Чегнов

Номер патента: 1840208

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Васенков, Емельянов, Чегнов, Чегнова

МПК: H01L 21/265

Метки: iiвvi, диэлектрик-полупроводник, структур, типа

Способ изготовления структур диэлектрик - полупроводник типа АIIВVI, преимущественно Cdx Hg1-x Tl, где х=0,2-0,3, включающий анодное окисление поверхности полупроводниковой пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур, перед анодным окислением поверхность пластины подвергают ионному легированию до концентрации 1014-1016 см-2 элементом второй группы периодической системы, порядковый номер которого не превышает наименьшего порядкового номера элемента второй группы, входящего в состав соединения АII ВVI, а анодное окисление проводят на глубину залегания легированного...