Способ получения сверхпроводящих пленок

(51) ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНВЕДОМСТВО СССР(ГОСПАТЕНТ СССР) Г 1 И САН И Е И ЗОБ РЕТЕ НАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ М.Б,Космьна и В.П.Сем Е.Г., Гогава Л.М., Канделаодниковые пленки(10 - 100 рамики У-Ва-Сц-О и В-Згдокл, Всесоюзного Сове- высокотемпературной ти, 1988, Харьков, кл, 3, с. ВЕРХПРОВОгии иа- сои нися к технол ческих мате ладающих в оводимость в криозлектр то- ной(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯДЯЩИХ ПЛЕНОК(57) Изобретение относитсверхпроводящих керамилов, в частности пленок, обкотемпературной сверхпрможет быть использовано Изобретение относится к технологии сверхпроводящих керамических материалов, в частности пленок, обладающих высокотемпературной сверхпроводимостью, и может быть использовано в криозлектронике для получения сверхпроводящих устройств.Целью изобретения является увеличение критической температуры сверхпроводя щего перехода.Предлагаемый способ реализуют следующим образом.Определенное количество синтезированного В-ВТСП стехиометрического состава перетирают в агатовой ступке, затем смешивают его с 10-процентным водно- спиртовым раствором (например, 5 г Вке для получения сверхпроводящих устройств. Целью изобретения является увеличение критической температуры сверхпроводящего перехода. Для этого приготавливают водно-спиртовую суспензию из порошка сверхпроводящего состава (В)- Яг-Са-Со-О) фракции 1 - 5 мкм с добавкой перекиси серебра в количестве 10-25 мас, ;ь, суспензию наносили на подложку из ортоалюмината иттрия, сушили ее на воздухе и проводили обжиг путем нагрева на воздухе со скоростью 90-100 С/ч до 845-865 С с иэотермической выдержкой в течение 30- 75 мин и последующего охлаждения со скоростью 45 - 90 С/ч, Критическая температура сверхпроводящего перехода пленки составляла 90 - 97 К, микротвердость пленки составляла 1,0 - 1,3 ГПа, 1 табл., 1 ил,ВТСП и 20 мл раствора), дают смеси отс яться 2 мин, затем раствор с неосажден мелкой фракцией сливают в бюкс. а оставшийся осадок снова смешивают с 15 мл 10 ;ь-ного водно-спиртового раствора и повторяют операцию осаждения максимально крупной фракции, сливая последовательно оставшуюся суспензию с взвесью мелкой фракции в исходный бюкс, После отстаивания суспензии в течение 3 ч раствор сливают, а мелкую фракцию ВТСП просушивают, Размер зерна такой фракции б - 1 - 5 мкм.Рассчитывают навеску мелкой фракции В 1-ВТСП и А 9202 по формуле, например, для состава В 25 г 2,БСаолСц 20 з (В 2-ВТСП): (1- х)ВЫг 2,БСаоБСО 20 в + хА 902 (В 123 г 2,БСао,5 Сц 20 в)1- х (А 9202)х при опреде;,1610801 Формула изобретения Свойства сверх проводящих пленок, полученных по заявленному способу и поспособу-прототипу,Способ (пример) Температ. обх ига, С Скорость Скоростьнагрева оклажд град/ч град/ч Соле рж;наполнит,АггО г,мас. % Время выдержки, мин Ха акте истика пленок Тс ТС) 1 К микротвердость,ГПаСпособ прототип (поткжкя моно. 11 ет Нет Нет Не определялиданпых данник кристалла4 ггО 3 лениизначении х 10 мас;6х25 мас. ), т, е. в случае, например, х= 20 мас.,5 Ацг 02 берут 0,2 г АцгОг и 0,8 Вг-ВТСП на 1 г смеси 812-ВТСП (АцгОг). Эту смесь смешивают в 20 мл 10 -ного водно-спиртового раствора, взбалтывают суспейзиюи помещают в нее полированную подложку иэ монокристалла УА 103 определенной ориентации и конфигурации, на которую осаждают зту фракцию в виде тонкого слоя требуемой толщины (20 - 300 мкм),Образцы с нанесенным ВТСП укладывают на платиновую лодочку, высушивают на воздухе при комнатной температуре и помещают на печь типа КОс автоматически регулируемым режимом нагрева и охлаждения, нагревают до 858 С на воздухе со скоростью 100 С/ч, выдерживают 60 мин при выбранной температуре, после чего охлаждают до комнатной температуры со скоростью 45 С/ч.Примеры выполнения способа по сравнению с прототипом приведены в таблице. На чер 7 еже показана характерная кривая сверхпроводящего перехода для пленки, полученной предложенным способом.5 Способ получения сверхпроводящихпленок, включающий нанесение суспенэии порошка висмут-стронций-кальциевого купрата на подложку, сушку и последующий .обжиг, отл и ч а ю щий с я тем, что, с целью 5 увеличения критической температурысверхпроводящего перехода, в порошок вводят добавку перекиси серебра в количестве 10-25 мас. , используют подложку иэ монокристалла ортоалюмината иттрия, а обжиг проводят путем нагрева на воздухе со скоростью 90-100 С/ч до 845-865 С с изо.метрической выдержкой в течение 30 - 75 мин при максимальной температуре и последующего охлаждения со скоростью 45- 90 о С/ч. Плотные, прочно птегглениые с подложкой пленки,содержат статистичи.ки раснрсделенныс металлпческиЕ включения размером 5-4- О мкм толщина пленок 20-300 мкм. Разброс сопротивленияпо сечению 1 О %1610801 Составитель Н.СоболТехред М.Моргентал Редактор ст рек аз 1967 ВНИИП роизводствен Тираж Подписноесударственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 ательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарин б,Ю,