H01L 21/28 — изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в

Номер патента: 1762690

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Абаньшин, Высоцкий, Кузьмин, Митрохин, Севостьянов, Смирнов, Усенок

МПК: H01L 21/28

Метки: жидкокристаллическим, индикатором, матрицы, тонкопленочных, транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМ ИНДИКАТОРОМ, включающий нанесение на прозрачную диэлектрическую подложку слоя прозрачного токопроводящего материала, формирование элементов отображения, формирование электродов затворов и управляющих шин, подзатворного диэлектрика и активных областей, нанесение токопроводящего слоя, формирование электродов стока, истока и информационных шин, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса, формирование электродов затворов и управляющих шин, подзатворного диэлектрика и активных областей проводят путем последовательного нанесения вентильного металла, диэлектрического и полупроводникового слоев и их совместного травления, а после...

Номер патента: 1829769

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Володин, Костюкевич, Смертенко, Ханов, Ханова

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, моносульфиду, омических, самария

...через маску так, что оставался чувствительный элемент 45 из ЯаЯ размером 2 х 1 мм, а с двух сторон егобыли образованы контактные площадки 1 х 1 мм, Сначала через такую маску напылялся титан в течение 35 - 330 с со скоростью 5 - 60 оА/с, а затем никель в течение 130 - 670 с со 50оскоростью 6 - 30 А/с. Напыление металлов проводилось при температуре 80 - 240 С.Вольт-амперная характеристика структуры (И 1+Т)-Игпи представлена на черте1829769 Таблица 1 Сопротивление макетов тензорезисторов с контактами (Т+М) при различных режимах напыления Т 1; Тпод.=150 С; режим напыления гЛ: время напыления 1 м=350 с, скорость напыоления Чю=15 А/с. отклонения от омического закона, для которого а= 1.Из зависимости на чертеже следует, что диапазон...

Номер патента: 1602279

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Абрамян, Мелкумян, Мкртчян, Петросян

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремниевой, подложке

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТОВ К КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий вакуумное напыление алюминиевой пленки, формирование контактной площадки и термокомпрессионную сварку золотого микропровода с контактной площадкой, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов, после напыления алюминия, не нарушая вакуума, на поверхность алюминиевого слоя напыляют слой меди толщиной 500 3000 .

Номер патента: 1780458

Опубликовано: 20.09.1995

Автор: Кипарисов

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлических, многослойных, осаждения, покрытий, селективного, схем

СПОСОБ СЕЛЕКТИВНОГО ОСАЖДЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ на полупроводниковых пластинах из материалов группы AIII BIV, включающий химическую чистку и обработку пластин, нанесение на лицевую поверхность фоторезиста, формирование путем фотолитографии контактной маски, последовательное осаждение на вскрытый рисунок интегральных схем многослойной композиции металлов из водного раствора, содержащего палладий, и слоя золота, удаление маски, отличающийся тем, что с целью обеспечения качества металлизации рисунка с минимальными размерами элементов порядка микрона и увеличения толщины слоев, первый слой многослойной композиции выполнен из аморфного сплава...

Номер патента: 1321313

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Минеева, Миронов

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, омических, п-типа, полупроводниковым, соединениям

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СОЕДИНЕНИЯМ A3B5 P-ТИПА, включающий химическую обработку полупроводника, его нагрев, напыление слоя ванадия и основного контактного металла, отличающийся тем, что, с целью экономии драгоценных металлов при сохранении качества омических контактов, в качестве основного контактного металла используют никель или алюминий и нагревают полупроводник от 150 до 250oС.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве основного контактного металла используют двухслойную композицию из никеля и алюминия.

Номер патента: 1679911

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Кастрюлев, Розес, Сидорова, Ткачева

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, полупроводниковых, приборов, создания

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование пленки барьерного металла Tiw, нанесение пленки Al Si, нанесение пленки фоторезиста, формирование рисунка межсоединений, удаление фоторезиста, ионно-химическое травление Tiw, отличающийся тем, что с целью повышения надежности полупроводниковых приборов, ионно-химическое травление пленки Tiw ведут на 2/3 толщины с дотравливанием в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты.2.Способ по п.1, отличающийся тем, что дотравливание в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты проводят при соотношении 1 1 и температуре 40 - 45oС.

Номер патента: 1440296

Опубликовано: 10.12.1995

Автор: Минеева

МПК: H01L 21/28

Метки: арсениду, галлия, контактов, омических, проводимости, типа

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К АРСЕНИДУ ГАЛЛИЯ n-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ, включающий химическую очистку пластины, нанесение германия и палладия, нагрев в инертной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности контактов путем снижения переходного сопротивления, на пластину после химической очистки наносят химическим путем палладий, толщиной нагревают структуру до 200 300oС, германий наносят толщиной после чего наносят никель или алюминий, толщиной

Номер патента: 1589927

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Абгарян, Авакян, Есаян, Мкртчян

МПК: H01L 21/28

Метки: золото-алюминиевых, контактных, микросварных, соединений

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗОЛОТО-АЛЮМИНИЕВЫХ МИКРОСВАРНЫХ КОНТАКТНЫХ СОЕДИНЕНИЙ, включающий напыление алюминиевой контактной площадки, формирование промежуточного слоя и термокомпрессорное присоединение золотой проволоки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности соединений путем исключения образования интерметаллических соединений, после напыления алюминия, не нарушая вакуума, формируют промежуточный слой путем напыления никеля толщиной 3000 и проводят термообработку при температуре 530oС в течение 30 мин.

Номер патента: 1577617

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Барсукова, Кастрюлев, Розес, Ткачева

МПК: H01L 21/28

Метки: больших, изоляции, интегральных, межсоединений, межуровневой, создания, схем

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕЖУРОВНЕВОЙ ИЗОЛЯЦИИ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование первого уровня межсоединений, нанесение пленки полиимида, создание межуровневых контактов и межсоединений второго уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности межуровневой изоляции межсоединений, перед нанесением полимида в него вводят бензимидазол в количестве 0,2-0,4% и проводят термообработку при 80-100oС.

Номер патента: 1335056

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Авдеев, Зотов, Колмакова, Матвеев

МПК: H01L 21/28

Метки: барьером, индия, полупроводниковых, приборов, фосфиде, шоттки

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ФОСФИДЕ ИНДИЯ, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, напыление в вакууме неактивного металла и формирование контактов, отличающийся тем, что, с целью увеличения пробивных напряжений за счет увеличения высоты барьера Шоттки, химическую обработку пластин фосфида индия осуществляют в плавиковой кислоте при температуре от 80 до 106oС в течение не менее 5 мин, а испытание неактивного металла производят через время, не превышающее 60 мин на...

Номер патента: 1547611

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/28

Метки: больших, интегральных, межсоединений, многоуровневых, схем, формирования

1. СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий создание первого уровня межсоединений, нанесение межуровневого изолирующего покрытия и вскрытие в нем межуровневых контактных окон, нанесение второго уровня межсоединений, состоящего из слоев титана-вольфрама и алюминия, легированного кремнием, фотолитографическую обработку по второму уровню межсоединений с последовательным травлением алюминия и титана-вольфрама, формирование последующих уровней межсоединений, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности многоуровневых межсоединений, перед нанесением второго и последующих уровней межсоединений проводят обработку поверхности ионным или ионно-химическим травлением или травлением в...

Номер патента: 865065

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Минеева, Миронов, Филипченко

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, омических, полупроводниковым, приборам

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ПРИБОРАМ на основе соединений AIIIBV, включающий химическую обработку, нагрев подложки, напыление металла и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества приборов, после химической обработки на подложку дополнительно осаждают слой палладия толщиной 150 - 200 и проводят термообработку при температуре 450 - 500oС в течение 0,5 - 20 мин.

Номер патента: 1829767

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Баранцев, Бессонов, Костюк, Пономаренко

МПК: H01L 21/28

Метки: межсоединений, полупроводниковых, приборов

...того, в межсоединениях, изготовленных по способу-прототипу, возникает дополнительный вклад во внутренние напряжения, связанный с различием температурных коэффициентов линейного расширенич материалов окисного и проводящего слоев, В заявляемом способе этот вклад отсутствует, так как межсоединения представляют собой единую монолитную систему.Предлагаемый способ изготовления межсоединений полупроводниковых приборов позволяет, рассчитав предварительно температурный режим испарения, необходимый для реализации оптимальной глубинь фракционирования, данной навески сплава А - В - С, в дальнейшем осуществлять испарение, строго следуя этому режиму. При этом сам процесс испарения становится высокотехнологичным, а параметры получаемых...

Номер патента: 1225426

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Думаневич, Зумберов, Кузьмин

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковый, прибор

1. Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую пластину по крайней мере с одним p - n-переходом и контактную металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, металлизация выполнена с уменьшающейся по направлению к поверхности раздела металл - полупроводник микротвердостью с градиентом микротвердости 1013 - 2 1013 Па/м.2. Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование в полупроводниковой пластине по крайней мере одного p - n-перехода, нанесение на пластину металлизации и термообработку, отличающийся тем, что металлизацию создают последовательным нанесением слоев металла, а...

Номер патента: 1797407

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Василевич, Довнар, Красницкий, Турцевич, Химко

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межэлементные, соединения, схем

...0,3 мкм.Содержание фосфора в ФСС, определенное при помощи рентгенофлуоресцентного анализа, составляло 3,5 мас,. Псаждение плазмохимического нитрида кремния осуще ствлялось на установке Ладас горизонтальным трубчатым реактором и горячими стенками при температуре 300+3 С и вводом мощности сзади при частоте 40 кГц, Плотность мощности при осаждении составила 50 мВт/см, суммарный поток газовой смеси не превышал 2500 см /мин. Использовалась следующая парогазовая смесь: 31 Н 4-КНз-й 2. Давление 110-130 Па. Межэлементные соединения согласно прототипу реализовали при помощи литографии и сухого травления двухслойной структуры для формирования областей для присоединения выводов. Предлагаемые межэлементные соединения интегральных схем реализовали...

Номер патента: 1805786

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Довнар, Дулинец, Калошкин, Красницкий, Родин, Семенов, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: контактно-барьерного, материал, межэлементных, подслоя, соединений

...методике по даннымрентгенодифракционного анализа на дифрактометре Дрон - 2 по угловому смещению25 дифракционного пика.Величину нарушенного приповерхностного слоя подложки определяли по методике, представленной в работе (Коб 1 п Ч.6Кочо 1 еЬоМ М.Ч., 1 аагпоч В,М., 1 озапоч 1 сЬ30 Е,Е. ТЬе вейоб о 1 1 п 1 е 9 гасЬагас 1 ег 1 м 1 сз 1 пХ-гау бИгасбоп зтаб 1 ез о 1 зсгцсмге о 1 1 ЬеЯиг 1 асе 1 аяегз о з 1 п 91 е сгузса 1 з. РЬуз, Всат.Яо 1, (а) 1981, ч.64, р,442-465).Содержание кремния измеряли мето 35 дом масс-спектрометрии на масс-спектрометре МНпо методике (Буэанев Е,В идр. Исследования слоев в структурах поликремний -иметодом МСВИ, Вторичнаяионная и ионна-фотонная эмиссия, - Харь 40 кои, 1983, с,205-207). Качество...

Номер патента: 1814435

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Корешков, Родин, Сасновский, Турцевич, Цыбулько

МПК: H01L 21/28

Метки: алюминия, изготовлении, плазмообразующая, плазмохимической, разводки, сбис, смесь, сплавов

...алюминия и его сплавов происходит уменьшение вероятности коррозии разводки и затрава в межслойный диэлектрик,Верхний предел содержания кислорода в смеси, равный 55 об,; обусловлен увеличением радиационных повреждений и разбавлением смеси, это приводит к увеличению вероятности коррозии разводки алюминия и его сплавов.Нижний предел содержания кислорода в смеси, равный 45 об,о обусловлен снижением скорости травления фоторезиста и уменьшением толщины защитной пленки на боковой поверхности разводки, что приводит к увеличению вероятности коррозии разводки алюминия и его сплавов,Верхний предел содержания гексафторида серы в смеси, равный 25 об, обусловлен увеличением скорости травления двуокиси кремния, что приводит к увеличению затрава...

Номер патента: 1814434

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Бычок, Макарова, Нижникова, Становский, Терехов

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, многоуровневой, разводки, схем

...контактных окон. Использование в качестве плазмообразующего газа СНРз или СР 4 + Н 2 порождает трудности, связанные с низкой скоростью травления диэлектрика и наличием полимерной пленки на дне контактного окна, Нижняя граница времени травления выбрана с учетом необходимости вытравливания максимальной толщины межуровневого диэлектрика. Верхняя граница выбрана с целью предотвращения образования полимерной пленки на дне контактного окна. Экспериментально установлено, что при перетраве диэлектрика, находящегося на поверхности пленки на основе алюминия, в1814434 ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ течение времени более 75;4 от времени травления пленки происходит образование полимера на дне контактных окон, для удаления которого требуются спецобработки. Выбор...

Номер патента: 1823709

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Астахова, Бондарь, Стрельцов

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, омических

...контактов к кремнию методом РСД.П р и м е р 1, Берут кремниевую пластину, например, типа КЭФ,5 с открытыми окнами в двуокиси кремния под омический контакт с мел козалегаюшему диффузионному слою и+, помещают ее на катоде устройства плазмы тлеющего разряда и при плотности тока разряда плазмы 0,082мА/см в течение 2 мин проводят очистку поверхности кремния в открытых окнах, затем наносят пленку алюминия толщиной 0,3 - 0,5 мкм методом магнетронного распыления либо термическим испарением в вакууме. После осуществления фотолитографии по алюминию, снова располагают подложку кремния на катоде газоразрядного устройства и осуществляют РСД алюминия в кремний в плазме тлеющего разряда в течение 2 мин при плотности тока разряда плазмы 0.08 мЛ/см ....

Номер патента: 1825236

Опубликовано: 20.03.1997

Авторы: Довнар, Козачонок, Малышев, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: межэлементные, соединения

...до более 0,15 мкм нецелесообразно, т, к. не приведет к дальнейшему снижению бугорков на поверхности нижележащего рисунка при увеличении удельного сопротивления нижнего уровня межэлементных соединений.Кроме того, верхний предел по толщине пленки для обоих классов материалов обусловлен увеличением коэффициента отражения для света с длинами волн А) - 574 нм (режим совмещения) 12 = 436 нм (режим экспонирования) и ухудшением вследствие этого антиотражающих свойств пленки.Конструкция межэлементных соединений поясняется чертежом, где 1 - полупроводниковая подложка с активными элементами; 2 - диэлектрический слой с созданными в нем контактными окнами; 3 - контактно-барьерный проводящий слой к активным элементам в полупроводниковой подложке; 4 -...

Номер патента: 1779202

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Егудин, Лихтман, Смирнов

МПК: H01L 21/28

Метки: затворов, системы, субмикронной, формирования, электродной

1. Способ формирования субмикронной электродной системы затворов СВЧ-полевых транзисторов, включающий создание маски, осаждение в вакууме на неподвижные полупроводниковые пластины, прикрепленные к подложкодержателю, многослойных пленок из тугоплавких и драгоценных металлов, образующих управляющую и токоведущую части электродной системы, и удаление маски, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии пленок и снижения расхода драгоценных металлов, управляющую часть электродной системы в виде многослойной пленки из тугоплавких металлов выполняют общей толщиной 0,15-0,2 мкм и осаждают с расстояния, обеспечивающего максимальный угол расхождения осаждаемого молекулярного потока от строго...

Номер патента: 884481

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Соколов

МПК: H01L 21/24, H01L 21/28

Метки: металлов, силицидов, создания

Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металлической пленки на кремний и импульсный нагрев структуры, кремний - металлическая пленка, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев при одновременном сохранении свойств исходного кремния, структуру нагревают импульсами СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность отдельного импульса менее 10-5 с и временные промежутки между ними 10-2 -10-1с, частота СВЧ-излучения 30 МГц - 100 ГГц, плотность поглощения энергии СВЧ-импульса рассчитывается по формулеE c

Номер патента: 1424638

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Калинин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремния, легированных, мелких, ним, слоев

Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним, включающий ионную имплантацию примеси и кремний, постимплантационный отжиг, нанесение пленки силицидообразующего металла и термический нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств n-p-переходов за счет формирования мелких n-p-переходов в бездефектной области кремния, пленку силицидообразующего металла наносят толщиной от где Rp - проецированная длина пробега ионов примеси; Rp - рассеяние величины проецированного пробега ионов примеси;...

Номер патента: 1356886

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Климова, Майстренеко, Свиридов, Скоков

МПК: H01L 21/28

Метки: фотопреобразователей

Способ изготовления фотопреобразователей, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой кремниевой подложки твердого источника легирующей примеси, диффузию и формирование контактов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества фотопреобразователей за счет улучшения адгезии контактов к подложке и уменьшения глубины залегания горизонтального p-n-перехода и упрощения технологии изготовления за счет совмещения процессов диффузии и формирования контактов в едином термоцикле, в качестве твердого источника легирующей примеси используют слой фосфоросиликатного стекла с содержанием в нем фосфора от 5 до 45% или боросиликатного стекла с содержанием бора от 10 до 50%, формирование...

Номер патента: 1725701

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Бочвар, Гликман, Ильин, Лысова, Пиннекер, Старостина

МПК: H01L 21/28

Метки: дорожек, пленочных, токопроводящих

Способ изготовления пленочных токопроводящих дорожек, включающий напыление сплава алюминия с марганцем, литографию, травление, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы токопроводящих дорожек за счет повышения их стойкости к электродеградации и улучшения качества их поверхности, в качестве сплава используют следующий, ат.%: марганец 17, алюминий - остальное.

Номер патента: 1623492

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: кремниевой, соединения, структуры, термокомпенсатором

Способ соединения кремниевой структуры с термокомпенсатором, включающий помещение припоя между кремниевой структурой и термокомпенсатором, нагрев до расплавления припоя, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью увеличения напряжения пробоя за счет улучшение качества соединения, охлаждение осуществляют со скоростью 0,2...1,5oC/мин.

Номер патента: 757048

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Золотухин, Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/28

Метки: балочных, выводов, контактов, металлических, омических, покрытий, полупроводниковым, структурам

Способ изготовления металлических покрытий, балочных выводов и омических контактов в полупроводниковым структурам, включающий нанесение расплавленного контактного металла на поверхность полупроводниковых структур и последующее вплавление, отличающийся тем, что, с целью увеличения однородности покрытий, структуры собирают в пакет с зазором 0,2 - 1 мм, который заполняют расплавом контактного металла при температуре на 10 - 20oC меньше температуры вплавления, после вплавления охлаждают до температуры не ниже температуры плавления контактного металла и удаляют излишний металл из зазора.

Номер патента: 1746846

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Зенцов, Козлов, Кузьмин, Уверская

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремниевых, омических, сплав, структур

Сплав для омических контактов кремниевых структур, содержащий кремний, никель, фосфор, алюминий, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода выпрямительных элементов на основе кремниевых структур на операции сплавления путем повышения технологической пластичности при одновременном снижении максимальной величины локального отклонения пиков вплавления относительно плоскости фронта вплавления силумина в кремний, он содержит указанные компоненты в следующем соотношении, мас.%:Кремний - 15 - 22Никель - 0,025 - 0,2Фосфор - 0,0022 - 0,02Алюминий - Остальное

Номер патента: 1484197

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Евсеев, Лягущенко, Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: выпрямительного, материал, полупроводникового, термокомпенсатора, элемента

Материал термокомпенсатора для полупроводникового выпрямительного элемента, содержащий поликристаллический кремний, отличающийся тем, что, с целью повышения обратного напряжения выпрямительного элемента и улучшения прочностных свойств термокомпенсатора, материал дополнительно содержит вольфрам или молибден при следующем соотношении компонентов, мас.%:Вольфрам или - 0,1 - 6Молибден - 0,1 - 9Кремний - Остальное

Номер патента: 1369598

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Зайцев, Пинчук, Рюмшин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактного, кремниевые, никелевого, осаждения, покрытия, полупроводниковые, раствор, структуры, химического

Раствор для химического осаждения никелевого контактного покрытия на кремниевые полупроводниковые структуры, содержащий никель сульфаминовокислый, натрий гипофосфат и воду, отличающийся тем, что, с целью уменьшения переходного сопротивления контакта к кремнию р-типа проводимости с поверхностной концентрацией основных носителей ниже 5 1018 см-2 при сохранении стабильной скорости осаждения, он дополнительно содержит гидразинсодержащую соль при следующем соотношении ингредиентов, г/л:Никель сульфаминовокислый - 30 - 70Натрий гипофосфит - 5 - 35Гидразинсодержащая соль - 0,4 - 1,45Вода...