Способ изготовления радиопоглощающих пленок

(5)5 ОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАН А 8 ТО РС КО 1 У"1БРЕ НИЯ ИДЕТЕЛ ЬСТ 8 троител ьно-дозыкин ыхдиотехнически, М,: Воениздат онких пленок в, 1963, с.12. Изобретфизике, в чапокрытий,поволны,Цель изопокрытия, раемых волн, уния покрытия Спосо разом,Диэле камеру ус но, что вн ских ион изменять на неско внедренн лантации х)= рика цио каче где Гч - пробег; ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(56) Великанов В.Д. и др. Расистемы в ракетной технике1974, с.225 - 226,Холланд Л. Нанесениевакууме, М.: Госэнергоизда ение относится к техническои стности к способам получения глощающих электромагнитные ретения - улучшение качества ширение диапазона поглощарощение технологии нанесесуществляется следующим обктрик помещается в вакуумную орителя ионов металла. Известедрение ускоренных металличеов в диэлектрик позволяет его поверхностное сопротивление лько порядков, Распределение ых атомов в диэлектрике при имг)- имеет вид кривой Гаусса:1 х - Г 4)об люенс ионов; В, - проективный - дисперсия пробегов. Положение 1810942 А(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РАДИОПОГЛОЩАЮЩИХ ПЛЕНОК(57) Использование: в радиотехнике. Сущность изобретения: диэлектрик толщиной, равной четверти длины волны, обрабатывают пучком ионов металла, ускоренных до энергии 10 х 1000 кэВ, дозой 1 х 10 см 2. Кроме этого, обработку диэлектрика осуществляют ускорителями с разной энергией ионов, 1 з.п,ф-лы. максимума распределения определяется энергией иона и веществом диэлектриков, Таким образом, внедряя, например, в ВаТ Оз ионы А с энергией 10 кэ В, получак)т проводящую пленку на глубине 300 - 400 А, Нижний предел энергии ионов 10 кэВ обусловлен влиянием поверхности на процесс имплантации. Для ионов с энергией ниже 10 кэВ сильное влияние оказывает состояние поверхности. Верхний предел энергии .обусловлен трудностями в создании ускорителей с энергией выше 100 кэВ.Сопротивление поверхностного слоя определяется дозой внедренных ионов, Величина сопротивления зависит от сорта16 -2 ионов и вида диэлектрика, Доза 1 х 10 см соответствует минимальному поверхностному сопротивлению.При дозе 1 х 1019 см .в обьеме диэлектсоздается большое количество радианных дефектов, которые снижают ство покрытия,1810942 Формула изобретения Составитель СЛлотниковТехред М,Моргентал Корректор Н.Кешеля Редактор Заказ 1449Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035,Москва,Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Используя ускоритель ионов с изменяемой энергией или несколько ускорителей с разной энергией, создают многослойные покрытия, имеющие широкий диапазон поглощаемых волн. Так, например, ионами с энергией 10 кэВ создают проводящий слой в диэлектрике на глубине 300 - 400 А, ионами с энергией 100 кэВ - слой на глубине 4000-6000 А, а ионами с энергией 1 МэВ - слой на глубине 3 - 6 мкм, Таким образом, создают покрытие с тремя проводящими пленками.Введение легирующих примесей в материалы позволяет в широких пределах управлять их свойствами. Метод ионной имплантации является универсальным способом введения легирующих примесей, позволяющим вводить любую примесь в поверхность любого материала при комнатной температуре в строго контролируемом количестве.Один из основных преимуществ ионной имплантации заключается в неравновесной природе процесса. В случае ионного легирования атомы инжектируются за счет кинетической энергии ионов, намного превышающей энергию связи атомов в решетке. Благодаря этому ограничения, накладываемые законами термодинамики, снимаются и открывается уникальная возможность получения смеси из любых элементов. Другой важной особенностью метода является возможность задания любой конфигурации концентрации примеси, 5 Метод ионной имплантации полностьюснимает проблему адгезии между покрытием и металлом и пористости покрытия, Имплантация металлических ионов в диэлектрик позволяет изменять его поверхностное сопротивление на несколько порядков, Методом имплантации металлических ионов в поверхностном слое диэлектрика толщиной в четверть длины волны создается проводящий слой с необхо димым волновым сопротивлением. 1. Способ изготовления радиопоглоща ющих пленок, включающий воздействие надиэлектрический материал частиц металла, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества, йа диэлектрический материал направляют пучок ионов металла, ускоренных о энергии 10 - 1000 кэВ дозой 1 х 10 - 1 х 10 см 2.2. Способ поп 1,отлича ющийсятем, что пучок ионов металла последовательно ускоряют до энергии в диапазонах 30 10-30 кэв, 30-100 кэВ, 100-1000 кэв.