Способ выращивания однородных кристаллов виннокислого этилендиамина

Номер патента: 88624

Авторы: Поздняков, Штернберг

ZIP архив

Текст

САНИЕ К АВТОРСК ОБРЕ Поздняков А. А, 1 дтернберг ОСОБ ВЫРАЦ 1,И ВИННОКАНИ СЛО 950 г, з март Лаялес Предметом изобретения является способ получения однородных кристаллов виннокислого этилендиамина, пригодных для использования в качестве материала при изготоглсции пьезоэлектрических резонаторов.Применение виннокислого этилецдиамица для изготовления пьезоэлектрических резонаторов известно. Однако, кристаллы его не обладают однородностью.Отличительная особенность предлагаемого способа состоит в том, что выращивание кристаллов виннокислого этилендиамина производят при высоком пересыщении раствора, характеризующимся температурой пересыщения в 9 - 10, которая превышает нижнюю предельную температуру пересыщения, что позволяет получать однородные кристаллы, обладающие высокими пьезоэлектрическими показателями.Особенность выращивания больших однородных кристаллов виннокислого этилендиамина заключается в способности этого материала образовывать чистые, лишенные неоднородностей, кристаллы при пересыщении раствора, превышающем некоторое минимальное критическое значение. СВИДЕТЕЛЬСТ ДНОГОДНЫХ КЕИС 1 АДЛОВЗТИЛ ЕНДИАМИ НА.м 1 ьбос.ехку СС Киста;ьль оольшцьсства веществ как правило, хорошо образуются из слабо пересыщенных растворов. С увеличением пересыщеция раствора скорость роста кристаллов возрастает. Однако при некоторой пределыо (для данных условяь) степени пересыщсция образование чистых, однородных кристаллов прекращается, Кристаллы начинают расти трещиноватыми, муными, интенсивно захватываьот мато пьый раствор. Эта точка пересыцьения может быть названа верхней предельной точкой перес ыщения раствооа, которая может существенно зависить от других условиц выращивания состава раствора, интенсивности перемешивация и проч.).В отличие от оольшинства веществ, випнокисльй этилендиамцн обнаруживает способность к образованию однородных кристаллов только в условиях сильного пересыщения раствора, превышающего некоторое минимальное значение, ниже которого образование чистых кристаллов прекращается. Соответственно, эта точка пересыщения может быть названа нижней предельной точкой пересыщения раствора,

Смотреть

Заявка

414164, 13.03.1950

Поздняков П. Г, Штернберг А. А

МПК / Метки

МПК: C07C 209/84, C07C 211/10, C07C 211/63

Метки: виннокислого, выращивания, кристаллов, однородных, этилендиамина

Опубликовано: 01.01.1950

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-88624-sposob-vyrashhivaniya-odnorodnykh-kristallov-vinnokislogo-ehtilendiamina.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания однородных кристаллов виннокислого этилендиамина</a>

Похожие патенты