H01L 21/28 — изготовление электродов на полупроводниковых подложках с использованием способов и устройств, не предусмотренных в

Номер патента: 1616429

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Дерменжи, Кондаков, Почуева, Шмелев

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов, силовых

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий формирование в полупроводниковой подложке базовой области, создание в базовой области дискретных областей эмиттерных элементов, формирование первого слоя металлизации на поверхности базовой области и областей эмиттерных элементов, выявление неработоспособных эмиттерных элементов, нанесение изолирующего покрытия, закрепление на поверхности подложки с помощью магнитной кассеты маски с окнами над эмиттерными элементами и создание второго слоя металлизации путем напыления металла в окна маски, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и снижение трудоемкости, изолирующее покрытие после выявления неработоспособных...

Номер патента: 1335055

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Блохина, Изидинов, Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов

1. Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий создание кремниевой структуры по крайней мере с одним p-n-переходом и контактное соединение кремниевой структуры с электродом припоем на основе алюминия, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик приборов, перед контактным соединением на контактной поверхности кремниевой структуры формируют поры, суммарная площадь которых составляет 15-50% площади контактной поверхности.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что поры формируют анодным электрохимическим травлением кремниевой структуры.

Номер патента: 1400378

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Локтаев, Лягущенко, Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: выпрямительного, контакта, омического, элемента

Способ изготовления омического контакта выпрямительного элемента, включающий помещение припоя алюминиевой основы между кремниевой структурой и электродом и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения обратного напряжения выпрямительного элемента, между поверхностью кремниевой структуры и припоем алюминиевой основы помещают слой силумина заэвтектического состава, термообработку проводят при температуре от 577oC до 0,95 температуры плавления силумина заэвтектического сстава.

Номер патента: 1340484

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/28

Метки: защищенных, мезаструктур, никелирования, пленками, свинцово, силикатными, стекловидными

Способ никелирования мезаструктур, защищенных свинцово-силикатными стекловидными пленками, включающий активацию поверхности структур в золотосодержащем активаторе и химическое осаждение никеля, отличающийся тем, что, с целью уменьшения себестоимости приборов, после активации мезаструктуры обрабатывают в кипящей азотной кислоте.

Номер патента: 1579344

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Авдонин, Евтушенко, Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковой, соединения, структуры, термокомпенсатором

Способ соединения полупроводниковой структуры с термокомпенсатором, включающий размещение в каждой из ячеек кассеты пакета из термокомпенсатора, алюминиевого припоя, кремниевой структуры с р-n-переходом, заполнение полости кассеты графитовым порошком, создание сжимающего давления на пакеты и термообработку при 577 - 900o, отличающийся тем, что, с целью повышения качества соединения, осуществляют предварительную термообработку заполненной кассеты при 500 - 560oC и давлении 1 - 9 Н/мм2.

Номер патента: 1507131

Опубликовано: 10.04.2004

Авторы: Нечаев, Чернявский

МПК: H01L 21/28

Метки: затвором, полевых, транзисторов, шоттки

1. Способ изготовления полевых транзисторов с затвором Шоттки, включающий формирование на полупроводниковой подложке омических контактов истока и стока, нанесение металлизации, формирование на поверхности подложки в области затвора металлического электрода травлением металлизации через маску, последовательное нанесение первой и второй диэлектрических пленок, формирование фоторезистивной маски с окном над поверхностью металлического электрода, изотропное травление через окно в фоторезистивной маске второй диэлектрической пленки до вскрытия поверхности первой диэлектрической пленки, травление первой диэлектрической пленки до вскрытия поверхности металлического электрода, удаление...

Номер патента: 1263140

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Майстренко, Свиридов

МПК: H01L 21/28

Метки: алюминиевого, большой, контакта, площади

Способ изготовления алюминиевого контакта большой площади на кремниевой пластине, включающий подготовку поверхности пластины шлифовкой, нанесение слоя алюминия на пластину, нагрев и охлаждение пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контакта за счет улучшения адгезии алюминия к пластине, снижения переходного сопротивления и снижения разброса по толщине, кремниевую пластину шлифуют до шероховатости Ra не более 3,2·10-7 м, затем окисляют до образования слоя двуокиси кремния толщиной от 8·10-8 до 10-7м, а слой алюминия наносят контактированием расплава алюминия с кремниевой пластиной, нагретой до температуры от 923 до 1023 K, в...

Номер патента: 1491266

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Домбровский, Кисель, Красницкий, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: мдп, многоуровневой, разводки

Способ изготовления многоуровневой разводки МДП ИС, включающий последовательное нанесение слоев нитрида кремния и нелегированного поликристаллического кремния на окисленную кремниевую пластину со сформированной активной структурой, легирование слоя поликристаллического кремния примесью, формирование на нем маски, соответствующей рисунку нижнего уровня разводки, стравливание участков слоя нитрида кремния, незащищенного маской, удаление маски, формирование межслойного диэлектрика и верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества разводки путем уменьшения количества закороток между элементами разводки, маску формируют после нанесения слоя нелегированного...

Номер патента: 1760920

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Довнар, Лесникова, Сарычев, Сасновский, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межэлементных, соединений, схем, формирования

Способ формирования межэлементных соединений интегральных схем, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой пластины с созданными в ней элементами интегральных схем слоя алюминия или его сплавов, нанесение слоя кремния, создание фоторезистивной маски с рисунком межэлементных соединений, травление слоев кремния и алюминия или его сплавов через эту маску, удаление маски, отличающийся тем, что, с целью повышения качества межэлементных соединений путем уменьшения вероятности коротких замыканий и повышения стойкости к электромиграции, после удаления маски пластины со сформированным на них рисунком межэлементных соединений в течение 5-30 мин обрабатывают в атмосфере гексафторида...

Номер патента: 1769635

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Красницкий, Сарычев, Сасновский, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, контактных, межсоединений, столбиков, схем

Способ изготовления контактных столбиков для межсоединений интегральных схем, включающий формирование слоя кремния на боковых поверхностях контактного окна в диэлектрическом слое, расположенном на полупроводниковой кремниевой подложке с созданными активными и пассивными элементами и первым проводящим слоем, селективное осаждение вольфрама и нанесение второго проводящего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем и снижения трудоемкости за счет сокращения длительности процесса формирования контактного столбика, слой кремния формируют до полного заполнения контактного окна, а осаждение вольфрама проводят из парогазовой смеси гексафторида вольфрама с...

Номер патента: 1783932

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Дулинец, Красницкий, Родин, Сухопаров, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межсоединений, микросхем

1. Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем, включающий нанесение на кремниевую подложку с созданными активными и пассивными элементами и нанесенным диэлектрическим слоем со сформированными контактными окнами подслоя алюминия, нанесение слоя сплава алюминия с Si, Cu, Cr, создание микрорисунка травлением, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и качества межсоединений путем уменьшения количества коротких замыканий, подслой формируют из алюминия или алюминия с кремнием, толщина подслоя d1 и толщина верхнего слоя d 2 сплава удовлетворяют соотношениям: ...

Номер патента: 795321

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Кунашкевич, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/28, H01L 21/285

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию р-типа проводимости, включающий нанесение молибдена на кремниевую подложку катодным распылением, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности омического контакта, катодное распыление молибдена проводят путем создания в рабочей камере вакуума (1,3-6,7)10 -4 Па, введения фторосодержащего газа, BF3, до создания вакуума (2,7-3,2)10-2 Па, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В.

Номер патента: 1709864

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Баранов, Воробьев, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию p-типа проводимости, включающий катодное распыление молибдена на кремниевую подложку путем создания в рабочей камере предварительного вакуума (1,3-6,7)10-4 Па, введения фторсодержащего газа BF 3, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества омических контактов, в рабочую камеру дополнительно к BF3 вводят четырехфтористый углерод и водород при следующем соотношении компонентов в газовой среде состава, об.%: Четырехфтористый углерод

Номер патента: 1292628

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Принцев, Снитовский, Шепурёв

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремнию, омических, формирования

Способ формирования омических контактов к кремнию, включающий нанесение молибдена на поверхность кремниевой подложки катодным распылением в тлеющем разряде в газовой среде, содержащей трехфтористый бор, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества контактов и повышения производительности способа, катодное распыление осуществляют в газовой среде состава, об.%: Водород15-30 Трехфтористый борОстальное при давлении 5·10 -2-8·10-2 Па и плотности мощности разряда...

Номер патента: 1459539

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, системы, схем

1. Способ изготовления системы металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводник изоляционного слоя полиамидокарбоновой кислоты, формирование на нем фоторезистивной маски, вскрытие контактных окон к поверхности полупроводника, удаление фоторезистивной маски, напыление металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид, формирование рисунка металлической разводки, вжигание металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения качества системы металлизации за счет увеличения напряжения пробоя изоляции и адгезии металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид проводят перед формированием на нем...

Номер патента: 1069571

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Заико, Румак, Снитовский, Тарасевич

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания

Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий последовательное нанесение на полупроводниковую подложку с активными областями слоев алюминия, молибдена и алюминия, формирование разводки и нанесение слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов за счет увеличения стойкости к электромиграции, перед формированием разводки дополнительно подложку со слоями металлов нагревают в инертной среде до 90-110°С, выдерживают при этой температуре, нагревают до 450-550°С и выдерживают, охлаждают со скоростью 60-80°/мин до 90-100°С и выдерживают при этой температуре, причем время выдержки при каждой температуре 5-7 мин.

Номер патента: 1241937

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Заико, Румак, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, микросхем, создания

Способ создания металлизации интегральных микросхем, включающий нанесение на полупроводниковую пластину с активными и пассивными областями металлических слоев, преимущественно алюминия, формирование разводки, термообработку, осаждение диэлектрического слоя и его травление в области контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросхем, термообработку осуществляют в инертной среде после травления диэлектрического слоя, при этом нагревают полупроводниковую пластину до температуры 363-383 K, выдерживают при этой температуре 4-6 мин, нагревают до температуры 473-823 K, выдерживают 20-30 мин, охлаждают со скоростью 60-80 град/мин до температуры 363-383 K и...

Номер патента: 1510627

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Пухов, Румак, Томченко, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: моп-интегральных, схем

Способ изготовления МОП-интегральных схем, включающий осаждение на нагретую полупроводниковую подложку со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации ионно-плазменным методом в две стадии, с толщиной слоя на первой стадии 10-40 нм, формирование рисунка металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик интегральных схем за счет уменьшения фиксированного заряда в подзатворном диэлектрике, осаждение слоя металлизации проводят при температуре подложки 523-573 K, при этом к подложке прикладывают отрицательное напряжение смещения 40-75 В на первой стадии и 80-120 В на второй стадии.

Номер патента: 1393233

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Васильев, Згировская, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, схем

Способ изготовления интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными областями первого слоя кремния, слоя силицида тугоплавкого металла, второго слоя кремния, формирование рисунка элементов металлизации, формирование пассивирующего покрытия высокотемпературным отжигом в среде кислорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик и упрощения способа за счет формирования рисунка элементов металлизации и пассивирующего покрытия в едином технологическом цикле, второй слой кремния наносят толщиной от 100 до 150 нм, затем проводят травление этого слоя в соответствии с рисунком элементов металлизации, после чего...

Номер патента: 1025287

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Гурский, Зеленин, Кисляк, Конюшенко

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, полупроводниковых, приборов

Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов, включающий нанесение алюминия в места формирования контактов, создание контактных площадок и присоединение золотого вывода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов путем исключения образования интерметаллических соединений, на слой алюминия дополнительно наносят пленку алюминия с добавлением сурьмы в количестве 0,1-0,5 вес.% и после присоединения вывода контакты обрабатывают в среде водорода при температуре 623-723 K в течение 0,25-4,0 ч.

Номер патента: 1268001

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Канищев, Куксо, Петрунина, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, мдп, схем

Способ изготовления МДП интегральных схем, включающий формирование на полупроводниковой подложке со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации в две стадии путем нанесения тонкого слоя металлизации и слоя металлизации до требуемой толщины методом магнетронного распыления, формирование рисунка элементов металлизации с помощью литографии и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа изготовления и улучшения электрофизических характеристик МДП интегральных схем, нанесение слоя металлизации на первой стадии осуществляют методом магнетронного распыления при температуре подложки от 453 до 493 K, плотности мощности разряда...

Номер патента: 1292627

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Петрунина, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: моп-интегральных, схем

1. Способ изготовления МОП-интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации на основе алюминия и кремния, формирование элементов металлизации и термообработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров, в слой металлизации дополнительно вводят фосфор при следующем соотношении компонентов, мас.%: Фосфор6·10 -6 - 4·10-2 Кремний10-15