Архив за 1992 год

Номер патента: 686533

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Молчанова, Пухова

МПК: H01F 1/10, H01F 1/34

Метки: материал, ферритовый

...который отлицается отизвестного тем, цто он содержит компоненты в следующем соотношении,вес,4:Окись иттрия 19,26-30,71Окись тербия 0,22-1,08Окись гадолиния 18,00-30,92Окись алюминия 0,61-3,00Окись индия 1,32-8,16Окись железа ОстальноеПредложенный ферритовый материалимеет следующие свойства; намагниценность насыщения термостабильная в+8 гдиапазоне температур -60 до +Вл С11"3 850-1300 гс, порог нестабильности спиновых волн, Ь Н 11-0 эширина линии ферромагнитного резо"нанса, Ь Н 25-80 э диэлектрическиепоте;,и, р 1 1.10-ф, магнитныеП р и 1 л е р 1, Полуцение ферритового материала согласно изобретениювес."ь:2 ЪтЬ.,л, О,22Ос 1 18,00А 1 г" з О, 6",32Исходные компоненты смешиваютмокрым способом, обжигают при температуре...

Номер патента: 1093214

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Ефременко, Маликов, Разгильдеев

МПК: H02K 15/12, H02K 5/136

Метки: взрывозащищенный, электродвигатель

...другой лобовой частивыполнен по Форме контура ротора ивала со стороны другой лобовой части.На Фиг,1 изображен взрывоэащищенный электродвигатель; на Фиг.2 - про"цесс заливки обмоток изоляционнымматериалом; на Фиг.,3 - паз сердечника статора с уложенной обмоткой; наФиг.ч - изоляционный элемент.Вэрывозащищенный электродвигательфиг.1) вклюцает корпус 1, статор собмоткой 2, ротор 3, вал 1 подшипниковые щиты 5 и 6, коробку выводов7 с крышкой 8 и токовеЛущими элементами 9, изоляционный элемент 10, обмотки 2, залитые изоляционным мате"риалом 11, Белицина оставшегося внутреннего свободного объема определяет-,ся конструктивно-технологическим зазором 12 между статором и ротором.Изоляционный элемент 10 выполненпо Форме контура ротора 3 и валац со...

Номер патента: 1445433

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Антонов, Гришин, Котов

МПК: G02F 1/33

Метки: излучением, оптическим

...гт т т.т гт В 11 и, ет т тт гв гт г тг 1 тт к т г я р Р Г П 1 О;Тят,1 т Г,тгйавангтг 1 К гКК., К;соот 1 тетственно. Угол мкйпдуК к и П, ОЯВЕИ и т 11 ДЯВЛзнил ЯкУГтиБЭческих Волн 2 " 6 совпадают с направЛЕ 1 ИЯ:11, ИСХО 1 в 1 Готе ИЭ ЦЕНТРЯ ПРЯВИЛЬного И-угольИха к его Вершинам (ВтЯ ип ат 1 1 г УтЯ Е : ) ),К У С Т ИЧ Е С К ИЕВЕ;1 т т , О.,., Ч а ССОВПЯДЯЮТтг И Вт 111 ГТСЛ ИХ ПРОДОЛЖЕНИЯМИСООТЯ - ТСЧВС 110 СВОРЙ НУМЕОЯЦИИ) о 1 ЯграВЛЕ 1 тя ВЕКТОООР Г, Выбря 11 Ы Тяк еЧтобю 1 а 1 ттватЛЕНЦ 2 - 6 ИСХОДИЛИ ИЗгч1 а Ц 1 СОЗ - (Х - 1) (т)1 где 1 - номер акустической волны, соответствующей направлениям распространения волн (ь 1, 2, 3, 4, 5). Величины оптических волновых векторов К; равны между собой, т,е,К,21 йпК= - агде и - пока" Ватель...

Номер патента: 1149789

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гаштольд, Камбалин

МПК: G11C 11/40

Метки: варианты, его, запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...подложкеодного тийа проводимости (55)иг.1)распопожены дигон,узионные области 2другого типа проводимости. ььа полупроводнь(ковОЙ подложкР с частичнымперекрытием одних краев областей 2рас.по 5 ьояен диэлектрическии слОи51 а ПОДЛОЖКЕ РаСГ 5 ОЛО 515 ЕНЬЬ ДИЭЛЕКтРИческий слой ьь с перекрытием краевОбластеи 2, а на нем - диэлектрический лОЙ 5. Оба этих слоя образуютзатворный диэлектрик, На затворномдиэлектрике находится проводящийэлеьтрод, состоящий из двух полупроводниковьх слоев 6 и 7, расположенных друг на друге и образующих р-г 5- переход Второй вариант (59 иг,2) отличдРтся От первого тРИ чтО полупроводниковые слои, образующие Р-л-переход, 1 ьасположены смежно Отььосительно друг друга.Рассмотрим .работу элемента памяти,огда...

Номер патента: 284778

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Петров, Титова

МПК: C01G 49/00, C30B 29/28

Метки: висмут-кальций-железо-ванадиевых, выращивания, гранатов, монокристаллов, общей, основе, ферромагнитного, формулы, шихта

...насыщения не превы шает 600 гс, а ширина линии Ферромагнитного резонанса не менее 1 э. Но известный материал обладает низ" ,кой намагниченностью и широкой линией Ферромагнитного резонанса,Для получения монокристаллицеских составов со значением Х, равным 1,38"1,46, увеличения намагниценнос ти и сужения линии Ферромагнитного резонанса, исходные компоненты берут в следующих соотношениях, вес.Ф: В 10 19,43-8,09СаСО 13,07-17,53Ре 0 34, 80-38,61Что з 5,95-8,79РЬО 26,75-26 98П р и м е р. Исходные компоненберут в соотношении, вес.4:В 1. 08,09, СаСО17,53, Рео з 38, 61;8,79, РЬ 0 26,98, Подвергают их випомолу и полученную смесь помещаюпечь для выращивания монокристаллПодъем температуры осуществляют сскоростью 150 С/ч до 1250 С/ч с...

Номер патента: 1329419

Опубликовано: 15.07.1992

Автор: Антонов

МПК: G02F 1/33

Метки: излучением, оптическим

...пьезопреобразавателей -. 2 :. ер на котоРые поцают УпРавлЯюЩийВысокочастотный сигнал одинаковоймощности, вазбуждарт сдвиговыеакустические Волны одинаковой амплитуды ня частоте 25 ИГц с поляризацией по 1.110 р распространяющиесяпараллельно в направлении 1101. Вячейку 1 направляют неполяризованное оптическое излучение 6 с длинойволны 3 =063 мкм. Любое неполяри- / 5)зованное излучение можно представитьв виде двух компонент с взаимно ортогоняльньее(и плосксстями поляризации,Для каждой из них существует свойуголБрэгга. Иаправление распространения оптического излучения ц акустие ееческой волны В каждой ячейке задаюттаким Образом, чтобы они 6 ыпи ориентцРОВаНЫ ОТНСЕГНТЕЛЬЦО ДРУГ ДРУГа ПОДодним из двух углов Брзггя. При дифракцци оптического...

Номер патента: 1452052

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гуральник, Максимов, Михайлова, Мосель, Розанов, Соловьева

МПК: C03C 3/066, C03C 3/093

Метки: головок, магнитных, стекло

...неровностей высотой 0,1-0,2 мкм на поверхности Ферритовых магнитопроводов в рабочем с зазоре в процессе его формирования, мин, 20-30; скорость увеличения высоты неровностей микрорельефа поверхности магнитопроводов Ч 10 мкмlмин, С 6,67-10,00, 2 табл,ратуры начала размягчения Т и дефор мацни Т , микротвердость по Виккер су Н, температура растекания Т при которой краевой угол амачиванияосоставляет 15 С, продолжительность выдержкипри температуре растекания стекла до появления неровностей высотой 0,1"0,2 мкм на поверхности ферритовых магнитопроводов в рабочем зазоре в процессе его формирования; скорость У увеличения высоты неровностей микрорельефа поверхности магнитопровода. кла синтезируются в платиновомпри 300 С,а 10,т 30 6.,6730...

Номер патента: 412748

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Пухова, Сочивко

МПК: C01G 49/00, C30B 29/28

Метки: граната, материал, основе, термостабильный, ферритовый

...с понидени ем температуры иэ-за приблидения к точкам компенсации.1(ель изобретения - сохранить намагниченность на уровне У-ГЙ резко снизить значение Ь Н, сместить точки компенсации в сторону низких температур и повысить термостабиль-; ность при низких температурах.Это достигается тем, что компонен ты шерритового материала берут в сле дуюцих соотношениях, мол.3: 5 О 412748 А 1 Н смешения точки торону низких температермостабильности при урах исходные компонено ующих соотношениях, мол. 4 1 251,25-6,25 58,75-3,75 го состава дает выиг льности Аплод в диг 5 . 100 д С до лю. 150- Н в том же диапазоП р и м е р. Синтез материала ведут по окнсной керамической технологии. В качестве исходных компонентов используют окислы т. Омарки "о",...

Номер патента: 1570476

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Винценц, Сизов

МПК: G01N 25/18

Метки: металлов, полупроводников, температуропроводности

...образцаосуществляют вне нагреваемого участка, т,е, аг , где а - радиусгауссового распределения интенсив- ЗОности греющего луча, Расстояше ггыбирают иэ условия аг5 а. Внутрп этого интервала расстояний болеепредпочтительными являются значенияк о (1,5-3,0)а, посколькУ пРи мень 35ших значениях то начинает сказыватьсяконечная длительность импульса и конечный размер зондирующего пятна (ведет к потере точности определенияМ),а при больших расстояниях г значительно уменьшается максимум Фототермического смещения поверхности,образца, что приводит к уменьшению вы-ходного сигнала. В результате поглощения части импульсного излучения в 115нагреваемой области образца 13 происходит импульсное Фототермическоесмещение. поверхности с частотой повторения...

Номер патента: 1335026

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Андреева, Закгейм, Михнович, Обухов, Родионова, Харинская

МПК: C04B 35/26, H01F 1/34

Метки: акустоэлектронных, материал, устройств, ферритовый

...Ь./насф.а увеличение его выше 1,5 мол.7. - к1росту затухания.Уменьшение содержания СггО ниже0,5 мол.7- обуславливает ухудшение спекакия Феррита и снижение ТКЗ, а увеличение выше 5,0 мол,7, вызывает ростпроводимости Феррит, способствующей прямому прохождению сигнала в линиизадержки, и, следовательно, приводитк увеличению с 6 с ростом частоты,Вьгбранные пределы содержания окисижелеза обусловлены тем, что выше50 мол.7. в феррите будут присутствовать ионы двухвалентного железа ГегПоследние в присутствии ионов кобальта создают направленное упорядочениеионов гсе - Ге и ионов Со - Сог+ ччтд приводит к торможению движения доменных границ, а следовательно, и кснижению коэффициента .управленияа "/" насУменьшение содержания ТегО ниже45 мол.Е...

Номер патента: 961468

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Антонов, Миргородский, Проклов

МПК: G02F 1/33

Метки: излучения, оптического, отклонения

...в ячейке, можно перестраивать угловое положение дифрагированного излучения, при этом рабочий интервал углов будет определяться рабочим диапазоном Ь Г изменения частоты акустических волн, а число И разрешенных состояний - соотношениеми = Ьг(2)где Ф - время пробега волны по апертуре 1 звукопровода.На фиг,1 б иллюстрируется способотклонения оптического излученияс помощью и акустооптических ячеек(для упрощения и = 2) 3 и 4, Акустооптические ячейки 3 и 4 имеютзвукопроводы из одного материалаи расположены в ряд так, что их оптические входы находятся в одной.плоскости. Длины 1 и 1, звукопроводов акустооптических ячеек 3 и 4,а также расстояние 1 между концомзвукопровода ячейки 3 и входнымторцом звукопровода ячейки 4 выбраны так, что 1...

Номер патента: 1336765

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Антонов, Котов, Лисовский

МПК: G02F 1/09

Метки: каналов, магнитооптический, оптических, переключатель

...для пластин, вырезанных перпендикулярно оптической оси, угол 6 между ОЛН и поверхностью составляет - 40 . Для обеспе" чения поворота плоскости поляризации света на ф 45 толщина пластин согласно формуле (1) должна составлять1 мм. Иэ-эа большого поля одноосцой ацизотропии (Н 7 10 ) пластины ортоферритов обычно находятся в монодомеццом состоянии. Козрцитивную силу пластин выбирают в пределах Н,=10-20 3 и регулируют известными технологическими методами. Фиксированные ротаторы 3 и 5 могут быть выполнены в виде плоскопараллельиых пластин, аналогичных описанным выше пластинам, используемым в управляемых ротаторах 2 и б, за исключением того, что коэрццтивная сила материала, цэ которого оци изготовлены, должна по меньшей мере в десять раэ...

Номер патента: 1159447

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гладких, Камбалин, Сайбель, Титов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...изобретения явпяе)слкение надеяности элемента пампт - ,сцет умень)ения колицеств:1 .ро 1при программированииЦель достигается тем, цто зле"мент памяти для постояннсго зас):ни .:ющего устройгтва, содер(аы Й по/ /г)(.ВОДНИКОВуО ПОдЛОжКу р-тИПа г р:. Во,) Иэ приповерхностнсм слое кото)О )гсГ)эло(ены три Области и-типаГ;ег) г)мост 4, на повер)п;Ости полу;)., "-л 4 КОВ)эк г)0/;.Г 30 к Расг)оло)4(ены,г 1 ЬЕ: Обестй П-тИПа Г)рОВОДИМОСт Г;( тЙ) диз пе кт рице сии Й слОЙ ра с, г,г , гЕ)Г)/у ГЕ ВОЙ и ТОРОЙ Обг)ВС,-г);с цг), гр) Оо.п;)ст 2,3 и- -,) ;г) -), 1,; ЛОЛУ и ровод"30.3-Г)жко Р:3 г).ГЭ)(Э ДИЗЛЕКтРИ, гЙ(. ЦастИЦНЫМ ПЕ 8 КРЬГГИ,) ЛП ( ".-:,.:, "г. р)Е)(Ду ОбЛа СТ яМИ 2-) 3 .)Еи 4( 441 ГРИ)гЕр, ИЗ ДВугз Н,4 П, НИ Грнда КРВМНИЛ р Дву"Си гзмн П...

Номер патента: 704373

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Галактионова, Петров, Шильников

МПК: H01F 1/10, H01F 1/34

Метки: материал, монокристаллический, ферритовый

...окись железа, окись висмута, окись кальция,Изобретение относится к монокристаллическим Ферритовым материалам,которые используются для разработкии создания твердотельных Ферритовыхприборов дециметрового и метрового.диапазона длин волн, в частностиФильтров. Йерритовые монокристаллы,применяемые в этой области, должныобладать следующими свойствами:мала величина намагниченности насыщения (4 йр 1,малое поле магнитной кристаллоузкая линия Фернанса ЬН)однородность линии Ферромагнитного резонанса в рабочем диапазоне частот (отсутствие паразитных резонансов, вызванных магнитной неоднородностью монокристаллических образцов).Известен Ферромагнитный материал,. ьиеющий следующий состав, вес.ь: окись ванадия ил и ч а ю щ и йцелью обеспеченинитных...

Номер патента: 1279348

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Антонов, Ветошко, Китаев, Пантин

МПК: G01M 11/02, G02B 6/00

Метки: волны, волоконного, длины, отсечки, световода

...и съемный якорь 17, Панерхнасти прокладки 16и якоря 17, обращенные друг к другуе . выполнены шероховатыми.Данный способ осуществляют с помощью описанного устройства следующим образом, Оптическое излучение с перестранваемай дницой волны света в диапазоне отда 71 с выхода нсточ 1 2ника 1 с помощью модулятора 2 после 1279348довательно но времени прерывают счастотой Е,. С помощью оптическойсистемы Э это излучение вводят н отрезок исследуемого световода 4, который на некотором участке своейдлины помещен между прокладкой 16и якорем 17 блока. В обмотку 15 блока 6 от генератора синусоидальногонапряжения подают переменный ток счастотой Е /2. При этом осуществляется переменное во времени сданлинание участка световода 4 с частотойЕ,...

Номер патента: 1279492

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Андреева, Елисеев, Меркулова, Михнович, Обухов

МПК: H03H 9/30

Метки: задержки, сигнала

...устройства по авт.св. Р 1194244,ЦельГо изобретения является повышение эФФективности работы устройстваИ ЕГО ГИНИатЮРЦЭа)ТИЯ,Ва Фиг, 1 изображен обший видОпись)ваемого устройства; на Фиг, 2показано распределение силовых линий магнитного поля в устройстве цамагнитоупругих поверхностных волнах. 1 дУстройство задержки сигнала намагнитоупругцх поверхностных волнахсостоит из двух параллельно расположенных магнитострикционных эвукопроводов 1 и 2, двух преобразователей 2 О3, 4 повевхностно-активных волн ме"андрового типа, нанесенных на одиниэ эвукогтроводов, и двух постоянныхПЛЕНО)ЛНЫХ МаГНИТОВ 5, 6, раСПОЛОжЕН 25ных в зоне преобразователя на нерабочих поверхностях звукопроводов симметрично Относцтельно преобразователей, Постоянные магниты...

Номер патента: 1012701

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Камбалин, Кольдяев

МПК: G11C 7/00

Метки: записи, запоминающий, информации, мдп, структурах, элемент

...подложки. Поскольку растекание заояда в таких структурах происходит по направлениюк полевому электроду, то и время хракения его уменьшится пои повышении темпе ратуры, при которой прои сходит запись. Это является недостатком известного способа записи инФормации в запоминающий элемент на ИЛП-транзисторах.Целью изобретения является повышение надежности записи за счет увеличения времени хранения записанной инФормации,Цель достигается тем, что в способе записи инФормации в запоминаю" щий элемент на ИЯП-структурах ос" нованном на инжекции основного заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИРП-транзистора, осуществляют дополнительную инжекцию заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИДП- транзистора, создающего заряд 1 О з =...

Номер патента: 707446

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Герасименко, Калиников, Камбалин, Федченко

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, областей, разделительных, создания, схемах

...между транзисторами областями полу 2ОЗДАНИЯ РАРДЕЛИТЕЛ ТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ, ии окисления и ных областей пления, о т л и ч а юто, с целью упрои повышения степеред нанесением пле производят ионное л элементов 111 или Ч ой системы с до-"з на глубину, не ину толщины окисРедактор О. Рркова Техред М.Иоргеятап КорректоР Н.шешеля Заказ 2821 Тираж ГодписноеВНИИПИ Государственного комитета по. изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 704466ления при 1100 оС до толщины 0,8 мки. Распределения ионов проникал глубже,Облучение слоя окисла производят иона- чеи на половину толцины слоя БхОии бора с энергией 50 кэр или фосфо- Приведенные...

Номер патента: 1407373

Опубликовано: 15.07.1992

Автор: Верховский

МПК: H02M 1/08

Метки: последовательно, соединенными, тиристорами

...и удерживаютприложенное к ним напряжение. Еслигенератор 11 импульсов не генерируетцмпульсь, то напряжение Е распределяется между тиристараминеравномерВследствие разброса токов утечкитиристаровчасть их окажется подбольшим напряжением ,(фиг.- 2 а),а часть " под меньшим напряжениемьв ьь (Фиг 2 б)4 П 7873 Если приложенное к тиристору напряжение превышает максимально допустимый уровень, тиристор выйдет иэ строя. Во избежание этого производит(ся принудительное выравнивание напряжения между последовательно включенными тиристорами 1. Для этого в момент 1 генератор 11 импульсов .начинает генерировать импульсы с перно" дом следования С, причем момент 1, может и предшествовать моменту ,.После включения в моменттиристора 7 напряжение заряда...

Номер патента: 1468211

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Алешин, Власов, Ещин, Иванов, Тынкевич

МПК: G01R 31/34

Метки: асинхронных, параметров, электродвигателей

...и выхода координатного преобразователя 6 тока статора сигналы по" ступают на вход блоке 8, обеспечивающего определение значения индуктивности 1. цепи намагничивания йсследуемого электродвигателя 15 в соотнетстнии с ннниснмостнми1. - (А + (Ааре ),Вф" 2 а ( 1)а+(4 1)ф. где Ь, - индуктивность рассеянияобмотки статора;А, В - постоянные, определяемыеформой кривой намагничивания.С выходов блока 8 определения индуктивности цепи намагничиваний, координатного преобразователя 6 тока статора сигналы поступают на вход 10 блока 9 определения тока намагничивания, определяющего значения составляющих тока намагничивания н соот" ветствии со следующими эависимостями; 15Ъ Ь 1 Ы,Ъй Ь 1 199Фф -р ЬСигналы с выхода блока 9 определения тока намагничивания и...

Номер патента: 1586074

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Максимов, Михайлова

МПК: C03C 3/074

Метки: головок, магнитных, спаивания, стекло, элементов

...синтезируют в платиновом тигле при 1100 ОС.В табл,1 приведеныкол, а их свойства пртабл,2.Применение легкоплавкого стекла,характеризующегося существенно бома гннтньдх головок для Лцсконых накопителей вычислительных устройств,Целью нэобреч едддд., является поньппениемикротнердости, щелсдчестойкости. Дляэчого стекл( ддля спаивания элеменчовддад дддддддых головок включает, мас.Ж:РЬО 49,2-Гч 1,08, Вд.О, 17,0-19,5; ВО з8, 0-1 1, 2; А 1 20 з О, 2-64; 7,ддО О, 020,5; дН(д,.О 1,5-4,0; 1 0 1,3-2,8;С(10 0,2-11,9; Сдд, О0,02-15,0; СиоО,ОГ)1-1,0, Мпкроднсрдосдь стекла480-507 кГс/мдд , ше:д(дчесд од 1 кость к1-ме дровому д(идоддддему раствору углекислого дддд дрддд 30 мин (период времени до обрдэ(дддлдддя матового налета),лее нысокой твердостью...

Номер патента: 308650

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Болотина, Бондаренко, Рекстин, Ушаков

МПК: F04D 17/06

Метки: вихревая

...соотноиен стц в ые и выполнениит обеспечитна колесоасти.изображенг,2 - меридБ, В-Ви Гихревгя маши безударный о всей длинеШ общин вид ианальные Г на фиг. масече 1. в нета пери площадь рас меридианаль канала; площадь исхнального сеобщий массо триваемогоо .ечения дного меридиаения канала;ый расход;(З) 621.Б 1 (08,: напримерналом междув нем раа ю щ а ябеспеченияна колесо части, ллоения канала в тангенци- оответствии площадь рассматри о меридианального с канала;площадь исходного меридианального сечения канала; общий массовый расход; среднерасходнце скорости.вканале;плотность рабочей ды в рассматриваемом меридианальном сечении;плотность рабочей среды в исходном меридианальном сечении,- среднерасходн скороканале;- плотность рабочей среды...

Номер патента: 1354798

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Абаренкова, Иванова, Саенко, Харинская, Шильников

МПК: C30B 29/22, H01F 1/10

Метки: кристаллический, материал, ферритовый

...порошок измельчают в вибромелькице, после чего из него прессугот таблетки диаметром 5,8 мм и высотой 8 мм. Таблетки обжиГают при 1300 С в потоке азота.Выращивание мококристаллов производят модифицированным методом Бриджмека, позволягошим получать крупногабаритные и однородные кристаллы диаметром 50 мм и длиной 100 - 150 мм. Температура выращивания 1620-1640 С,о скорость выращивания 2 мм/ч, температурный градиект в зоне роста -10 град./см, давление кислородао ,1 атм, скорость охлаждения по 50 С/ч до 1200 С и 25 С/ч от 1200 До 300 С. Состав кристалла (лгас.%) определяется микроректгекоспектральным анализом, а содержание оксида железа (111) химическим анализом; 4798 2МпО 16,8ЕпО 12,9РеО 2,3Ре 0 67,8Полученный материал имеет следующие...

Номер патента: 1473587

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Ерастова, Закгейм, Клюева, Ососкова, Понкратьева, Тетеревенков, Чернов

МПК: H01F 1/34

Метки: магнитострикционный, материал, ферритовый

...что соответствует современнымтребованиям,Формула и э о б р е т е н и я1. Иагнитострикционный ферритовыйматериал на основе оксидов железа, 0,25"0,54 0,29-0,49 0)99-2,91 2. Способ получения магнитострик" ционного Ферритового материала,включающий смешение и помол оксидов же-: леза, никеля, кобальта, Ферритизаций, шихты, ее измельчение с одновременным введением глазури, прессование, спекание, о т л и ч а ю щ и й с я тем, Что) е целью повышения стабильности параметроМ материала относи- з тельно уровня возбуждающего сигнала коэффициента магнитомеханической связи и механической добротности при сохранении их термостабильности одновременно с глазурью в ферритиэованный продуктво время его помола вводят оксид хрома) 3 5874никеля, кобальта)...

Номер патента: 1589796

Опубликовано: 15.07.1992

Автор: Антонов

МПК: G01R 33/032

Метки: датчик, магнитного, поля

...разрешение характеризуется числом разрешимых состояний 10 Широкополосное излучение источника 3 с помощью линзы 4 вводят В монохрома" тор 5. Монохроматическое излучение с длиной волны Л, выбранной в диапазоне длин волн Л 1- Л 2, пропускают через паляриэатор 7 и с помощью обьектйвэ 8 вводят в световод 1 датчика 9, Под воздействием магнитного поля вследствие эффекта Фара-. дея состояние поляризации оп гического излучения, распространяющегося в световоде, изменяется, При этом наиболее эффективно магнитооптическое взаимодействие для данной длины волны происходит при прохождении оптического излучения по 2 виткам световодэ, радиус й которых равен или близок значению. Определяемому выражением Л = 1(Г/В, Излучение с выхода световода 1...

Номер патента: 1589926

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Брянцева, Винценц, Любченко, Юневич

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, омических, полупроводниковым, приборам

...при малых на- пряжениях дает несколько большее, чем в примере 1, общее сопротивление В = 25 Ом.Выход за пределы рекомендуемого.оинтервала значений Е в сторону11уменьшения атой величины приводит к тому, что в области контакта остается модифицированный потенциальный барьер, Например, при Г= 1,4 10 Дж (Е = 0,28 Дж/см) вольт-амперные ха 8рактеристики диодных структур - кривая 4 на Фиг. 1 - носят асимметричный характер, относительно нулевого напряжения. Это свидетельствует о сохранении остаточного барьера в структуре металл-полупроводник,Наклон ВАХ при малых напряжениях дает н этом случай высокое общее сопротивление - 65 Ом. Дальнейший выход,из рекомендуемого интервала значений Е (Е,=1,0510 вДж, Е= 0,21 Дж/см 2) приводит к тому что ВАХ...

Номер патента: 1356595

Опубликовано: 15.07.1992

Автор: Посниченко

МПК: F01P 3/20

Метки: внутреннего, двигатель, сгорания

...4 и 5, Воэдуховпускная труба 2соединена с влагоотделителем 6, соединенным с патрубком 7 подвода воздуха из атмосферы, Выходной канал 5системы Э подключен к влагоотделителю6 через патрубок 7 и ось последнегосовмещена с осью выходного карала 5(оси на чертеже не показаны). Входной канал 4 системы Э при помощи перепускной магистрали 8, снабженнойнасосом 9, соединен с влагоотделителем 6. Насос 9 кииематически связанс двигателемДвигатель работае 1 следующим образом,При запуске двигателя 1 воздухчерез патрубок 7 подвода воздуха изатмосферы и воздуховпуекную трубу 2поступает в цилиндры (иа чертежене показаны). В этот же момент включается в работу насос 9, обеспечиваядвижение жидкости. Нагретая от по 6595 2верхиости двигателя 1 жидкость по...

Номер патента: 1746908

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Дегтярев, Дертышников, Пугачев

МПК: A01B 13/16, A01B 15/20

Метки: выглублением, конфигурации, машин, органов, почвообрабатывающих, произвольной, рабочих, склонов

...соединенный с ходовой частью машины, не создает напряжения, поэтому с .потенциометра 2 креномера, которым нагружен тахогенератор, снимается нулевой потенциал, подаваемый на интегратор 3. выход которого соединен с входом блока 4 выделения модуля напряжения. Выход блока 4 соединен с входом комп аратора 5, сравнивающего сигнал задания с сигналом выхода блока 4. Выход компаратора 5 через блок 6 задержки воздействует на реле 7,которое в статическом состоянии будет выключено, При движении почвообрабатывающей машины на выходе тахогенератора 1 появляется напряжение, пропорциональное скорости ее перемещения, которое подается на потенциометр 2 креномера, Если уклон отсутствует, то подвижный контакт потенциометра 2 находится в среднем...

Номер патента: 1746909

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Ахметов, Тукубаев

МПК: A01B 33/10

Метки: орган, почвообрабатывающий, рабочий

...кольца. Для исключенияобразования в кольце трещин, концы ступе ней сопряжены с остальной частью кольцапо отверстию 6, В полости 7, обращенной квалу 1 поверхности кольцеобрэзной пластины З,на концах 8 и 9 ступеней 4 и 5 установлены рыхлительные элементы 10 и 11.Элементы 10 и 11 установлены со смещением относительно друг друга по ширинекольца; а расстояние между этими элементами по периметру кольца определяется изсоотношения - йе- Вгде а -15 3расстояние между рыхлительными элементами; й - радиус кольца пластины ножа. Длянадежного крепления к приводному валу 1кольцо имеет уширенный участок 12.Рабочий орган работает следующим об;разом.Нож 2 имеет режущую кромку с двухсторон. При затуплении одной стороны,"приводной вал 1 вместе с кольцом...

Номер патента: 1746910

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Байметов, Насритдинов, Тукубаев, Тухтакузиев

МПК: A01B 35/02

Метки: орудие, почвы

...лапы выполненов виде двугранного клина с горизонтальнорасположенной поперечно к направлениюдвижения орудия вершиной, а другое крыло5 каждойлапы - в виде вертикально расположенной пластины. При этом обращенныедруг к другу крылья каждой пары смежныхлап установлены без перекрытия друг другав направлении, поперечном к направлениюпоступательного перемещения, Лезвие б 25крыла 4.каждой рыхлительной лапы расположено под углом к.горизонтали,Орудие для обработки почвы работаетследующим образом.При движении агрегата рыхлительные ЗР.лапы 3 обрабатывают почву по заданнойглубине, При этом крыло 4 каждой рыхлительной лапы благодаря тому, что оно выполнено в виде двугранного клина сгоризонтально расположенной поперечно к 35направлению движения орудия...