напряжении О + пограничные состояния из данного энергетического интервала будут полностью заполнены, то при 0 7 ОфВАХ изменит свой характер на экспоненциалный, и ток 1 будет пропорционаленЕсли при дальнейшем росте напряжения уровень Ферми попадает н область пограничных состояний из другой, более мелкой энергетической группы, то на ВАХ может возникнуть аналогичная область...

Номер патента: 864193

Опубликовано: 15.09.1981

Автор: Курихин

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, фотослоев

...работа протекает автоматически по сигналам синхронизатора 5, при этом контролирующая р. , р и у, причем на схемы И из синхронизатора 5 подаются управляющие сигналы обеспечивающие запоминание сигналов О 1., О , О в, соответственно, первой, второй и третьей ячейках памяти запоминающего устройства 12. Сигналы О, О, О появляются на выходе масштабйого устройства 9,если фотослой находится, соответственно, в темноте, при освещенности Е или при освещенности Е,1. После этого осуществляется контроль бср следующим образом. Сигналы из синхронизатора 5 воздействуют на электроуправляемый Фото- затвор 2, засвечивая фотослой, на привод 4, устанавливая освещейность Е 1, на масштабное устройство 9, устанавливая требуемый коэффициент усиления, на...

Номер патента: 871104

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Букевич, Железняков, Молчанов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отбраковки, полупроводниковых, приборов

...эффективности,Поставленная цель достигается тем,что по способу отбраковки полупроводниковых приборов, включающему измерение электрических параметров испытуемых приборов и разбраковку по ним при-.боров на годные и дефектные, передизмерением параметров пластину выдерживают в высокочастотном электромагнитном поле.Предлагаемый способ осуществляетсяследующим образом.Полупроводниковые пластины послеформирования на них структур полупро,водниковых приборов или интегральных схем до скрайбирования на кристап лы помещают в высокочастотное электромагнитное поле, создаваемое генератором. За счет воздействия вихревых токов, вазникающих в структуре проводящих элементов, приборов, создается повышенная температура. Кроме того,воздействие...

Номер патента: 871260

Опубликовано: 07.10.1981

Автор: Суходольский

МПК: H01L 21/66, H01L 21/77

Метки: анодировании, ванне, микросхемы, подложки, преимущественно, электролитом

...линией. К танталовым пленкам 3 и 5 подключают блок питания 1. При этом переключатель 4 находится в левом положении, соединяя пленки. Напряжение на выходе блока питания растет от нуля до определенного значения, которое определяется требуемой удельной емкостью. По достижении требуемой величины рост напряжения прекращается, и пленки выдерживают в дальнейшем при этом значении напряжения. Рост напряжения в общепринятых технологических режимах длится несколько минут, причем именно за этот отрезок времени происходит основной рост диэлектрической пленки; удельная емкость пленки достигает 120% конечной,Время выдержки под постоянным напряжением составляет свыше одного часа; при этом диэлектрическая пленка растет очень медленно. Поэтому в...

Номер патента: 873166

Опубликовано: 15.10.1981

Авторы: Рагаускас, Шлитерис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводников, характеристик, электрофизических

...9, 1 д - граничная частота полевого гальваномагниторекомбинационного эффекта.При этом поверхностные электростатические потенциалы и скорость поверхностной рекомбинации на гранях исследуемого образца 2 под полевыми пластинами 3 изменяются по синусоидальному закону противофаэно и обеспечивается линейность функции 1(Ц 4)=сопвс О . Частота о связана с измеряемой величиной эффективного времени живинка носителей тока в образце 2 формулойГзф= 1/2 )Игде То - период. Причем частота Г определяется как частота выходного переменного напряжения исследуемого образца 2, при котором фаза этого напряжения отстает на )Г/4 относи" тельно фазы переменного напряжения с частотой Гс на полевых пластинах 3.Частота выходного напряжения исследуемого образца 2...

Номер патента: 881630

Опубликовано: 15.11.1981

Автор: Торопов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: с-параметров, свч, транзисторов

...З 0 ваются автогенерации на требуемых частоте и уровне выходной мощности, измеряют комплексные напряжения сигналов на входе первого и выходе второго четырехполюсника, затем перестройкой четырехполюсников изменяют режим автогенерации таким образом, чтобы частота генерации и уровень выходной мощности незначительно отличались от первоначальных, причем в обоих режимах автогенерации измеряют параметры Ь 11 ианцым напряжений сигналов, параметров четырехполюсников опреаеляют параметры транзистора по формулам 453 М 16 и входе каскадного соединения трансформатор-транзистор-трансформатор 2.Однако по данному способу трудно измерять точно 5 -параметры транзисторов (или процесс измерения совсем невоэможжен) неустойчиво работающих в усилительном...

Номер патента: 892361

Опубликовано: 23.12.1981

Автор: Хоткевич

МПК: H01L 21/66

Метки: вольт-амперной, контакта, нелинейностей, точечного, характеристики

...напряжения, выход схемысравнения соединен с управляющим входом делителя, другой вход которогосоединен с выходом генератора гармонического напряжения, а выход дели.- теля через преобразователь напряжение - ток подключен к точечному контакту.На чертеже изображена структурнаясхема устройства.Точечный контакт (ТК) 1 помщенв криостат 2 и подключен к выходу 15 источника 3 монотонно изменяющегося,тока, к выходу преобразователя 4напряжение - ток,а также ко входуХ двухкоординатного (самопишущего) потенциометра 5, ко входу се О лективного усилителя б первой гармоники и ко входу фильтра 7. Выходфильтра 7 соединен со входом селективного усилителя 8 второй гар"моники, выход которого соединен совходом синхронного детектора Э второй...

Номер патента: 892362

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Колобутин, Пыж, Староверов, Хомич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов

...9 в формебольше или меньше норм заданных источником эталонных уровней поступа ют на вход блока 12. Блок 12 вырабатывает циклически следующие импульсы: импульс заряда суммарной емкости р-п перехода контролируемого прибора 4 и электрических цепей для егоподключения и импульс измеренияИмпульс заряда суммарной емкостиблок 12 подает на управляющий входоперационного усилителя 7 и включаетдиапазон измерения больших токов,обеспечивая на время действие импульса малое входное сопротивление операционного усилителя 7, чем осущест" ляет быстрый заряд суммарной емкости, шунтирующей р-и переход. Иа время действия импульса измерения блок 12 после установления переходного про 5 цесса коммутации операционного усилителя 7 анализирует сигналы, пос"...

Номер патента: 605487

Опубликовано: 23.12.1981

Авторы: Федорович, Шеленшкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: внутренних, механических, напряжений, пленках, сжатия, тонких

...с прототипом (микроскопическое нагде г - начальная длина моста;п=0,1,2гг -- 1./7 ) -))ггг = -- ,Е(ог) =- 1 (1 - и зи 6)ЧУ о где Ео - модуль Юнга дин/см";- коэффициент Пуассона; б - толщина пленки, см; О - Глбца почт)рава и;сгкц) см;) - параметр, опредсляемый по ногограмме )потери устойчивости пластины,закрепленной с одного края, по отношению5 длццы полуволцы деформированного краяпленки к глубгине ее подтрава,Известно, что при потере устойчивостипланка при ьспучивании разделяется в продольном направлении х ца пг полуволн, а в10 попсрсч)ном направлении у на и полуволн,и се прогиб в выражается формулой где Лпостоянная; а - длна пластинки; Ь - ширина пластинки,20 Если пленка деформируется только в продольном направлении (т. с. и1; = 1),...

Номер патента: 894614

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Антанавичюс, Масюлис, Мачюлайтис, Шахтинов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диодов, задания, пикового, туннельных

...резистор 5, параллельно туннельному диоду 4 подключен измеритель6 напряжения, например дифференци альный усилитель постоянного тока,а также усилитель 7 постоянного тока, вместе с калиброванным резистором 5 составляющий измеритель 8тока. Выход измерителя 6 напряженияф 5 соединен со входом регулируемого порогового устройства 9, например триггера Шмитта, выход которого подключенк управляющему входу аналоговогоключа О, другой вход аналогового50 ключа 10 соединен с выходом измерителя 8 тока, а выход - с одним входомкомпаратора 11, другой вход компаратора 11 соединен с узлом 12 управляемых калиброванных токов, а выход.55 через шину 13 сброса импульсов подключен к одному входу счетчика 14импульсов, другой вход; последнегосоединен с...