C30B 29/06 — кремний
Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния
Номер патента: 1565088
Опубликовано: 20.12.2005
Авторы: Байцар, Воронин, Красноженов, Мустафин, Островская
МПК: C30B 25/00, C30B 29/06, C30B 29/62 ...
Метки: выращивания, кремния, кристаллов, нитевидных
1. Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния для струнных резонаторов в вакуумированной кварцевой ампуле, содержащей исходный легированный бором кремний, добавки золота и оксида бора, путем переноса паров галоидом из "горячего" конца ампулы в "холодный" при постоянной температуре "горячего" конца и снижении температуры "холодного" конца в процессе выращивания, отличающийся тем, что, с целью увеличения механической прочности кристаллов, в качестве исходного кремния берут кремний, легированный бором до номинального удельного сопротивления 20 Ом·см, в ампулу дополнительно вводят медь с концентрацией (2,54-2,64)·10-3...
Способ получения высокоомного кремния
Номер патента: 1331140
Опубликовано: 10.06.2007
Авторы: Вербицкая, Гринштейн, Гучетль, Еремин, Соболев, Строкан, Шек, Шлимак, Шокина
МПК: C30B 29/06, C30B 31/20
Метки: высокоомного, кремния
Способ получения высокоомного кремния, включающий облучение нейтронами слитка кремния р-типа проводимости и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью получения кремния с удельным сопротивлением, превышающим 50 кОм·см, контрольную часть исходного слитка кремния отжигают при температуре, соответствующей температуре отжига радиационных дефектов, и измеряют в ней изменение концентрации электрически активных центров N, причем для облучения используют слитки с величинами концентрации акцепторной примеси на торцах и