Способ изготовления структур диэлектрик-полупроводник типа а iiвvi
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Способ изготовления структур диэлектрик - полупроводник типа АIIВVI, преимущественно Cdx Hg1-x Tl, где х=0,2-0,3, включающий анодное окисление поверхности полупроводниковой пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур, перед анодным окислением поверхность пластины подвергают ионному легированию до концентрации 1014-1016 см-2 элементом второй группы периодической системы, порядковый номер которого не превышает наименьшего порядкового номера элемента второй группы, входящего в состав соединения АII ВVI, а анодное окисление проводят на глубину залегания легированного слоя.
Заявка
3081448/28, 02.01.1984
Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина
Алехин Анатолий Павлович, Васенков Александр Анатольевич, Емельянов Аркадий Владимирович, Чегнов Владимир Петрович, Чегнова Ольга Ивановна
МПК / Метки
МПК: H01L 21/265
Метки: iiвvi, диэлектрик-полупроводник, структур, типа
Опубликовано: 20.08.2006
Код ссылки
<a href="https://patents.su/5-1840208-sposob-izgotovleniya-struktur-diehlektrik-poluprovodnik-tipa-a-iivvi.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления структур диэлектрик-полупроводник типа а iiвvi</a>
Предыдущий патент: Полупроводниковый прибор
Следующий патент: Устройство для измерения оптических передаточных функций объективов
Случайный патент: Устройство для подачи цоколей к полуавтомату намазки цоколей