Патенты с меткой «выращивания»

Способ выращивания и подготовки растений для посадочных машин

Загрузка...

Номер патента: 20847

Опубликовано: 31.05.1931

Автор: Петров

МПК: A01G 9/00

Метки: выращивания, растений, посадочных, подготовки, машин

...была закрытой, а головными частями включена в магистральный трубопровод, несущий воду для внутреннего орошения земляного покрова и посеянной в него рассады (фиг, 2), Земляной покров, накладываемый на уложенные настилы после прокладки коленчатых трубок, имеет толщину, примерно, в 25 хч, Укладка ленточного настила и коленчатых трубок и покрытие их слоем Земли, для удобства посева, должно производиться рядами шириною в 1 3(, что даст возможность с большей легкостью произвести посев ручной сеялкой вдоль ленточных полос настила и при том так, чтобы каждое звено-брусочек было обсеменено. После посева семена покрываются легким слоем земли, после чего приступают к укладке и заделке следующего ряда. Когда рассада поднимется и наступит пора...

Способ и прибор для выращивания бактерий

Загрузка...

Номер патента: 24543

Опубликовано: 31.12.1931

Авторы: Бердников, Берлин

МПК: C12M 1/18, C12N 1/20

Метки: бактерий, прибор, выращивания

Парниковое устройство для выращивания растений, например, рассада хлопчатника

Загрузка...

Номер патента: 25347

Опубликовано: 29.02.1932

Автор: Крутцов

МПК: A01G 9/20

Метки: рассада, парниковое, растений, выращивания, хлопчатника, например

...сантиметров, необходимых для стояния растений 2 хлопчатника. Ось 13 с одного конца снабжена ручкой 17, служащей для повертывания барабана. С внешней стороны камышевые стенки 5 барабана укрепляются проволочной обвязкой 15. Земляное углубление выкапывается в длину с востока на запад, В слое 3 растительной земли цилиндра, между камышами 5, производится посев семян хлоп- чатника.Фиг. ТипИскра Установленный барабан с солнечнойстороны покрывается стеклом 1 в формепарниковой рамы б с таким расчетом,, чтобы ширина парниковой рамы быларавна части окружности барабана.С противоположной стороны последнийпокрывается камышом 7, обмазываемымсверху слоем 8 раствора глины и самана.На стойке 12 укрепляется резервуар 9для воды, который сообщается...

Опора для ящиков, служащих для выращивания растений

Загрузка...

Номер патента: 36719

Опубликовано: 31.05.1934

Автор: Немировский

МПК: A01G 9/02

Метки: служащих, растений, опора, ящиков, выращивания

...31. мая 1934 года, ЭканерФ С. А. Го 11 чйнек Редактор И ф. АльтшулФ 5)Посредством предлагаемой опоры для ящиков, служащих для выращивания ра. стений, имеется в виду достигнуть экономии места и лучшего использования солнечной энергии;На чертеже изображена опора для ящиков в перспективном виде.Предл гаемая опора для ящиков, служащих для выращивания растений, имеет вид усеченной пирамиды 1, на гранях которой располагаются бездонные ящики 2 с .планками, образующими ячейки, наполненные растительной землей. На верхнем основании пирамиды-опоры 1 устанавливают сосуд 3 с водой и питательными солями, жид.ость из которого через краны. стекает по граням пирамиды и, смачивая землю, питает растение. Предмет изобретения.Опора для ящиков, служащих...

Устройство для выращивания рассады

Загрузка...

Номер патента: 46082

Опубликовано: 29.02.1936

Автор: Беликов

МПК: A01G 31/02

Метки: рассады, выращивания

...формы из оцинкованной жести или из папье-маше, Для помещения ленты в круглых ваннах они ,попарно свертываются в спираль, а для помещения лент в прямоугольные ванны они складываются зигзагообразно для того, чтобы их легко можно было вы. нуть, взяв за один конец, В ванну 3 на. .ливается питательный раствор, причем высота уровня этого раствора над дном ванны регулируется муфтами 4 на спускных трубках 5 (фиг. 10), Уровень жидкости устанавливается такой, чтобы помещенные в верхней части ячеек семена лежали на границе этой жидкости. Питательный раствор в ячейки поступает или в каждую ячейку только сверху, и тогда такие ячейки являются совершенно изолированными друг от друга (фиг,5), или же раствор поступает в ячейки через отверстия П снизу и...

Устройство для наклейки на ленту яиц зерновой моли для выращивания трихограмм

Загрузка...

Номер патента: 49613

Опубликовано: 31.08.1936

Авторы: Синильщиков, Шапиро

МПК: A01K 61/00

Метки: выращивания, моли, ленту, трихограмм, яиц, наклейки, зерновой

...наездницы получает развитие и питание за счет яиц других насекомых,Подмеченное явление послужило основой дпп создания биологического метода борьбы с насекомыми вредителями на основе искусственного размножения трихограмм. Среда для питания трихограмм создается из ячеек зерновой моли, наклеиваеиых на карточки. Наклеивание яичек зерновой моли осуществлялось ручным способом, что являлось препятствием к постановке разведения трихо. грамм в широких масштабах.Согласно изобретению предлагается устройство, механизирующее процесс наклейки ячеек зерновой моли на карточки и дающее возможность изгото- влять их в массовом количестве. ва и И. Д, Шапиро, ерв184541) августа 193 б года.совка 13, сбрасывающего их через кадрообразователь 1 б на ленту,...

Способ выращивания овощей на орошаемых участках

Загрузка...

Номер патента: 62883

Опубликовано: 01.01.1944

Автор: Каминский

МПК: A01C 5/00

Метки: выращивания, участках, овощей, орошаемых

...3 размещают последовательно таким образом, что на одном гребне посадку производят с левой, а на другом (через разделяющий гребень) - с правой стороны борозды.Растения сажают по склонам гребней, на расстоянии равном полонине его высоты от дна борозды. Борозды 4, на которых не садят растений, являются неполивными. В условиях сурового климата и вечной мерзлоты неполивные борозды углубляют и мульчируют, так как волнистая поверхность почвы лучше нагревается.Такой способ посадки растений дает возможность производить распашку окучником разделяющего гребня 2 поливных борозд 1, то есть производить механизированное глубокое рыхление, пропалывание и окучивание овощных культур. Окучивание (распашку) производят на второй или третий день после...

Способ выращивания растений на грядах

Загрузка...

Номер патента: 62884

Опубликовано: 01.01.1944

Автор: Каминский

МПК: A01G 25/00

Метки: выращивания, грядах, растений

...гряды. Известны различные способы выращивания растений на грядках.Предложенный способ отличается от известных тем, что растения размещают по краям выемки, образованной на поверхности гряды, что позволяет использовать эту выемку для полива напуском и для последующего окучивания растений углублением ее распашником.На чертеже схематически представлена часть поливного участка, приспособленного для осуществления предложенного способа, поперечный разрез.Как видно из чертежа, участок для осуществления предложенного способа включает в себя гряды 1, расположенные между бороздами 2. На поверхности гряды имеются выемки 3, по краям котсрых разме. щают растения 4. Механизированная нарезка борозд и грядок может быть осуществлена различными...

Способ выращивания кефирных грибков

Загрузка...

Номер патента: 65861

Опубликовано: 01.01.1946

Автор: Макаренко

МПК: C12N 1/14, A23C 9/127

Метки: грибков, кефирных, выращивания

...как освежающий напиток (типа кваса). Находящиеся в сыворотке марлевые мешки с грибками необходимо вовремя от времени (например, каждые полчаса - час) вынимать из сыворотки и оставлять их на воздухе на 2 - 3 минуты, после чего снова погружать в сыворотку.Когда общая кислотность сыворотки в чане с грибками поднимется до 100 в 1 Т, сыворотка сливается и дальше используется обычным порядком. Грибки же заливаются новой порцией сыворотки, и так далее до тех пор, пока грибки не размножатся в нужном количестве. Количество сыворотки прн каждой зализке удобно брать десятикратное по отношению к грибкам (на 1 кг грибков - 10 л сыворотки).Для длительного хранения грибки могут быть высушены обычным способом. Из 6 кг сырых грибков получается 1 кг...

Способ выращивания монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 66668

Опубликовано: 01.01.1946

Автор: Шефталь

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...а ИИВ с Н И 51 К 1)1 СБ.СОБ 1 Ь) 1): СБ 1) 01 ЧС 1 С)110СКО)(0151 И)01 сссс, Н)ОН 5 ЮТ 11 Кс 1 с)ССТБО ИС (ОД 30(0 01)ЯЗО 1 с НИ Я Г)1(ТО тагОН ЬКОГО К) 1 СТ с 5,1 И К; БЫ )(:с 131 К) ИЗ К)ИС тс, 1, с 1 00,СС К)ИИ)10 (10 Чс 1 СТЬ. ОДс КО Б 51 То)атт О НОТ т КНЗИ 1 И 1, Кс)КИ)1 ОЙ) БЗО) . (0,1 К И;3ЫТЬ БЫ)ОЗс)1 с 1 БТН 1 С 3 Ь ГЬ 35 110 Г(И И 5 )с)г(.Н с),Ь 1 ОГЭ".Ь(1)(10;1, И 11)ИК Г 1 ЧОСКИ Б КСЧ( СТВО .)сТ)1 ВО 3(р 1)ОН(5)Н)Т ) 3"10 СТО)5 СИИИ, тс г КИ , 131) 3 БОССБ БОБ,1( Иэ Зс)Т 3)И)КОИ 110)3 БЛ ЬНО 1 К) ИСТИ 1 Ч(.- СКОБ ИО(103)НОС эИ 1)СГСНБэ)а 1 сОННЫИ С;ОИ 00 а.т ОТ" Я .1) 1 Нэт 11 11 Т66668 1 1 ) )1 си ;1 0 ) 1) сс и и 5 Х 1 омптет по дета)1 и:)о)рстеип 1 и от 1 рыти) пи Совете Мппистроп СССР Редактор Л, К. Лейк)и)а 11 ис...

Способ приготовления питательной среды для выращивания плесневых грибков с целью получения пенициллина

Загрузка...

Номер патента: 68447

Опубликовано: 01.01.1947

Автор: Уткин

МПК: C12P 37/00, C12N 1/14

Метки: выращивания, целью, приготовления, пенициллина, среды, плесневых, питательной, грибков

...автолизатом не может встретить препятствий для ее применения. Углеводным компонентом среды могут служить глюкоза, отходы рафинадных заводов (бастр), молочный сахар, мальтоза в виде продуктов осахаривания крахмала солодом, или продукты кислотного гидролиза крахмала, начиная с декстринов.Применяя гидролиз крахмала серной кислоты до стадии декстринов и нейтрализуя затем кислоту мелом или известью, удается значительно ускорить фильтрование дрожжевого автолизата. В этом случае по окончании гидролиза крахмала к гидролизату прибавляют готовый, но не фильтрованный автолизат дрожжей, после чего проводят нейтрализацию мелом. Выпадающий при этом сульфат кальция захватывает дрожжевые клетки, вследствие чего фильтрование ведется на нутче, причем...

Способ выращивания дичков плодовых деревьев семечковых пород

Загрузка...

Номер патента: 71273

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Никитюк

МПК: A01C 1/00

Метки: деревьев, выращивания, пород, семечковых, дичков, плодовых

...растешя в перГзд ранней стадии его развития обрезакт корешок, с целью получения при дальнейшем росте мочковатой корневой системы, Г 1 икировка сеянцев требует больших затрат времени и средств и часто приводит к гибели отлетьиых растений,Предлагаемый способ выращивания дичков имеет целыГ устранение этих недостатков и отличается тем, что обрезка части корешка производ 1 Ггся у проращениых семян семячковых пород в то время, когда корешок достигает длины нескольких миллиметров,Для выполнения этого способа семена необходимо прорастить в помещении с температурой выше О С. Г 1 ри достижеши корешком прора- щенного семени длины нескольких миллиметров, его обрезант ножницами, примерно, наполовину. Если и Гздном ящике корен 1 ки пророслидо Ппедмет...

Способ выращивания растений, например плодовых деревьев

Загрузка...

Номер патента: 71504

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Латышев

МПК: A01G 9/02, A01G 1/00

Метки: плодовых, например, выращивания, растений, деревьев

...что выращивание саженцев производится в горшках без дна в общем ящике с землей. Подрезку корней саженцев производят ножом, вводимым в ящик под нижние обрезы горшков,На чертеже показан общий вид посевного ящика.Посевной ящик 1 имеет щели 2 в двух его противоположных стенках на некотором расстоянии от дна.Для выращивания растений сначала в ящик 1 насыпается земля немного выше щели 2, затем в него устанавливаются горшки. Горшки для этой цели изготавливаются из тонкого листового железа, квадратные или круглые, без дна, с боко. вой сквозной щелью. Горшки наполняются землей и после этого производится посадка по одному семени в горшок. Весной, после всхода семян, у саженцев подрезаются стержневые корни острым тонким ножом, продетым через обе...

Способ и устройство для выращивания кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 72182

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Штернберг

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...исключает необходимость тратить время на рсгенергцшо затравкиКрпсталлик, вырастая под восковой сумочкой, охватывает тонкуюшпильку и, развиваясь во все стороны, укрепляется на кристаллоьосцс, врастая в пазы.При пепрсрывном вращении кристалла со скоростью 30 - 60 аб/иин происходит его рост при снижении температуры раствора.Вначале устанавливается температура на 1,5 ниже температуры насыщения раствора; при этом кристаллы растут со скоростью 10,ил 1 в сутки по оси 7. тля поддержания этого псресыщения суточный спад темпера гуры рассчитан по формуле;= / 2 где Р и - искомая температура; х - длительность роста в сутках; Р - объем раствора; Рв - исходная температура.72182 Предмет изобретения 1. Способ для выращивания кристаллов сегнетовой соли,...

Способ выращивания дрожжей

Загрузка...

Номер патента: 72692

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Лейтес

МПК: C12N 1/16

Метки: выращивания, дрожжей

...бел ур в изоэлектрической точк ие белки альбуминов и бе применяют маточные еского белка из жмыка из жмыха и шрота е остаются маточные азотистые экстрактив инированные культуры дровами, так и дрожжей, сбражства, указанные маточные ращивания дрожжей. жеи, пита 1 ощихся как ивающих безазотистые створы могут быть исмет изобретения Способ выращивания дрожжей, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что в кастве питательной среды применяют маточные растворы, получаюиеся после выделения технического белка из жмыха и шрота растильных культур в изоэлектрической точке,хред А, А. Камышниксва Корректор Н. В. Гераськи дактор В. В. Хазова Подп. к печ. 31/Ч 111 - бЗак, 2203/15ЦБТИ Форма Тир та по дел Совете М Центр, М, бум, 70108ж 200 м изобретений инистров...

Приспособление для устранения пересыщения раствора в аппаратах для выращивания кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 72801

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Шефталь

МПК: C30B 7/02

Метки: кристаллов, раствора, аппаратах, пересыщения, выращивания, устранения

...в кристаллизатора и ра в аппа применени сенного вн ля устранения пересыщения раств ния кристаллов, о т л и ч а ю щ е е с де сосуда с растворителем, распол единенного с ним трубкой. При выращивании кристаллов в аппаратах, обычно примендля этой цели, часто наблюдается местное пересыщение расвызывающее образование паразитических кристаллов.Для предупреждения возможности подобных псресыщенийбретения предложил специальное приспособление - увл ажнлажнитель представляет собой сосуд с растворителем; он расн вне кристаллизатора и соединен с ним трубкой.Аппарат для выращивания кристаллов и расположение увлтеля показано на чертеже.Температура растворителя в увлажнителе 1 поддерживаетсядушным термостатом 2 постоянной, что обеспечивает...

Тарелочный аппарат для выращивания дрожжей

Загрузка...

Номер патента: 74617

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Фролкин

МПК: C12M 1/14

Метки: дрожжей, выращивания, аппарат, тарелочный

...затвором 2,2. Пяти.шести тарелок д со слив- ными трубками о; в тарелках располагаются всздухораспределительные сетки 4 с отверстиями в 1 мм, изготовляемые из листов кислотоупорного металла. Количество и жи. вое сечение всех отверстий сетки не должно превышать сечения воздухоподводящей трубы вентилятора.3. Сборника бражки б высотой 1,5 - 2 м, расположенного внизу,Аппарат работает следующим образом, Вентилятором 7 воздух по. дается в центральную трубу снизу. Насосом 8, присоединенным к сбор. цику бражки и сусля, содержимое подается на верхьюю тарелку. )Кидкость на тарелках постоянным давлением воздуха поддерживается на высоте 200 лм.Количество жидкости и скорость подачи ее на тарелку определяется временем заполнения одной тарелки н...

Устройство для выращивания кристаллических блоков

Загрузка...

Номер патента: 76654

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Штернберг

МПК: C03B 7/02

Метки: выращивания, кристаллических, блоков

...кристаллический блок 1 одним своим концом соприкасается с быстро движущейся (3 - 4 м в секунду) резиновой лентой 2.Движение ленты обеспечивается ведущим шкивом 3 и четырьмя направляющими роликами 4, Рабочая поверхность ленты, омывается свежим раствором при соприкосновении ее с вращающимся в обратном направлении валиком 5, частично опущенным в нагретый до температуры 40 - 45 С слегка .недосыщенный раствор.Избыток раствора с валика 5 и ленты 2 снимается резиновыми совками б,Смоченная горячим и почти насыщенным раствором движущаяся лента обдувается струей воздуха, например при помощи вентилятора 7, В результате частичного испарения,растворителя и охлаждения раствор,на поверхности ленты стано. вится насыщенным и в таком виде приходит:в...

Способ выращивания блока “косого” среза из кристаллов сегнетовой соли

Загрузка...

Номер патента: 78449

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/00, C30B 29/56

Метки: сегнетовой, кристаллов, косого, выращивания, соли, блока, среза

...выращивании кристаллических блоков косого среза, стороны которых составляют углы в 4 Г с осями В и С кристалла (фиг. 1), обычно берут кристаллическую затравку косого среза, которую располагают на дне кристаллизатора между ограничивающими стенками, Однако кристалл растет мутным до тех пор, пока не образуются грани, полностью ограничивающие кристалл сверху (фиг. 2). Такие блоки практически оказываются непригодными из-за того, что мутная дефектная область значи тельна по площади и расположена крайне неблагоприятно,Предлагаемыи способ выращивания блоков косого среза из кристаллов сегнетовой соли с применением кристаллической затравки, вырезанной параллельно грани В кристалла, устраняет указанные недостатки, и весь выращенный блок является...

Способ выращивания дрожжей

Загрузка...

Номер патента: 89719

Опубликовано: 01.01.1950

Авторы: Андреев, Стуков

МПК: C12N 1/16

Метки: дрожжей, выращивания

...ОРЬ . Г; 1:С.Н 5 1,1)о;О".)К.Тс 1,:1(С С 1 111;НТ)К;1 СВС)К 1(:В ЗН, ПСН), ООРЗ 3,01:С 035.; 1;РИ ОРО:1.ННН, ОТ(,НОТ Г СТСГ;1, Н ССНЗ 1)ЯИО;11)0)К)111 НЗ СС , ): НЗ 035 Т ОТ;С,".ЬНО ОТ С:33 НН:1),.:".ГЬИ 3 СССГ 1 .РОЖТКСРЗСТНТС - .,;:ОГО ЧЯ;3,1 лнтс,"нос ро)конно стз(ОВнтс 5. 303):кн 1): 3 с(З. - ,с;Вне - .:3. ч Го. 0 ОО тон Гс ь ьсосНВ)с 7 1 Взчс 01)О:,:с; Тк . 1 ч) ВесгВ,)С. 5: 01)051.С.151;3("Г з 03.05 КНОСТЬ :3.13 ТЬ Н 01 СО; О" О)1(с 11:Н,С Я.,: Ь, ,"1 НС Ь 1( ССТ 3 0. 1) ОТО.; 1 Т ) Р З 3.,: Н Г)КС;1 сН В "3;, ( . ).15 К;КС)З 1 С,.Ь 10:) ЗН 1 З" ЗТС ПЗС.(СС(ТГ 5 . Г В 1;: , 0) ЗО(1., 1 ) 1) З 3 , );1 СН 1; КСВ, 1 Ь"(.к 89719Предет изооретенияСиосоо Вы 1)51 ие 11 Веи 1 ин д 1)0)кжси с е )1) 311 иси и неи 1)1)ыВиы.1 00:)1)д)...

Глубинный способ выращивания плесневого гриба

Загрузка...

Номер патента: 86134

Опубликовано: 01.01.1950

Авторы: Вяткин, Фремель

МПК: C12N 1/14

Метки: глубинный, гриба, плесневого, выращивания

...изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор С, Пыжов, Техн, редактор А, Л Сосина, 1 орр 3, И Видонова Подп, печ, 27/ЧП 1-1960Тираж 250, Цена 25 коп,ИнфортЯионо издательский отдел, Объем 0,17 и, л, Заказ 5314 Гор. Алатырь, т 1 пографня М 2 Ъ 1 нистерства культуры Чувашской АССР. цирую 11 его 1 ориент, подсев коиндий в генератор производят регулярно через 2 - 4 час, а 11 ел 51 х ооеспечения чистоты брожения, питательную срсду охлаждают лип 1 ф 1 ястичпО напра 15 ее и культур 11 льную 5 Ы 1 дкость с температурой 60 - 70.2; Прием вьполнени способа по и. 1, о т л и ч а ю н 1 и й с я тем, что, в целях сокранения расхода энергии, вместо иродуаипя оздуха через же 1 дкость, е 1 о пропускают пяд жидкостью ири ее иеремешиванки...

Способ выращивания однородных кристаллов виннокислого этилендиамина

Загрузка...

Номер патента: 88624

Опубликовано: 01.01.1950

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C07C 209/84, C07C 211/63, C07C 211/10 ...

Метки: виннокислого, однородных, кристаллов, выращивания, этилендиамина

...температуру пересыщения, что позволяет получать однородные кристаллы, обладающие высокими пьезоэлектрическими показателями.Особенность выращивания больших однородных кристаллов виннокислого этилендиамина заключается в способности этого материала образовывать чистые, лишенные неоднородностей, кристаллы при пересыщении раствора, превышающем некоторое минимальное критическое значение. СВИДЕТЕЛЬСТ ДНОГОДНЫХ КЕИС 1 АДЛОВЗТИЛ ЕНДИАМИ НА.м 1 ьбос.ехку СС Киста;ьль оольшцьсства веществ как правило, хорошо образуются из слабо пересыщенных растворов. С увеличением пересыщеция раствора скорость роста кристаллов возрастает. Однако при некоторой пределыо (для данных условяь) степени пересыщсция образование чистых, однородных кристаллов...

Способ выращивания пьезоэлектрических кристаллов однозамещенного фосфата аммония

Загрузка...

Номер патента: 95747

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/04, C30B 29/14

Метки: однозамещенного, выращивания, кристаллов, аммония, фосфата, пьезоэлектрических

...ОГН,)Н(;:;, ; Н(,;, 1;сс)ЯЛОВ (1)Ос(1)Н)151 (1)Г)с)1 Ср 1) 110- 11(Р(:;Ч)И 1 ( ) 1(1,(. И,11 с),0 301 А с) 1. 1, . 1 1: . 1ГО В( д)101 0 РЯСГВОРс -.то.1 СЛИ В 1)ОГ)СС( 1)Ос 1 Я и)1 СтсГЛОВ 11(1(.ЕГ 1(СГО явлс)И(. БЫ 1 т И 1111) Я 1)я, с)С )1(ГЧ Я:) СЕС 51 В 11 Г)с- )(1 с 111(.ИИ ХрисЯ, Ь(1;3 Гр. 5 Ы С 110 Ч 311 )с 11(Ы 11 0:,НОВ.НЯМ 1 )ИРЯ 1 ГУ.Пр(.ЛГягясмыЙ с)ос. о Вы)Г)Цива) И 51 1103 ВОГ 5(.1 СТР с)1 ИГ и ВЛ СНИЕ Способ Выращивания пьезоьлек- ТРИЧЕСКИК КР 11 СТ 11;ОВ (ДНО:)ЯЕЦЕННОГО фОСфЯТЯ с.Мл 101)и ИЗ 1)ЕРЕСЫЦЕШОГО Рс)С 1:)ОРЯ Зто. С;ЛИ, О т Л и- Ч Я ГО ЩИ Й С я тЕМ с)тс) С )ГЕЛЬ)0 ПОВЫКЛИН)Вс 111 И) В НОЦ(.ОСЕ 1). . а КРНСТЯГЛОВ.ЭГО ДОСТИГс 1 СТСЯ ОЛснОДЯ)Я ВВЕДСИИ 0 В Нс 1 СЫ 1 ЦЕ 111 ЫЙ РЯСТВ 0) )10 вс- ененного фосфата...

Способ выращивания кристаллов и установка для осуществления этого способа

Загрузка...

Номер патента: 96144

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Штернберг

МПК: C30B 7/02

Метки: кристаллов, способа, выращивания, этого

...1 НИ 51 кристаллов. Непрерывная работа установки обеспечивается тем, что каждая из форм снабжена охлддителем для переохлаждения раствора внутри этой формы при неизменной темперд гуре раствора в баке. На сертеже схематически предслч 1 всена конструкция предлагаемой установки в двух проекциях,Выращивание кристаллов осуществляется в разборных формах 1, погруженных в бак 5 с ненасыщенным раствором 3. Для выращивания блоков заданного размера или пластинок определенной толщиныЛ" 9 б 144 11 р од к сн зобретения тв. редактор Г. А, Лапушки тандартгиа. Подп, к печ, 4/1-1957 г. Объем 0,125 и. л, Тираж 250. Цена 25 коп Гор. Алатырь, типография2 Министерства культуры Чувашской АССР. Зак. 3998 формы 1 могут бьп ь разделены редкими нли частыми пг...

Способ выращивания кристаллов из растворов и устройство для осуществления этого способа

Загрузка...

Номер патента: 96229

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/02

Метки: кристаллов, способа, растворов, этого, выращивания

...5 ГС)3(".,СП 1 И В 111151 )3.СГВОРс 3 15 СЛ" , - с Я С 1 ( П ОД В П Е 1 Н)103 с С П ОЛ 0 Ж (П 51 кристялгов) .1 ц)ьпЗе 3 Оячкс 1 ) я 55 ястся 0;(335 ИСМЕП 30 ЕПД(13 СсТО)30) ПЯ)ОВ Ря(Т ГСГ 51, 5, и 1(ГО (313 33 С 13 сОЖС 3 Я 1503;3 ЛИПЦ М: Г П ВО 5 ИЦ;1 (3(Г и ,1; 1".- ГГСГ 1 4 И С(3033;3(3135 531 С;(с,;,; , (3-) ж( ло я,б). 31(;рс ( (;о)31:3 к ) гстойник б - служит для задержания частиц нерастворешюго кристяллизусмого вещества. Вмонтированные в крышо воронки 7 и 8 предназначены для ввода В ко:дспсят твердого кр 1 Стал.1 изуе)Ог) вещества и растворителя.(.ОгсЯсн изоорстснию,вспиос выращивание кристаллов пз рдстьоря крпстяллпзуемого вещества ОСУ 1 ПССТВЛЯСТС 51 ПРИ ПОМОЩИ ОППСЯН- ного устройства следующим образом.Испаряясь из раствора,...

Аппарат для выращивания культуры плесневого гриба “аsреrgillus”

Загрузка...

Номер патента: 96531

Опубликовано: 01.01.1953

Авторы: Поторжинский, Гуляев

МПК: C12M 1/16

Метки: гриба, культуры, выращивания, asреrgillus, аппарат, плесневого

...После загрузки зерна в иахти в вентиляпиоиный канал 3 иагнетастся тепльй (температура 28 - 30), увлажнеииыи (относительттая влажность 75 - 80 Ь) воздух, откуда он через перфорированные стенки 2 поступает в рабочее пространство шахт 1.Через 24 часа обсемененное зерно из первой пары шахт 1 через откидные днитца 4 Втэтгру/ ается в 1)азгрузочиыс 1 Неки 5, входиые ко. цы которых находятся под общим бункером 6 второй пары шахт 1, рас, - положенных ступенчато по отношению к первой.96531Разгрузочные шнеки 5 перемешивают поступающее в них из первой пары шахт обсемененное зерно и транспортируют его во вторую пару пдахт, где оно при том же режиме дозревает в течение последующих 24 часа,П р едм ет изобретения1. Лппарат для выращивания культуры...

Концентрированный сухой комбикорм для выращивания молоди рыб

Загрузка...

Номер патента: 97424

Опубликовано: 01.01.1954

Авторы: Маликова, Кульбин

МПК: A23K 1/18, A01K 61/02

Метки: рыб, сухой, молоди, концентрированный, выращивания, комбикорм

...сухой комбикорм для выращивания молодц рыо, имеющий ту осооенность, что, с целью повышения усвояемости корма, в его состав входят кровь, рыбная мука, сухие пекаоские дрожки, морские водоросли и витамин Ф.Предлагаемый концентрированный комбикорм предназначен для выращивания в условиях рыбоводных заводов молоди ценных пород рыо - лососевых, осетровых и гибридов осетровых пород.Комбикорм состоит в основном из кровяной муки с добавкой сухпх дрожжей. ких водоросле тых в количес составу беспо являющихся вым средство кц, морсна Ф, взяств.юще и животных,м кормонои м витам 1 оотве чных гвеннь рыб. го и нтве, сзвоноестес1 ДЛЯ Предмет изобретения пый сухой комбна;пя молоди рыб, я тем, что, с усвояемости корходят кровь, рыбекарские...

Способ выращивания кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 98040

Опубликовано: 01.01.1954

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/00

Метки: кристаллов, выращивания

...от скорости притока свежего пересыщенного раствора к поверхности растущих кристаллов, Перемещение кристалла относительно раствора способствует росту за счет отвода от его поверхностей пленки обедненного, слабо- насыщенного раствора и прдтока свежего раствора, имеющего большее пересыщ ение.Известные способы выращивания кристаллов, в целях быстрого восстановления пересыщендя вокруг растущего кристалла, предусматривают пер емешпвание раствора или вращение кристалла в растворе.Предлагаемый способ позволяет повысить скорости роста кристаллов благодаря тому, что кристаллы в процессе роста приводят в колебательное движение, причем это движение может осуществляться с большой частотой от десятков герц до десятков килогерц и сочетаться с...

Способ выращивания дрожжей для сбраживания паточных заторов

Загрузка...

Номер патента: 98466

Опубликовано: 01.01.1954

Авторы: Криштул, Малченко

МПК: C12N 1/16

Метки: паточных, заторов, выращивания, дрожжей, сбраживания

...том что 1)язмножснс дро 5 какей в начальной стадии (матка) ведут в среде, обогащенной добавлением неся(аров патоки.Способ Осуществляется так.В начальной стадии (при разведении дрои(5 кевой матки) размножение Д 1)оаки(сЙ ведут в среде, содержапей в одном литре: 1 г вторичного фосфорнокислого натрия, 0,5 г х;Ористого калия, 0,1 г хлористого кальция, 0,3 г серпокислого марганца, 0,5 г пептона, 50 г сахарозь 1 и 150 г иссахаров патоки,В качестве иесяхаров патоки прнмсня 1 ог уиаре 1 шук; до со сржяии б 5 - 70% сухих веществ бр 115 кку и,1 и упаренную паточную барду.Выращенныс предягяемым способом дрожжи при использовании их на производстве позволяют получ:.1 т бра 5 кку с бслсс Г;1 убоким выбра:1"1- ваиисм сахаров. Например, дрозк к...