H01L 21/265 — с внедрением ионов

Номер патента: 1584645

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Белогорохов, Борун, Вылеталина, Данилин, Дракин, Мордкович, Сарайкин

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантации лицевой стороны подложки ионами азота - отжиг, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины слоя диэлектрика при сохранении его изолирующих свойств, дополнительно проводят в каждом цикле перед отжигом имплантацию обратной стороны подложки любыми ионами с дозой 0,8 - 2 от дозы аморфизации кремния этими ионами, при этом цикл по дозе имплантации лицевой стороны составляет 5 - 50 1015 см-2, а суммарная доза...

Номер патента: 1597027

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Борун, Вылеталина, Данилин, Дракин, Малинин, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантаций азота и отжига с дозой в цикле (1 - 10) 1016 см-2 и суммарной дозой (2 - 6) 1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств слоя кремния на диэлектрике за счет увеличения глубины его залегания, температуру подложки при имплантации поддерживают в интервале 200 - 450oC.

Номер патента: 1204083

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Аешин, Герасименко, Смирнов, Стась

МПК: H01L 21/265

Метки: варикапов

Способ изготовления варикапов, включающий облучение протонами и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения чувствительности варикапов к малым напряжениям, облучение проводят протонами с энергией, для которой параметры Rp и Rp удовлетворяют условиюLpn< Rp-4 Rp< Lpn+LD,где Lpn - требуемая глубина залегания металлургической границы p - n-перехода или толщина слоя металла для варикапов на основе...

Номер патента: 463398

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Герасименко, Кузнецов, Лежейко, Любопытова, Смирнов

МПК: H01L 21/265

Метки: sic-si, гетероперехода

Способ изготовления гетероперехода SiC-Si путем внедрения ионов углерода энергией несколько десятков килоэлектронвольт в кристалл кремния и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью уменьшения плотности поверхностный состояний на границе раздела, внедрение ионов производят при дозе облучения более 7 1017 см-2.

Номер патента: 1473612

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Алиев, Бакланов

МПК: H01L 21/265

Метки: анизотропного, кремния, травления

1. Способ анизотропного травления кремния, включающий одновременное воздействие на него потока молекул дифторида ксенона и пучка ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и скорости травления, во время воздействия кремний охлаждают до температуры ниже температуры конденсации дифторида ксенона при спонтанном травлении, но выше температуры конденсации при ионно-индуцированном травлении.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью снижения дефектности подложки, процесс травления проводят при плотности потока молекул дифторида ксенона 5 х 1015 - 1017 с-1см-2, энергии ионов в пучке 0,5 - 1,5 кэВ и плотности ионного тока 1 - 10...

Номер патента: 719390

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Алферов, Бакланов, Герасименко, Донин, Ловягин, Мурадов

МПК: H01L 21/265

Метки: n-p-переходов

Способ изготовления n-p-переходов с неплоским профилем в кремниевой пластине р - типа, включающий операции ионной имплантации донорной примеси и последующего гермического отжига, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров n-p-переходов, формирование профиля n-p-перехода производят после отжига, для чего на пластину, нагретую до температуры 700 - 800oC, направляют луч лазера с длиной волны излучения 0,46 - 0,51 мкм, работающего в непрерывном режиме на мощности 0,1 - 1,0 Вт, фокусируют его по оси изготовленной диодной структуры в пятно диаметром, составляющим 0,5 - 0,6 диаметра n-p-перехода, затем плавно в течение 2 - 3 мин увеличивают мощность до значения 5...

Номер патента: 552860

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Герасименко, Кузнецов, Лежейко, Любопытова, Смирнов, Эдельман

МПК: H01L 21/265

Метки: карбида, кремния, кубической, модификации, синтеза

Способ синтеза карбида кремния кубической модификации путем внедрения в подложку кремния, нагретую до температуры 600 - 650oC, ионов углерода при плотности тока 15 - 20 мка/см2, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллического карбида кремния в объеме подложки, содержащей внедренные атомы углерода, после внедрения проводят термообработку подложки при температуре 1100 - 1300oC.

Номер патента: 1282757

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Ибрагимов, Реутов

МПК: H01L 21/265

Метки: кремния, пластин, тонких

1. Способ изготовления тонких пластин кремния, включающий их отделение от слитка путем формирования поверхности скола, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и воспроизводимости изготовления, поверхность скола формируют облучением слитка потоком легких ионов преимущественно водорода, дейтерия, гелия и нагревом слитка.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами по крайней мере 1017 см-2 при комнатной температуре.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами по крайней мере 1016 см-2 при температуре не менее 700 К.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами...

Номер патента: 1442004

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Верин, Гаськов, Генералов, Гласко, Губарь, Зимаков, Коршунов, Петровнин, Сарайкин, Соловьев, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: H01L 21/265

Метки: включений, гексаборида, кремния

Способ получения включений гексаборида кремния, включающий облучение пластин кремния ионами бора, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, облучение ведут при средней плотности ионного тока j, лежащей в интервале 2,0 < j < 3,0 мкА/см2, дозы от 6,25 1015 до 1,875 1016 см-2 и дополнительно проводят отжиг облученных пластин импульсами света при температуре от 375 до 1100oC.

Номер патента: 1563510

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Белотелов, Коршунов

МПК: H01L 21/265

Метки: антимониде, индия, полупроводниковых, приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов на антимониде индия, включающий легирование исходного материала компенсирующей примесью до получения материала p-типа, изготовление из легированного материала подложек, имплантацию в них ионов и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения качества МДП-структур с инверсионным каналом и p-n-переходов за счет снижения токов утечки и повышения подвижности свободных носителей заряда, в качестве компенсирующей примеси используют германий, легирование осуществляют до концентраций дырок от 1012 до 1016 см-3, после изготовления подложек на них дополнительно наносят слои диэлектрика, в качестве...

Номер патента: 660499

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Тихонов

МПК: H01L 21/265

Метки: антимонида, индия

Способ обработки антимонида индия облучением ионами, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулируемого по глубине увеличения скорости электрохимического травления без изменения типа проводимости и уменьшения подвижности носителей заряда, антимонид индия во время облучения подвергают нагреву от 100 до 290oC.

Номер патента: 665611

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Миркин, Тихонов

МПК: H01L 21/265

Метки: антимониде, индия, структур, электронно-дырочных

1. Способ получения электронно-дырочных структур в антимониде индия, включающий легирование исходного материала, изготовление подложек, облучение ионами и создание инверсионного слоя последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью упрочнения имплантированного слоя, облучение проводят при температурах подложек от 0,6 Tпл до 0,95 Tпл дозами от 6 1014 до 6 1017 см-2 и греющими плотностями ионного тока от 10 до 50 мкА/см2.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения...

Номер патента: 464243

Опубликовано: 20.11.2002

Автор: Король

МПК: H01L 21/265

Метки: p-n-перехода, кремнии

Способ изготовления p-n-перехода в кремнии p-типа путем внедрения в кристалл кремния ускоренных ионов щелочных металлов, например Na, при дозе 10-200 мкК/см2, отжига, например, при 480-550oС и нанесения электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя перехода, после нанесения электродов со стороны p-n-перехода дополнительно внедряют ионы щелочных металлов при дозе 0,1-0,5 мкК/см2.

Номер патента: 774466

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Закс, Король

МПК: H01L 21/265

Метки: базах, дрейфового, поля, создания, фотопреобразователей

1. Способ создания дрейфового поля в базах фотопреобразователей, включающий введение донорной примеси в базу с тыльной стороны исходной кремниевой пластины n-типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью сохранения времени жизни неосновных носителей в базе и сокращения длительности процесса, в качестве донорной примеси используют натрий, который вводят в базе методом ионной имплантации с последующей диффузионной разгонки при температуре 600-700oС.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что доза ионов натрия составляет 100-200 мкКл/см2.

Номер патента: 1245162

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Король, Крыштоп

МПК: H01L 21/265

Метки: p-n-переходов, глубоких, кремнии, п-типа

Способ получения глубоких p-n-переходов в кремнии p-типа, включающий имплантацию ионов натрия и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества p-n-переходов за счет повышения концентрации носителей заряда в приповерхностной области, имплантацию ионов натрия проводят 3-4 раза дозой 50-100 мкКл/см2, а отжиг после каждой имплантации проводят при 650-750oС в течение 25-6 мин соответственно.

Номер патента: 1840208

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Васенков, Емельянов, Чегнов, Чегнова

МПК: H01L 21/265

Метки: iiвvi, диэлектрик-полупроводник, структур, типа

Способ изготовления структур диэлектрик - полупроводник типа АIIВVI, преимущественно Cdx Hg1-x Tl, где х=0,2-0,3, включающий анодное окисление поверхности полупроводниковой пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур, перед анодным окислением поверхность пластины подвергают ионному легированию до концентрации 1014-1016 см-2 элементом второй группы периодической системы, порядковый номер которого не превышает наименьшего порядкового номера элемента второй группы, входящего в состав соединения АII ВVI, а анодное окисление проводят на глубину залегания легированного...

Номер патента: 1655252

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Лесникова, Малышев, Попов, Солодуха, Турцевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, микросхем, многоуровневой, разводки

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем, включающий формирование нижнего уровня разводки нанесением слоя алюминия или его сплавов на подложку со сформированными активными и пассивными элементами, создание микрорисунка в нижнем уровне разводки, проведение имплантации, формирование межуровневой изоляции, вскрытие контактных окон и формирование верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности разводки за счет уменьшения вероятности короткого замыкания между элементами разводки, имплантацию проводят ионами меди перед созданием микрорисунка в нижнем уровне разводки с энергией 30-100 кэВ и дозой...

Номер патента: 1766208

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Довнар, Красницкий, Турцевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, контактов, схем

Способ изготовления контактов интегральных схем, включающий создание на поверхности кремниевой пластины изолирующей пленки, формирование на ее поверхности фоторезистивной маски с конфигурацией контактных окон, вскрытие контактных окон, удаление маски, селективное осаждение в контактных окнах вольфрама, формирование разводки из алюминия или его сплавов, отличающийся тем, что, с целью снижения тока утечки, повышения стабильности контактного сопротивления за счет снижения бокового распространения и потребления кремния в области контакта, после вскрытия контактных окон проводят имплантацию ионов вольфрама или молибдена с энергией 5-30 кэВ и дозой не менее 1012 см-2.

Номер патента: 1575832

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Белицкий, Казачонок, Колешко, Красницкий, Солодуха, Таратын, Турцевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, микросхем, многоуровневой, разводки

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем, включающий формирование нижнего уровня разводки нанесением слоя сплава алюминия с кремнием на кремниевую подложку со сформированными активными и пассивными элементами, проведение ионной имплантации в этот слой, создание микрорисунка в нижнем уровне разводки, термообработку полученной структуры, формирование межуровневой изоляции, вскрытие контактных окон в ней к нижнему уровню разводки и формирование верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности разводки за счет уменьшения вероятности короткого замыкания между ее элементами, имплантацию в слой сплава алюминия с кремнием проводят...

Номер патента: 1694015

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Воронин, Малышев, Мамедов, Солодуха, Турцевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, многоуровневой, разводки, схем

Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных схем, включающий формирование на полупроводниковой подложке с активными и пассивными элементами слоя алюминия или его сплавов с микрорисунком нижнего уровня разводки, формирование межуровневой изоляции с контактными окнами к нижнему уровню, формирование слоя проводящего материала с микрорисунком верхнего уровня разводки, имплантацию ионов металлов в слой материала уровня с энергией 30-150 кэВ, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и увеличения надежности интегральных схем за счет уменьшения деградации параметров разводки, имплантацию в слой материала нижнего и/или верхнего уровня разводки проводят ионами металлов...

Номер патента: 1669333

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Воронин, Герасимчик, Кречко, Круковский, Снитовский, Чертов

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, кмдп, схем

Способ изготовления КМДП интегральных схем, включающий формирование маски на поверхности монокристаллической кремниевой подложки, рисунка кармана, травление маски, последовательную имплантацию ионов, примеси n и p-типов, отжиг, формирование охранных областей, p- и n-транзисторов в n- и p-карманах и контактной системы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения внутренних напряжений в маске, маску формируют из термического окисла толщиной h, после чего проводят до создания рисунка кармана имплантацию ионов примеси n-типа с коэффициентом сегрегации m>1 и...

Номер патента: 1186030

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Борисов, Гурский

МПК: H01L 21/265

Метки: биполярного, кремниевого, планарного, создания, транзистора

Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора, включающий легирование путем облучения ионами расположенных над массивными областями базы и покрытых слоем окисла кремния участков поверхности сформированной транзисторной структуры и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных транзисторов путем уменьшения тока утечки через переход база - коллектор, легирование проводят ионами фосфора в слой окисла на глубину проецированного пробега, равную 0,6-0,8 толщины слоя, дозой 1012 - 1015 см -2, а отжиг проводят при температуре 573-723 K в течение 6·102 - 3,5·103 с.

Номер патента: 1683449

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/265

Метки: контактов, шоттки

Способ изготовления контактов Шоттки, включающий нанесение на полупроводниковую подложку с высокоомным эпитаксиальным слоем пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава и дополнительной металлической пленки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет снижения токов утечки и повышения термополевой стабильности, нанесение пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава осуществляют ионно-лучевым методом в два этапа, причем на первом этапе наносят слой толщиной 25-35 нм при плотности мощности разряда 5-7×104Вт/м2, а на втором этапе доращивают слой до 60-90 нм при плотности мощности разряда (1,0-1,5)·105...

Номер патента: 1163765

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Войтик, Гурский

МПК: H01L 21/265

Метки: контактов, омических

Способ изготовления омических контактов, включающий легирование кремниевой подложки для создания мелкозалегающего p-n-перехода, нанесение барьерного слоя переходного металла, облучение его потоком ионов, нанесение токопроводящего слоя, термообработку в вакууме при температуре 673-1073 K, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, легирование кремния проводят до получения поверхностной концентрации 8·10 23 - 8·1024 м-3, а в качестве барьерного слоя используют пленку тантала или вольфрама.

Номер патента: 1292601

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Борисов, Гурский, Симонов

МПК: H01L 21/265

Метки: ионного, легирования

Установка ионного легирования, включающая последовательно расположенные в вакуумной камере источник многозарядных ионов, масс-сепаратор, состоящий из магнита с полюсами, выполненными в форме секторов в плоскости, перпендикулярной магнитным силовым линиям, и расположенного между полюсами и повторяющего их форму в той же плоскости ионопровода, ускорительную трубу и подложкодержатель, отличающаяся тем, что, с целью увеличения производительности и возможности регулирования профиля концентрации внедренных ионов, каждый из секторов выполнен из n частей в форме полукольца и расположенных внутри него четвертьколец, изготовленных из однородных магнитных материалов, средние радиусы полукольца и...

Номер патента: 1144560

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Борисов, Гурский, Круковский

МПК: H01L 21/265

Метки: ионного, легирования

Установка ионного легирования, содержащая систему формирования и транспортирования пучка ионов, блок измерения дозы с усилителем постоянного тока, приемную камеру с расположенным в ней контейнером с кассетами, в которых выполнены сквозные пазы, совмещенные с датчиками Фарадея, находящимися внутри контейнера и электрически соединенными с входом усилителя постоянного тока, отличающаяся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, установка дополнительно содержит кристалл биполярного планарного транзистора, размещенный на кассете, и блок измерения времени рассасывания биполярных транзисторов, электрически соединенный с кристаллом транзистора, причем поверхность кристалла со...