H01L 21/265 — с внедрением ионов

Номер патента: 1797403

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Алешин, Енишерлова-Вельяшева, Казакевич, Мордкович, Русак

МПК: H01L 21/265

Метки: внутренним, геттером, кремниевых, структур, эпитаксиальных

...определяющих дефектообразование в материале,Технология эпитаксиального наращивания на кремнии практически всегда включает процесс газового травления, обеспечивающий очистку поверхности перед эпитаксиальным наращиванием. Проведение газового травления необходимо и в предлагаемом варианте в целях очистки, однако в заявляемом варианте накладывается определенное условие, оговаривающее возможную толщину удаляемого в процессе га 1797403зового травления слоя материала. он должен составлять; 0,1-02 Вр где Йр средний проецированный пробег ионов кислорода и углерода, Именно при этом условии, как экспериментально было показано, удастся пол учить чистый бездефектный слоЯ у поверхности подложки и наиболее совершенные эпитаксиальные пленки, При...

Номер патента: 1813303

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Астафурова, Сухов, Хаханова, Чагина, Штыров

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, структур

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки первого типа проводимости каналоограничительных областей путем локального окисления, получение подзатворного окисла, осаждение слоя поликремния, формирование рисунка плавающего затвора, имплантацию примеси второго типа проводимости, окисление плавающего затвора, формирование управляющего затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных полупроводниковых структур за счет улучшения качества диэлектрической изоляции плавающего затвора, перед окислением плавающего затвора проводят дополнительную обработку структуры в водном растворе фтористоводородной кислоты состава 1:100-1:10.2. Способ по п.1, отличающийся тем,...

Номер патента: 1671071

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Козейкин, Перинский, Школьников

МПК: H01L 21/265

Метки: металлизации, формирования

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ, включающий формирование фоторезистивной маски поверх металлизированной разводки из меди или медных сплавов, имплантацию ионов электрически неактивных примесей, удаление фоторезистивной маски и формирование топологии металлических контактов, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет исключения растрава металлизации и повышения технологичности за счет снижения металлоемкости процесса, имплантацию проводят в участки поверхности металлизированной разводки вне областей контактов дозой Ф 6,0 1014 см-2 с энергией 40 90 кэВ, а топологию контактов формируют гальваническим осаждением...

Номер патента: 1630565

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Коляденко, Романов

МПК: H01L 21/265

Метки: кремний-на-изоляторе, структур

...40 мин.Кроме того, уплотняющий отжим проводятпри температурах 200 С в течение 1,5 ч и500 С - 20 мин,З.Ионно-стимулированный рост монокристаллической пленки от границы с ПКосуществляют облучением ионами через маску в виде решетки из полосок тантала шириной 0,3 мм с зазорами 0,3 мм - 1 мм при+следующих условиях: ион Хе, энергия140 кэВ, доза 10 6 см 2, температура 500 С.П р и м е р 2. Структуру, полученнуюаналогично пунктам 1 и 2 примера 1, обрабатывают по п.З при следующих условиях: ион Хе, энергия 140 кэВ, доза1 з 1 +5 10 см, температура 400 С.П р и м е р 3, Структуру, полученнуюаналогично пунктам 1 и 2 примера 1, обрабатывают по п,З, при следующих условиях(комбиникованное облучение):ИонАз,Энергия 130 кэВ, доза - 10 см 280 кэВ - 10 см...

Номер патента: 1422904

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Прохоров, Сазонов

МПК: H01L 21/265

Метки: структур, формирования, эпитаксиальных

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР, включающий нанесение маскирующего слоя на кремниевую подложку, вскрытие окон в слое, введение легирующей примеси, отжиг для активации легирующей примеси, эпитаксиальное наращивание, создание нарушенного слоя на рабочей стороне подложки путем имплантации ионов нейтральной примеси, отжиг для образования геттерирующих центров, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур при одновременном упрощении способа, на кремниевой подложке дополнительно формируют p+ скрытый слой ионной имплантацией легирующей примеси через маску, нарушенный слой создают ионной имплантацией через ту же маску непосредственно после введения легирующей примеси, а отжиг для образования геттерирующих...

Номер патента: 1795821

Опубликовано: 10.10.1995

Авторы: Гумаров, Петухов, Хайбуллин

МПК: H01L 21/265

Метки: дисилицида, кобальта, кремнии, мезотаксиальных, слоев

...тем, что визвестном способе получения мезотаксиального дисилицида кобальта в кремнии, включающем ионную бомбардировку монокристаллического кремния ионами кобаль та, процесс бомбардировки осуществляютпри плотности ионного тока, превышающей 30 мкА/см, Предложенное техническое ре- .шение обеспечивает возможность создания специального условия для получения мезо таксиального слоя непосредственно во время бомбардировки, Таким условием является повышение средней за период сканировавния ионного пучка плотности ионного тока ) до значений выше 30 мкА/см.40 Такое увеличение ) приводит во-первых, квозрастанию температуры облучаемой подложки и, во-вторых, к повышению плотности радиационных дефектов в приповерхностном слоем, Оба приведенных...

Номер патента: 1491262

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Белохвостикова, Дединец, Дубровская, Филатов

МПК: H01L 21/265

Метки: арсенид-галлиевой, интегральной, схемы

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ на структурах n+ - n - i - типа, включающий анодное окисление n+ - слоя по всей поверхности пластины за исключением областей истока и стока полевых транзисторов путем маскирования этих областей слоем двуокиси кремния, создание омических контактов на основе металлизации AuGe, формирование изоляции активных областей транзисторов протонной бомбардировкой с использованием в качестве защитного покрытия над активными областями полевых транзисторов фоторезистивной маски, формирование алюминиевых затворов, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных изделий путем улучшения электрических параметров транзисторов, после проведения анодного окисления...

Номер патента: 1828717

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Елисеев, Кузнецов, Старостин

МПК: H01L 21/265

Метки: группового, ионного, легирования, пластин, полупроводниковых

УСТАНОВКА ГРУППОВОГО ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, содержащая систему вертикального электростатического сканирования ионного пучка, барабан для размещения полупроводниковых пластин на его боковой поверхности, установленной с возможностью вращения вокруг своей оси и маску с окном, расположенную между системой вертикального сканирования и боковой поверхностью барабана, отличающаяся тем, что, с целью расширения области применения, окно в маске выполнено в виде щели, имеющей переменную в вертикальном направлении ширину.

Номер патента: 1135378

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Коваленко, Лукасевич, Манжа, Патюков, Рябов, Щепетильникова

МПК: H01L 21/265

Метки: биполярных, интегральных, транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование в полупроводниковой подложке первого типа проводимости скрытого слоя второго типа проводимости, формирование эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование боковой диэлектрической изоляции, нанесение поликремния, маскирование нитридом кремния области эмиттера, формирование пассивной базы ионным легированием примесью первого типа проводимости, термическое окисление поликремния, удаление нитрида кремния, формирование активной базы и эмиттера путем ионного легирования примесями первого и второго типа проводимости с последующей термообработкой, формирование контактов к активным областям транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения...

Номер патента: 1814432

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/265

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, схем, шоттки

...получить максимальный эффектувеличения высоты потенциального барьера высокобарьерных диодов Шоттки при минимальных токах утечки обратной ветви. Известно, что в процессе образования дисилицида титана на 1 нм . толщины слоя титана расходуется 2,27 нм толщины кремния. Таким образом, на взаимодействие, например, 45 нм титана расходуется 103 нм слоя кремния, что требует применения ионной имплантации бором с энергией 30 кэВ.Реализация самосовмещенной технологии формирования дисилицида титана с помощью одностадийной импульсной фотонной обработки в указанных режимах позволяет получать величины максимального логического перепада при минимальном 2 уровне легирования акцепторной примесью за счет большей степени электроактивации,. более...

Номер патента: 1215550

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Казуров, Манжа, Патюков, Попов, Чистяков, Шурчков

МПК: H01L 21/265

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ P-N-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, формирование глубокого коллектора, окисление меза-областей, создание базовой области, осаждение нитрида кремния, вскрытие окон в диэлектрических слоях к коллектору, активной и пассивной части базовой области, осаждение пленки поликристаллического кремния, ионное легирование вскрытых в диэлектрических слоях областей через пленку поликристаллического кремния, одновременный отжиг ионнолегированных слоев и формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после вскрытия окон в диэлектрических слоях проводят ионное подлегирование активной части базовой...

Номер патента: 1371445

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Манжа, Патюков, Чистяков

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, транзисторов

...250-300 нм. Осаждают первый слой поликремния толщиной 300 нм, маскируют его нитридом кремния толщиной 100- 150 нм и под защитой фоторезистора в Я зй 4 вскрывают окна о местах комбинированной изоляции и осуществляют селективное окисление первого слоя голикремния при Т = 1123 К и Р = 10 атм. Удаляют нитрид крем ния, ионным легированием вводят бор с Е = =60 кэВ и О = 3,7510 сгл о первый слой13 -2поликремния и осаждают окисел кремния толщиной 500 нм. Под защитой фоторезистд плазмохимическим травлением удаляют окисел кремния и первый слой поликремния и осаждают окисел кремния иэ паров дихлорсилана и закиси азота при Т = 1123 К прн пониженном давлении, толщиной 500 нм, Далее ионно-реактивным травлением удаляют окисел кремния со дна...

Номер патента: 1586457

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Ашуров, Кулагина, Лютович, Хикматиллаев

МПК: H01L 21/265

Метки: гетероэпитаксиальных, кремния, сапфире, структур

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ НА САПФИРЕ, включающий испарение в вакууме, очистку поверхности подложки ионным травлением и осаждением кремния на разогретую поверхность подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества гетероэпитаксиальных структур за счет улучшения кристаллической структуры эпитаксиального слоя, полное травление производят с помощью частично ионизированного потока кремния энергией 1-3 кэВ, со степенью ионизации 10-20% при температуре подложки 800-1100oС, а осаждение кремния осуществляют из того же потока с энергией 0,05 0,5 кэВ, степенью ионизации 0,5 10% при температуре подложки 450-700oС со скоростью 0,1-1 мкм/ч.

Номер патента: 1574110

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Гузаева, Москалев, Нечаев

МПК: H01L 21/265

Метки: барьером, полевых, транзисторов, шоттки

Способ изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки, включающий формирование n-слоя в подложке полуизолирующего арсенида галлия путем имплантации ионов донорной примеси, внедрения кислорода по крайней мере в области канала и термический отжиг, изоляцию активных областей транзистора и формирование металлических электродов к транзисторной структуре, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов, создания резкого градиента распределения концентрации донорной примеси на границе раздела n-слой подложка и уменьшения влияния перераспределения примесных атомов из подложки в n-слой, имплантацию ионов кислорода проводят перед имплантацией ионов донорной примеси с энергией и дозой ионов кислорода, обеспечивающими...

Номер патента: 1782139

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Крымко, Манагаров, Марков

МПК: H01L 21/265

Метки: виртуальной, заряда, областью, переносом, прибора, фазы

Способ изготовления прибора с переносом заряда с областью виртуальной фазы, включающий операции окисления и ионного легирования для создания ступенчатого профиля легирования подложки, нанесения проводящих слоев, фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения воспроизводимости процессов легирования, после нанесения первого проводящего слоя ионное легирование примесью противоположного подложке типа проводимости осуществляют в три стадии, последовательно вскрывая в проводящем слое окна, равные размеру каждой ступеньки профиля легирования в виртуальной области, начиная с максимального легирования, после чего наносят второй проводящий слой, контактирующий с первым, вскрывают его над областью виртуальной...

Номер патента: 1428116

Опубликовано: 10.03.1997

Авторы: Виноградов, Зеленова

МПК: H01L 21/265

Метки: коллекторных, областей, р-n-р-транзисторов, создания

Способ создания коллекторных областей p-n-p-транзисторов, создаваемых на одной подложке с n-p-транзисторами в составе интегральной схемы, включающий создание высоколегированной области коллектора p+-типа вертикального p-n-p-транзистора в подложке, формирование низколегированной области коллектора путем эпитаксиального наращивания пленки n-типа и одновременной диффузии из высоколегированной области коллектора p+-типа, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров интегральной схемы за счет повышения пробивного напряжения перехода коллектор-база p-n-p-транзистора и улучшения воспроизводимости параметров p-n-p-транзисторов, низколегированную область коллектора p-n-p-транзистора создают путем...

Номер патента: 795319

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Гаштольд, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: памяти, элементов

Способ изготовления элементов памяти, включающий последовательное формирование на полупроводниковой подложке первого туннельно тонкого слоя диэлектрика, второго слоя диэлектрика, обладающего эффектом запоминания, и электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения времени хранения записанной в элемент памяти информации, перед формированием электрода производят ионное легирование второго слоя диэлектрика ионами элементов из группы веществ, атомный вес которых превышает атомный вес каждого из составляющих диэлектрик элементов, включающей фосфор, аргон, галлий, мышьяк и криптон, с дозой (5 1014 - 1

Номер патента: 786712

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, пластин

Способ обработки кремниевых пластин, включающий механическую обработку поверхности и термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров кремния за счет снижения концентрации дефектов, перед отжигом пластины облучают ионами кремния дозой 5 1014 - 5 1016 см-2 и энергией, обеспечивающей выполнение условия:R d,где R - глубина проникновения ионов в пластину.d - толщина нарушенного механической обработкой приповерхностного слоя...

Номер патента: 1389598

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Вяткин, Данилин, Ерохин, Жолудев, Иванов, Калинин, Копецкий, Литовченко, Медвидь, Мордкович, Попов, Романюк, Рудской, Темпер, Устинов, Шаповалов

МПК: H01L 21/265

Метки: многослойных, структур

1. Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого диэлектрика путем внедрения ионов кислорода с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур, в подложку дополнительно внедряют ионы азота при соотношении атомов внедренного кислорода и азота в пределах 0,5-2,5 и суммарной объемной концентрации внедренных атомов (0,8-3,0) 1022 см-3.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что внедрение ионов азота проводят при энергии ионов на 80-100 кэВ меньшей, чем энергия ионов кислорода.

Номер патента: 1304666

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Герасименко, Дульцев, Репинский, Соломатина, Цейтлин

МПК: H01L 21/265

Метки: кремния, локального, окисла, слоев, сухого, травления

1. Способ локального сухого травления слоев окисла кремния, включающий обработку поверхности газообразным фтористым водородом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества оставшейся пленки окисла и подложки в областях травливания, перед травлением участки пленки, подлежащие стравливанию, облучают ионами дозами 1013 < D < 1016 см-2, энергиями 1 кэВ < E < Емакс, где Емакс - энергия ионов, глубина проникновения которых равна толщине пленки, затем выдерживают в ненасыщенных парах воды в течение 0,1-120 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени обработки, после ионного облучения проводят...

Номер патента: 1545845

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников, Стась, Сухих

МПК: H01L 21/265

Метки: изоляторе, кремний, структуры

Способ получения структуры "кремний на изоляторе", включающий имплантацию в кремниевую подложку ионов кислорода (азота) с дозами и энергиями, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния (нитрида кремния) под слоем кремния, и нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структуры, имплантацию и нагрев проводят в два этапа: на первом этапе имплантируют часть поверхности кремниевой подложки так, чтобы имплантируемые области чередовались с неимплантированными, и проводят нагрев, а на втором имплантируют только неиплантированную на первом этапе поверхность кремниевой подложки и проводят нагрев.

Номер патента: 1151149

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Суртаев

МПК: H01L 21/265

Метки: покрытий, полупроводниковых, проводящих, структурах

Способ изготовления проводящих покрытий на полупроводниковых структурах, включающий нанесение металла на структуру, формирование требуемой конфигурации металла, отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структур путем предотвращения окисления металлизации, после нанесения металла на структуру проводят облучение структуры ионами бора дозой 5 1015-5 1018 ионов/см-2, энергией 0,5-250 кэВ, а отжиг проводят при температуре 1100-1400 К, в течение 15-60 мин или путем обработки СВЧ излучением с основной...

Номер патента: 1450665

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: n-p-переходов, контактов, мелких, ним, создания

Способ создания мелких n-p-переходов и контактов к ним, включающий операции ионного легирования, термообработки и нанесения покрытия из силицидообразующего металла, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет устранения опасности проплавления n-слоя при уменьшении его толщины, в качестве силицидообразующего используют металл, обладающий величиной электроотрицательности, Хм, удовлетворяющей условию: Хм > Хпр > Xgi, где Хпр - электроотрицательный легирующей примеси, Xgi - электроотрицательность кремния, а термообработку проводят после нанесения покрытия из силицидообразующего металла при 550-1100 К в...

Номер патента: 1626996

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников, Стась, Сухих

МПК: H01L 21/265

Метки: изоляторе, кремний, структур

Способ получения структур "кремний на изоляторе", включающий имплантацию ионов кислорода или азота в кремниевую подложку с энергиями и дозами, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния или нитрида кремния под слоем кремния, в два этапа на первом этапе имплантируют часть кремниевой подложки так, чтобы имплантированные области чередовались с неимплантированными, и проводят нагрев, а на втором этапе проводят имплантацию ионов только в неимплантированную часть поверхности кремниевой подложки и проводят нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения выхода годных приборов, изготовленных на основе структур "кремний на изоляторе" за счет формирования...

Номер патента: 1217182

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Суртаев

МПК: H01L 21/265

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, формирование силицида металла в окнах и последующий высокотемпературный прогрев, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности диода за счет устранения бокового роста силицида, после фотолитографии по металлу, но до высокотемпературного прогрева участки металла над окислом облучают ионами N+2 дозой 1015 - 1016 ион/см2 с энергией, обеспечивающей пробег ионов на 0,50 - 0,75 толщины металла.

Номер патента: 1530009

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Калинин, Суртаев

МПК: H01L 21/265

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов Шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, внедрение ионов N+2 и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью упрощения производительности, снижения затрат изготовления, ионы N+2 или O+2 внедряют в процессе обработки в плазме с напряжением 0,5 - 10 кВ в дозой облучения 1014 - 1016 ион/см2.

Номер патента: 1025286

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Цейтлин

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, моп, схем

Способ изготовления МОП интегральных схем, включающий окисление кремниевой пластины, создание легированных областей истока и стока, нанесение контактов электродов на затворный диэлектрик и проводящих покрытий контактных дорожек, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции МОП интегральных схем на кремниевой пластине путем повышения порогового напряжения паразитных транзисторов и упрощения технологии, после нанесения контактов к истоку и стоку и электродов на затворный диэлектрик, проводят обучение структуры ионами водорода дозами 1016-1018 см-2 с энергией от 50 эВ, соответствующей глубина пробега ионов Rр такой, что Rр...

Номер патента: 1552933

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Вылеталина, Данилин, Дракин, Мордюкович

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика путем проведения повторяющихся циклов имплантации ионов азота - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 10 1016 см-2, а суммарная доза 2 - 6 1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет повышения изолирующих свойств диэлектрика, перед проведением повторяющихся циклов проводят имплантацию ионов кислорода с дозой 0,5 - 10

Номер патента: 1499609

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Борун, Бузылев, Данилин, Метакса, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в подложке скрытого слоя диэлектрика путем ионной имплантации азота и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа при одновременном улучшении качества структур путем уменьшения дефектности приповерхностного слоя кремниевой подложки, процесс проводят повторяющимися циклами имплантация - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 10 х 1016 см-2, а суммарная доза 2 - 6 х 1017 см-2.

Номер патента: 1452395

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Бузылев, Данилин, Ерохин, Иванов, Метакса, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: многослойных, структур

Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя изолятора методом ионной имплантации с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью улучшения структурных и электрических параметров, имплантацию проводят последовательно ионами углерода дозой 0,8 - 3 1016 см-2, а затем ионами инертных газов дозой 1,75 - 2,5 х 1014 ехр/79(Ми - 2,3) см-2, где Ми - масса иона инертного газа, при этом соотношение энергий ионов углерода и ионов инертного газа выбирают из условия, что отношение среднепроецированных пробегов ионов углерода и инертного...