G02F 1/09 — основанные на магнитооптических приборах, обладающих эффектом Фарадея

Номер патента: 210656

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Илларионов

МПК: G02F 1/09, G03B 39/00, G03B 9/08 ...

Метки: затвор, магнитооптический

...магнитооптический затвор отличается от известных тем, что он снабжен концентратором магнитного поля из сверхпроводящего материала, сверхпроводимость которого не нарушается под действием магнитного поля. Концентратор выполнен в виде усеченных конусов, обращенных один к другому вершинами. Зто позволяет значительно уменьшить величину магнитного поля в катушке и упростить электрическую систему.На чертеже представлена принципиальная схема магнитооптического затвора,Затвор содержит наполненный жидким гелием сосуд 1 Дьюара с расположенным в нем двухконусным концентратором 2 магнитного поля из сверхпроводящего материала, прозрачный цилиндр 3, например, из тяжелого флинта, и стеклянные светопроводы 4, выполненные на увеличение или уменьшение...

Номер патента: 218317

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Дроздов, Косминский, Кузьмичев

МПК: G02F 1/09

Метки: модулятор, света

...тем, что он выполнен сплошным из магнитооптического вещества.4. Модулятор по пп. 1 - 3, отличающийся тем, что он выполнен в виде волновода или резонатора круглого поперечного сечения.5. Модулятор по пп, 1 - 3, отличающийся тем, что он выполнен в виде волновода или резонатора прямоугольного поперечного сечения. Изобретение относится к оптическим линиям связи. Оно может быть использовано для осуществления широкополосной модуляции света в диапазоне сверхвысоких частот (СВЧ),Модулятор света представляет собой прозрачное магнитооптическое вещество, помещенное в отрезок волноводной линии. Это вещество способно поворачивать плоскость поляризации проходящего линейнополяризованного луча при воздействии на него магнитного поля.Предложенный...

Номер патента: 218318

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Дроздов, Кошинский, Кузьмичей

МПК: G02F 1/03, G02F 1/09

Метки: модуляции, светового, сигнала

...способ для пе кольким каналам ах,светового передачи сстояние, кже для зашифросы моду- тспользодачи инсвязи на 5 Способ мочаюиийся те сы модулир пропускают нитооптическ 0 местив егосверхвысоко Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 16,11.1960 ( 705758/26-25 присоединением заявкиИзобретение относится к области передачи широкополосной информации на расстояние с помощью светового луча.Предложенный способ сверхвысокочастотной широкополосной модуляции света закл,очается в том, что световой сигнал пропускают через электрооптическое или магнитооптическое вещество (кристалл), которое помещают в модулирующее сверхвысокочастотное электромагнитное поле.Возбуждение СВЧ-колебаний в объемном резонаторе осуществляется от генератора СВЧ, колебания...

Номер патента: 305532

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Киевский, Тронько

МПК: G02F 1/09, H01S 3/11

Метки: излученияосгоюзнаявсь, модулятор, оптического

...по отношению к падающему световому потоку, Передняя и задняя торцовые плоскости 25 образца представляют собой неидеальные поляризующие системы, в результате чего угловая модуляция плоскости поляризации света частично превращается в амплитудную модуляцию. Увеличением числа активных об разцов, конструктивно выполненных в виде плоскопараллельных пластин, амплитудную модуляцию света можно сделать значительной.На чертеже схематически изображен фарадеевский модулятор оптического излучения с наклонными к лучу света взаимнопараллельными образцами,Модулятор состоит из подмагничивающей катушки 1, создающей управляющее магнитное поле, и наклонных плоскопараллельных магнитооптически активных образцов 2, количество которых определяется из условия...

Номер патента: 309425

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Дерюгин, Киевский, Мелищук, Союзная, Тронько

МПК: G02F 1/09

Метки: модулятор, света

...такого элемента экспериментальный модулятор на длине волны;5,39 мк имеет следующие параметры:коэффициент модуляции 40% при упрющей мощности 1 мвт; длина элементадиаметр элемента б лм при апертуре 3,полоса пропускания 100 Мгт 1; вес модул(без источника питания) 0,5 г. ез образец уча изме- изменени- действием авляд мм; о лил, ятора едмет изобретения Модулятор света,тор, магнитооптическлизатор и подмагниччающийся тем, что, сности управляющего присоединением заявки1Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к быстродействующим модуляторам светового потока, и может быть применено в системах дальномерных, локационных, самонаведения по собственному излучению обьекта и оптической связи.Известны фарадеевские модуляторы...

Номер патента: 408256

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитооптический, модулятор, света

...ортоферрита вырезают пластину в плоскости, нормальной к оптиче ской оси. Оптическая ось в диспрозиевом ортоферрите лежит в плоскости О - с и при Л=0,63 мкм составляет с осью с угол 52. В такой пластине в отсутствие внешнего поля образуется система параллельных полосовых доменов, направление которых совпадает с проекцией оси с на плоскость пластины (см. фиг. 1). Если такую пластину поместить в постоянное магнитное поле с градиентом, совпадающим по направлению с полосовыми доменами (см. фиг. 2) в пластине образуются специфические клиновидпые домены, имеющие весьма высокую подвижность вдоль проекции оси с. Это объясняется анизотропией магнитных свойств в пластине ортоферрита, вырезанной под углом к плоскости а - 6, Наложение крайне...

Номер патента: 373603

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Бюро

МПК: G02F 1/09

Метки: двупреломления, наблюдения, полярископ

...этом случае влияет как б, так и т.Если т постоянно в пределах исследуемогоучастка объекта, то наблюдаемая картина отражает без искажения распределение двупреломления. В случае же, когда т переменно,25 т. е. зависит от,координаты исследуемой точки, картина двупреломления оказываегся заведомо искаженной и требует коррекции,Для коррекции можно использовать часть немодулированной энергии сигнала, описывае 30 мой первым членом выражения (1),(2) оста в и тел ь С. Соколова4Редактор Г. Антропова Техред Г. Дворина Корректор Е. Талалаева Заказ 1739,8 ЦНИИПИ К Изд. М 1383итета по делам изобреМосква, Ж.35 Тираж 755иий и открытий при СРаушская иаб., д. 4,5 Подписное те Министров СССРТипографи пр. Саиуиова,Если вторично промодулпровать весь световой...

Номер патента: 491916

Опубликовано: 15.11.1975

Авторы: Андреева, Ванюрихин

МПК: G02F 1/09

Метки: датчик, магнитооптической, модуляцией, пизиционно-чувствительный

...состоит из поляризатора 1, токовой катушки 2, в которой заключены магнитооптически активные элементы 3 и 4 с разными знаками постоянной Верде, и анализатора 5.Известно, что в последнее время синтезировано большое количество магнитооптически активных материалов, обладающих равными вращательными способностями разных знаков и имеющих большой набор точек инверсии постоянной Верде в интервале температур от 4"К до 350"К. Поэтому можно подобрать активные элементы 3 и 4 с одинаковой вращательной способностью, но имеющие разные знаки постоянной Верде.0 Работа позиционно-чувствительного датчикасостоит в следующем.Падающее излучение, пройдя поляризатор1, становится линейно поляризованным, а затем под воздействием магнитного поля катушки 2...

Номер патента: 544927

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Антонов, Балтинский, Игнатьев

МПК: G02F 1/09

Метки: оптический, перестраиваемый, элемент

...перпендикулярному оптической оси элемента, например, в виде соленоида с функциональной намоткой.На фиг, 1 показано размещение перестраиваемого оптического элемента между приемником ц источником излучения; на фцг. 2 приведена схема пластинки прц воздействии на нее магнитного поля,Устройство содержит поляризатор 1, соленоид 2 с функциональной намоткой, исто шцк 3 питания соленоида, пластинку 4 цз магнитооптического материала и анализатор 5, Устройство устанавливается между источником 6 излучения, включающим колцматор 7, ц приемником 8 излучения. Прц включении соленоида 2 в пластинке 4 возникает аперцодическая доменная структура, имеющая чередующиеся зоны равных, но противоположных по знаку величин оптической активности 9,10,11,...

Номер патента: 673957

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Куренев, Ларченко, Миндюк, Филиппов

МПК: G02F 1/09

Метки: компенсатор, магнитооптический

...от 0 до90 необходимо иметь ряд кварцевых пластин-врашателей в количестве, например, 12шт, с номиналами, например, 1, 2, 3, 4, 5,7, 17, 30, 43, 56, 69 и 82 При этом длянабора любого угла в казанном диапазоне необходимое количество врашателей непревышает трех. Так, для компенсации углав 76 необходимо взять врашатели с номиналами 69 - 5 - 1 так, что сумма составит75.Пластины-вращатели могут изготовляться не точно, т. е. отступление азимутальных углов от номинальных значений могутсоставлять до 1 О угловых мин, Однако аттестация должна производится с точностьюдо единиц угловых секунд.Линейно-поляризованное излучение сазимутом поляризации ао, показанном напозиции 8, подается на вход магнитооптического компенсатора. По сигналам управления,...

Номер патента: 684483

Опубликовано: 05.09.1979

Автор: Петухов

МПК: G02F 1/09

Метки: датчик, магнитооптической, модуляцией, позиционно-чувствительный

...поворот плоскости поляризации излучения магнитоактивным элементом 3 при воздействии на него магнитного поля катушки 4, а 6 -угол между оптической осью полуволновой пластины 5 и плоскостью поляризации излучения, вышедшего из пластины 5,Датчик работает следующим образом. Монохроматическое излучение, пройдя поляризатор 1, становится линейно- поляризованным и плоскость поляризации его совпадает с вектором П(оптическая ось пластины 5), Затем под воздействием магнитного поля катушки 4 в .магнитоактивном элементе 3 плоскость поляризации излучения поворачивается на угол 60 (вектор Г 1 ). Так как плоскость поляризациивходящего в попуволновую пластину 5 излучения составляет угол 6 с осьюэтой пластины, то после прохождения излучения через...

Номер патента: 705406

Опубликовано: 25.12.1979

Авторы: Александров, Анистратов, Безносиков, Галанов, Эдельман

МПК: G02F 1/09

Метки: компенсатор, магнитооптический

...полированной плоскопараллельной пластинки, Грани пластинки, перпендикулярно к которьт 1 распространяется луч света, подвергнутыоптической (по 14 классу точности)полировке при плоско-параллельности+ 1 мкм.Магнитооптический компенсатор работает следукзцим образом,3 705406 илйал ППП Ужгород атент, Проектна; Когерентный монохроматический луч лазера 1 проходит через поляризатор 2, исследуемое вещество 3 (вращающее плоскость поляризации,света), рабочий кристалл 5, помещенный в магнитное поле соленоида 4, анализатор б и попадает на фоточувствительный приемник 7, полезный сйгнал которого"регистрируется индикатором 8 Поворот плоскости поляризации луча в исследуемом веществе 3 компенсируется пово-о ротом плоскости поляризации в рабочем кристалле 5...

Номер патента: 813351

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Имас, Салядинов

МПК: G02F 1/09

Метки: фарадея, ячейка

...распределениекомпонент поля я (х,о) и Н(2.,ц) дано на фиг. 2. ГраФически интегрируя Н (2 о) и используя Формулу (2), определяют радиус кривизны торцовйх поверхностей как В=3, 4 а=85 мм.Экспериментально сравниваются две ячейки, содержащие стержни с плоски ми и сферическими торцовыми поверх ностями. Соленоиды с активными стержнями помещаются между, двумя поляризаторами, развернутыми на 45 друготносительно друга. Минимальная несокращенность при варьировании напряжения источника питания для стержня с плоскими торцами составляет 6%.Нескрещенность для стержня со сферическйми торцами - менее 0,5 Формула изобретения 1. Ячейка Фарадея, содержащая магнитоактивный стержень, катушку возбуждения магнитного поля и поляриэа=15 торы, о т л и ч а ю щ а я...

Номер патента: 847248

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Жучков, Мочалов

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитооптический

...полей 11 . Наиболее близким к предлагаемому 15 по технической сущности и достигаемому результату является магнитооптические преобразователь, содержащий пластину, выполненную из магнитоодноосного оптически прозрачного мате-; 20 риала с однородными по площади оптическими характеристиками и низким значением коэрцитивной силй, источник магнитного поля смещения, перпендикулярного плоскости йластины, 25 и оптическое устройство индикации магнитного состояния пластины 2,Недостаток данного преобразователя - отсутствие возможности усиления электрических сигналов. 30ной по полю смещения), от величины поля смещения Н см.фа+ .(В см)Такими образом используя резко . нелинейную зависимость намагниченности материала 1 от величины поля смещения, а также...

Номер патента: 1112291

Опубликовано: 07.09.1984

Автор: Громов

МПК: G01R 15/24, G02F 1/09

Метки: датчика, магнитооптического, чувствительный, элемент

...при прочих условиях чувствительности датчика на волокне с линейным двулучепреломлением оказывается ниже, чем .55 у датчика. на,изотропном волокне.Цель изобретения - повышение чувствительности датчика с использованием одномодового оптического волокна с линейным двулучепреломлением.Поставленная цель достигается тем, что в чувствительном элементе магнитооптического датчика тока, содержащем выполненную из одномодового оптического волокна с линейным двулуче" преломлением катушку с витками, периметры которых равны целому числу длин поляризационных биений в волокне, укаэанные витки расположены в пространстве на поверхности воображаемого цилиндра с осью, совпадающей с направлением проводника с измеряемым током, и при развертке поверхности...

Номер патента: 1236413

Опубликовано: 07.06.1986

Авторы: Шалыгин, Штурбин

МПК: G02F 1/09

Метки: поляризованного, света, циркулярно

...поляризации - в другую, что приводит к распаду каждого из интерференционных максимумов на,цва, соответствующих б и б поляризациям. Эта ситуация изображена на фиг, 1 пунктирными линиями.Если повернуть интерферометр в положение к соответствующее мак 13 2симуму пропускания для света б поляризации, то при прохождении чЕ- рез интерферометр неполяризованного света компонента б поляризации ослабляется, а компонента б+ поляризации проходит практически без ослабления. В результате на выходе из интерферометра отношение интенсивности света б, поляризации к интенсивности света б поляризации станет больше единицы и описывается выражением-- 1 +( - 1) Ып 28 (2)локсгде 1) =-. - контрастность интерфе",иинрометра;- фарадеевский поворотпри...

Номер патента: 1277053

Опубликовано: 15.12.1986

Автор: Губарев

МПК: G02F 1/09, G02F 3/00

Метки: информационным, магнитооптического, состоянием, транспаранта, ячейки

...логического элемента в информационное состояние "1").Если к ячейке 1 одновременно с дополнительным внешним магнитным полем Нприкладывается импульсное управляющее поле Н, то происходит перемагничивание ячейки 1 в том случае, если сумма этих полей больше величины порогового поля переключения Н ,р (Н +Н;Н ). Однако, в указанном случае,цлительность; ймпульсного управляющего поля Р и величина Н; этого поля должны быть достаточно велики, чтобы обеспечить полное перемагничивание ячейки 1. В общем случае длительность импульса управляющего поля должна удовлетворять условию (Ц - х,)/Ч, с. , где х,. - минимальный радиус устойчивых ЦМД в магнитоодноосной пленке с толщиной й76 т скорость движения доменных стенок 2;- 50 - 100 мкм. При хо = 5 10...

Номер патента: 1337868

Опубликовано: 15.09.1987

Автор: Косицын

МПК: G02F 1/09

Метки: модулятор, света

...комитета СССР по делам изобретений и открытий 035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/одписно Проектная, 4 роизводственно-полиграфическое предприятие, г ор Изобретение относится к магнитооптике, а именно к быстродействующимэлектрически управляемым модуляторамсветового потока, и может быть применено для передачи и обработки оптической информации.Цель изобретения - понижение мощности управляющего сигнала путем увеличения длины взаимодействия света смагнитооптическим веществом.На фиг. 1 схематически изображенмодулятор света; на фиг. 2 - то же,в виде зеркала для чего на грань Ананесено зеркальное покрытие,агнитооптически активный элемент1 имеет форму замкнутого магнитопровода (фиг,1). Линиями с обозначениемЬ 1 показан ход световых лучей....

Номер патента: 1455332

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Вилесов, Дубинко, Карпенко, Крупский, Панченко

МПК: G02F 1/09

Метки: датчик, магнитного, поля

...апертура световода 3.Интенсивность лучей нулевого порядка дифракции нении внешнего магнитного поля отнуля до поля насыщения пластины 4МОМ интенсивность падающего на Фотоприемник 5 света плавно возрастает.Между напряженностью внешнего магнитного поля и сигналом фотоприемника существует однозначная зависимость. Измерение магнитного поляосуществляют путем измерения интенсивности падающего на фотоприемниксвета. Диапазон измеряемых полей определяется полем насьпцения пластины МОМ.П р и м е р 1, Источник света1 - светодиод типа АЛ 316 А с максимумом излучения на длине волны0,67 мкм. Световод 3 типа КК 125/50с диаметром световедущей жилы50 мкм и числовой апертурой ЯА = 0,17.Пластина 4 МОМ выполнена в виде пленки состава (Бт,Ьи,В...

Номер патента: 1573440

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Белый, Еременко, Харченко

МПК: G02F 1/09

Метки: антиферромагнитных, доменов, кристаллах, топографирования

...магнитного поля вдоль направ 25 ления распространения света, а кристаллографцческой оси Е параллельно направлениям поля и света. Изменение направления ЛФМ вектора на противоположное при фиксированных величине и направлении внешнего магнитного поля приводит к изменению знака линейного двупреломленця линейно полярцзованного света, Это обстоятельство дает возможность различать состояние АФМ кристалла с противоположно ориентированными АФМ векторами.В отсутствие магнитного поля оптическая индцкатриса кристалла представляет собой элЛипсоид вращения, ось 4" которого совпадает с осью симметрии высокого порядка. Сечение индикатрисы плоскостью, перпендикулярной оси высокого порядка, в данном случае С 1, является окружностью, радиус которой...

Номер патента: 1728841

Опубликовано: 23.04.1992

Автор: Черемухин

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитооптический, модулятор, света

...диодный мост 10, входная клемма 11 усилителя 12 (микросхема К 544 УД 1 А), стабилитрон 13 (2 С 156 А), резисторы 14 и 15(например, по 10 к),резистор 16 (например, 1 к), выходная клемма 17 регулируемого блока питания, мультивибратор 18, эмиттерный повторитель 19.На фиг,4 обозначены; Ох - напряжение на клемме 11, Овых - напряжение на клемме 17,Модулятор работает следующим образом.Фильтр 1 используется для повышения кратности модуляции света, так как удельное фарадеевское вращение зависит от длины волны света.При отклонении температуры кристалла и катушек 5 и 6 от исходной (комнатной) изменяются магнитные свойства кристалла и коэффициент передачи сигнала между катушками 5 и 6. Следовательно, в катушке 6 обратной связи изменяется сигнал....

Номер патента: 1734068

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Вилесов, Вишневский, Грошенко, Левый

МПК: G02F 1/09

Метки: временной, магнитооптический, модулятор, пространственно, света

...ориентирована перпендикулярнонаправлению движения ленты, плоскостьпадения света совпадает с направлениемоси легкого намагничивания и перпендикулярна направлению движения ленты, Поддействием полей рассеяния магчитной ленты происходит поворот вектора намагничивания от оси легкого намагничивания, Врезультате этого уменьшается проекциявектора намагниченности на направлениераспространения света. В точках, где полярассеяния равны нулю, величина проекциивектора намагниченности максимальна, а вточках максимума полей рассения эта величина минимальна. Т.е. в предлагаемомПВМС составляющая вектора намагниченности на направление света изменяется судвоенной частотой и происходит удвоениепространственной частоты электрическогосигнала, записанного на...

Номер патента: 1744690

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Иванов, Рандошкин, Тимошечкин, Чани

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитооптическая, монокристаллической, пленки, подложки, способы, структура, феррит-граната

...же 850 и не выше 980 С.Примеры. Материалы подложки выращивались по методу Чохральского в газовой атмосфере азота или аргона.Шихта и режимы синтеза охарактери зованы в табл.1 й - скорость вращения затравкодержателя, 1 - скорость вытягивания монокристалла). Использован иридиевый тигель 3 с размерами 70 х 70 мм и толщиной 2 мм. Второй тигель 5 выполнен 40 из молибдена и имеет размеры 90 х 80 мм с толщиной стенок 8 мм. Материалом прокладки 4 служили оксиды огОЗ, УгОЗ, ЯсгОз в смеси, Толщина прокладки 4 составляла 0,8 - 2 мм, 45Из полученных монокристаллов вырезали подложки толщиной 0,6 - 0,6 мм, которые обрабатывали по стандартной технологии.Пленки феррита-граната выращивали 50 в соответствии с режимами, приведенными в табл.2, в которой...

Номер патента: 1336765

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Антонов, Котов, Лисовский

МПК: G02F 1/09

Метки: каналов, магнитооптический, оптических, переключатель

...для пластин, вырезанных перпендикулярно оптической оси, угол 6 между ОЛН и поверхностью составляет - 40 . Для обеспе" чения поворота плоскости поляризации света на ф 45 толщина пластин согласно формуле (1) должна составлять1 мм. Иэ-эа большого поля одноосцой ацизотропии (Н 7 10 ) пластины ортоферритов обычно находятся в монодомеццом состоянии. Козрцитивную силу пластин выбирают в пределах Н,=10-20 3 и регулируют известными технологическими методами. Фиксированные ротаторы 3 и 5 могут быть выполнены в виде плоскопараллельиых пластин, аналогичных описанным выше пластинам, используемым в управляемых ротаторах 2 и б, за исключением того, что коэрццтивная сила материала, цэ которого оци изготовлены, должна по меньшей мере в десять раэ...

Номер патента: 1762293

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Алибеков, Глоба, Григорьев, Кузнецов, Очередько

МПК: G02F 1/09

Метки: коммутатор, оптико-волоконный

...климатических условиях, так как при повышении температуры происходит расширение жидкости, заполняющей полость корпуса устройства, а при отсутствии пузырька воздуха или дополнительного компенсатора, произойдет разрыв корпуса и устройство выйдет из строя, Выполнение бимагнитострикционной плоской пружины из двух слоев в одинаковыми коэффициентами линейного расширения, исключает ложные срабатывания при колебаниях температуры окружающей среды, что повышает надежность устройства.На фиг, 1 и 2 представлен оптико-волоконный коммутатор в разрезе вид сбоку и спереди),Оптико-волоконный коммутатор состоит из герметизированного корпуса 1, в полости которого с его торцов введены навстречу друг другу светоизлучатель 2 и светоприемник 3, торцевые...

Номер патента: 1824618

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитного, неоднородного, поля, топографирования

...доменная венно неодноро создает магнитост крепляющие доменбретения, обеспечиваюоложительного эффекта внии, заключается в слеОм состоянии В Отсутструемого и внешних пленке существует лаби- Структура, ПространСтдное магнитное поле этические ловушки, эаные стенки. При прило1824618 Составитель М, ЛогуновТехред М.Моргентал Корректор В. Петрэш Редактор Заказ 2225 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Рэушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород. ул Гэглпнцд 101 жении переменного или импульсного внешнего магнитного поля перпендикулярно плоскости пленки с амплитудой, меньшей ее поля насыщения, приводит к тому, что амплитуда смещения...

Номер патента: 1824619

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Логунов, Рандошкин

МПК: G02F 1/09

Метки: визуализации, магнитных, полей, топографирования

...плоскости пленки с частотой более 4 ч/Р также приводит к изменению ширины доменов, однако период доменов не успевает измениться, Приложение низкочастотного магнитного поля приводит к одновременному изменению и ширины, и периода лабиринтных доменов. Одновременное приложение постоянного и переменного магнитных полей перпендикулярно плоскости доменосодержащей пленки, в сумме не превышающих поля насыщения доменосодержащей пленки, приводит к небольшому изменению ширины невыгодно намагниченных доменов вокруг среднего значения, определяемого суммарным полем, но к значительному изменению ширины выгодно намагниченных доменов и, как следствие, периода доменной структуры,Если топографируемое магнитное поле однородно, то приложение...

Номер патента: 1512358

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Волошина, Кузнецов, Филиппов

МПК: G02F 1/09

Метки: невзаимный, фазовый, элемент

...ВВНОМ":Т, СЛВДУВТ ФЗВС 116(111 ТЬ КОМПВНСВЦ 1111сл а (Р 1 3 1 11 " 311 ка ЮЦР ГО На ГРа НИ Ц-ПЛ сл Н д В 13 ЛУВ усовиях антир 83 онанса толЩинапленки (при заданном а) кратна четвертьВолновой плюс дополнительное ее увеллчение для компенсации того же сдвига фазы,Но при антиреэонансе поле В пленке награнлце с призмой нулевое, из-за чего на 4 бней не происходит появления невзаимногосдвига фазы (зто чисто поверхностный зфф 8 11 С 8 С В Гс За Н Н Ы Й Сса 1(О ПЛ Е 11 ( 16 М 8 1.О Засчет толщины пленки), Потери ж 8 В этОИслучае минимальны, Возникающий в услоВиях антирезонанса небольшой по величине невзаим 1(ый сдвиг фазы связан только с, ( тражением на Второй Границ 8 пленки сВОЗДУХОМ.С пОмОщью дополн(те(11 ного слоя кОМпенсируется сдвиг...

Номер патента: 1637555

Опубликовано: 30.04.1995

Автор: Рандошкин

МПК: G02F 1/09

Метки: модулирующий, элемент

...анизотропии, вызывает перемагничивание пленки путем вращения векторов намагничивания, Перемагничивание произойдет тем быстрее, чем больше безразмерный параметр затухания Гильберта а. Введение в состав пленки празеодима позволяет повысить а и снизить Н, При содержании празеодима у0,5 даже в пленках с небольшим содержанием висмута, определяющим одноосную аниэотропию, не Формула изобретения1. МОДУЛИРУЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, выполненный в виде немагнитной гранатовой подложки, на которую нанесена магнитоодноосная пленка феррит-граната с точкой компенсации момента импульса, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, достижения легко плоскостной анизотропии и повышения угла фарадеевского вращения,удается обеспечить условие 0 = Н/4 л МЯ1 (О...

Номер патента: 1642868

Опубликовано: 30.04.1995

Автор: Рандошкин

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитооптическая, структура

1. МАГНИТООПТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, содержащая пленку феррит-граната, нанесенную на подложку из немагнитного граната, отличающаяся тем, что, с целью повышения магнитооптической добротности и достижения легкоплоскостной анизотропии, подложка выполнена из Gd3Sc2Ga3O12, а пленка феррит-граната выполнена так, что додекаэдрические позиции в структуре граната занимают ионы празеодима и висмута, причем висмут содержится в количестве не менее 0,5 атомов в формульную единицу граната, а празеодим в количестве не менее 1 атома на формульную единицу граната.2. Структура по п.1, отличающаяся тем, что пленка феррит-граната дополнительно содержит галлий в количестве до 1,2 атомов на формульную...