Ферритовый материал для акустоэлектронных устройств
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(51)5 Н 01 Р 1/3 04 В 35 ОБРЕТ ПИСА Я К АВТОРСКО ЬСТВУ ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР, О ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(56) Авторское свидетельство СССРУ 298000, .кл. Н 01 Р /10, 969.Наэп 1 войо К., 1 авадцсЬх М., КоКо Н., МаапеФое 1 аэИс вцггасе чачече 1 осИу еп а 01-Сц-Со-РеггИе",РеггИев: РгосееМпЕэ оГ фее ТпегпвФхопеЗ. сопГ.", еер. 1980, 7 арап,КуоСо, рр. 851-853.(54) ФЕРРИТОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ АКУСТОЭЛЕКТРОННЫХ.УСТРОЙСТВ. (57) Изобретение относится к магнитным материалам и может быть использовано при изготовлении эвукопроводов в линиях задержки и фильтрах. Цель изобретения - уменьшение затухания и увеличение коэффициента управления ферритового материала в частотном диапазоне 10-70 МГц. Достижение цели обеспечивается введением в Бд-Со феррит окиси самария в количестве О,05-2,00 мол.Х. Содержаниеостальных компонентов выбирают в следующих пределах, мол.Ж:,окись железа 45-50; окись кобальта 0,7-1,5; окись меди 0,5-5,0; окись никеля остальное. На частоте 70 МГц материал характеризуется коэффициентом управления 6- ОХ, максимальным затуханием 7-8 дБ/см. и температурным коэффициентом задерж э ки от (.-25) 10 1/град при (-60) С до 15 О 1/град при (+60) С; 2 табл.Изобретение относится к магнитнымматериалам, в частности к Ферритовымматериалам для акустоэлектроцных устройсгв, и может быть использовано дляизготовления эвукопроводов в линияхзадержгсн и Фильтрах,Целью изобретения является уменьгцецие затухания в частотном диапазоне10-О с 1 Гц ц увеличение коэ 4 ициента Оуправления Ферритового материала,Изобретение основано ца экспериМеггтаньгго установленном влиянии окисисамария на коэффициент управления(гс /" нас. ) и, затухагггге (с иас сс макс) в 5ферритах, содержащих в своем составеокись железа и закислы кобальта медии никеля. Присутствие малых (до2 мол.7.) количеств ионов самария в оссоставе таких Ферритов приводит к измельчецию зерна до размера 1-3 мкмза счет вхождения основной части ионов самария не в кристаллическую ре-.пгетку, а в Фазу БшГеОз, тормозящуюразвитие процессов рекристаллизации. 25Это вызывает снижение затухания вдиапазоне частот 10-О ИГц.В то же время ионы самария Имеютвысокую отрицательную коцстапту анизотроции, что компенсирует положи- .30тельггугб констацту ацизотропиц ионовкобальта в М-Со Феррите, снижая тем1самым температурныйкаэффициент задержки (ТКЗ)Введение ионов самаРия позволяетснизить содержание закиси меди (СцО)в М-Со Феррцте, что позволяет повы;сить коэФфициент управления ( Асг /а,)Ферритового материала и снизить егоэлектропроьодцость. 40Ферритовый материал по изобретениюхарактеризуется определенным соотношением и других компонентов.:Содержание окиси самария .(0,052,00 мол.7) обусловлено тем, что вве Бдение менее 0,05 мол.7 Бтп Оэ неэфгрективцо, а при ее содержании более2 мол,% резко увеличивается затухание(М) и снижается коэффициент управления (г /-.)50Уменьшение содержания СоО нижеО, мол 7 приводит к снижению Ь./насф.а увеличение его выше 1,5 мол.7. - к1росту затухания.Уменьшение содержания СггО ниже0,5 мол.7- обуславливает ухудшение спекакия Феррита и снижение ТКЗ, а увеличение выше 5,0 мол,7, вызывает ростпроводимости Феррит, способствующей прямому прохождению сигнала в линиизадержки, и, следовательно, приводитк увеличению с 6 с ростом частоты,Вьгбранные пределы содержания окисижелеза обусловлены тем, что выше50 мол.7. в феррите будут присутствовать ионы двухвалентного железа ГегПоследние в присутствии ионов кобальта создают направленное упорядочениеионов гсе - Ге и ионов Со - Сог+ ччтд приводит к торможению движения доменных границ, а следовательно, и кснижению коэффициента .управленияа "/" насУменьшение содержания ТегО ниже45 мол.Е иэ-эа отклонения от стехиометрии. вызывает значительное снижение д/СИзобретение иллюстрируется приме-рами, приведенными в табл, .1, 2Из ферритового материала, составкоторого указан в табл, 1, по окиснойтехнологии с .использованием горячегопрессования изготавливали сердечники.Температура ферритизации составля" .ла 1000 С. Смешение окислов и помолФерритового порошка производили в шаровой мельнице 24 ч.Перед горячим прессованием проводили обжиг заготовок при 900 С.Горячее прессование проводили приа12 б 0 С и давлении О т в течение40 мин.Для сравнения в табл. 1 приведенытакже примеры ферритового материалапри соотношениях компонентов, выходящих за пределы изобретения (примеры 5-12), а также известного ферритового материала, не содержащего окисисамария (пример 13),Как следует из табл. 1, для ферритового материала согласно изобретению (примеры 1-4) затухание на частоте О МГц уменьшается доКнс,с = 1,54,0 дБ/см и К = -8 дБ/см в сравнении с к ца = б,0 дБ/см иск == 25 дБ/см для извечтного материала(пример 13). При этом коэффициент .уп-равления а /увеличивается с 3%для известного материала (пример 13)до 6-107. (примеры 1-4). При этом температурный коэффициент задержки(ТКЗ) сохраняется на том же уровне,что и для. известного материала.Из табл. 1 следует также, что привыходе эа пределы изобретения (примеры 5-12) наблюдается либо увеличение затухания (примеры 5,6,11,12),Т а блица 1 Пример, У ьь(., Е Состав, мол.Е ТКЗ1 О1(граД юсдБ(см смаксдБ(см Материал Ре О СоО, СцО ИО Бт О.3 То же4 То же 0,5 48,80 2 63 45,0 1,5 4,0 47,50 2 7 50 О 1,2 49 43,87 .0,03 3,5 5,5 15 -25 20 5 При выходеза пределы изобретения 6 То же 47,0: 1,2 1,5 47,30 3 4,0 6,0 25-30 20 313350 либо снижение коэффициента управления (примеры 7-10).В табл. 2 приведено изменение затухания и коэффициента управления в частотном диапазоне 10-70 МГц. Иэ табл. 2 следует, что во всем рабочем диапазоне частот для материала по изобретению (примеры 1-4) сохраняется низкое значение затухания (а,с. , 10 м ) и высокие значения коэффициента управления, Номера примеров в табл. 2 соответствуют табл. 1.,Использование изобретения позволя ет реализовать регулируемые.акустоэлектронные устройства на частотах 10-70 МГц. Формула изобретения Ферритовый материал для акустоэлектронных устройств, содержащий окись железа, закись никеля, закись меди, закись кобальта, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения затухания в частотном диапазоне 10-70 МГц и увеличения коэффициента управления, он дополнительно содержит окись самария при следующем соотноше" нин компонентов, мол.7:Окись железа 45-50Закись кобальта 0,7-1,5Закись меди 0,5-5,0Окись самария 0,05-2,00 Закись никеля Остальное. Туров .вич, Корректор Л. Вескид. ираж 472арственного коми зобретений и отк Ж, Раувская Заказ,2 Подписитета СССРрйтийнаб д. 4/5 НИИПИ Г по делам3035, Москв енно-полиграфическое предприятие, Г. Уагород,Проек 1 роизв Ври мер 9
СмотретьЗаявка
3942111, 19.08.1985
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1216
ХАРИНСКАЯ М. А, РОДИОНОВА М. К, АНДРЕЕВА И. Н, ЗАКГЕЙМ Е. Л, МИХНОВИЧ С. А, ОБУХОВ А. А
МПК / Метки
МПК: C04B 35/26, H01F 1/34
Метки: акустоэлектронных, материал, устройств, ферритовый
Опубликовано: 15.07.1992
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-1335026-ferritovyjj-material-dlya-akustoehlektronnykh-ustrojjstv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Ферритовый материал для акустоэлектронных устройств</a>
Предыдущий патент: Способ определения температуропроводности металлов и полупроводников
Следующий патент: Способ отклонения оптического излучения
Случайный патент: Способ извлечения эфирных масел