G11C 11/40 — транзисторов

Номер патента: 1363306

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Сидоренко, Урбанович, Юхименко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее

...устройство работает следующим образомИнформационная емкость накопителей 1 и 2 одинакова, а их сумма составляет информационную емкость ЗУ. Если принять, что одновременно опрашиваются и элементов накопителей, то число опрашиваемых элементов в накопителях 1 и 2 соответствует и/2,Адреса дефектных столбцов определяются при обычном функциональном контроле ЗУ. При обнаружении одного или нескольких одноименно опрашиваемых столбцов в соответствующем накопителе ( или 2) адрес этого столбца запоминается в первом блоке 21 или 22, При одновременном появлении дефектов в одноименных стобцах накопителей 1 и 2 адреса стобцов Фиксируются отдельно в одном из блоков 21 и в соответствующем блоке 22 (практика показывает, что вероятность такого события...

Номер патента: 1365129

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Варшавский, Кравченко, Мараховский, Цирлин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, моп-транзисторах

...састояния последней не лрсисха,:,и, . после того, как на выходе элемента 1 появляется высокий потенциал, та зыхаде элемента О появляется:иэкий лстенциал, а затем на выходеипвертора 12 и выходе 18 устройства -вьсокийт чта, как и в режще ттения,25 является признакзавершения переходных пг 1;де с сов. Есни ттнфарматтия,устаовгенная на информационных входах 16 и 17 устройства, противоположна ра;.ее записан; , в элемент 1,з раис ходт те рекзпслззие последнего..".зи:там, .несмотря на высокий потенцал на гг ходе элем=нта 1 , переключенс элемента 10 не происходит дотех лар, пака в элементе 1 не устанавливается требуемое состояние. Вэтом случае сначала на обеих шинах13 и 14 появляется низкий потенциалЗатем, когда информация записываетсяв...

Номер патента: 1372357

Опубликовано: 07.02.1988

Авторы: Абрамов, Гуминов, Эннс

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее

...особенность работы полусумматора 12 позволяет устранитьложные выбросы напряжения на входахи, соответственно, на выходах дешифратора 5 при переключении ЗУ из ре 1372357жима хранения в режим считывания информации, что обеспечивает надежнуюработу ЗУ в целом. Только после прохождения информационного сигнала поцепи с наибольшей задержкой возбуждается один из выходов дешифратора5, соответствующий ошибочному разряду, либо возбуждения не происходит,если ошибки не быпо,Предлагаемое выполнение полусумматоров и построение на их основекаскадов суммирования блока обнаружения ошибок позволяет использоватьбездефектные ЗУ, в которых не требуется производить коррекцию ошибок,в режиме работы с повышенным быстродействием. Блоки обнаружения и исправления...

Номер патента: 1372358

Опубликовано: 07.02.1988

Авторы: Львович, Приходько, Фастов, Щетинин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, постоянное, программируемое

...ПРИ 6 лг.сп и сд гиии сопротивления перемычки, , Е,руженные при таком режиме 51015 35 40 45 контроля не полностью пережженные перемычки могут быть подвергнуты дальнейшему программированию до полного пережигация перемычек, благодаря чему будет повышена надежность ИС и коэффициент просраммиронае(ия, ИС, которых перемычки це удаетгя дожечь, должнь быть забракованы, При отбраковке целых перемычек, имеющих недопустимо большое сопротивсееие, порог переключения выходного усилителя 8 изменяется таким образом, что переключение угилителя 8 происхопит при большем токе считывания, соответсе - есееЕеЕО при меньшем сопротинлении перемычки (фиг,2).Степень изменения в ту или иную сторону порога переключения ныходцого усилителя 8 ньбирается...

Номер патента: 1376118

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Баранов, Герасимов, Григорьев, Кармазинский, Поплевин, Савостьянов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, накопитель, оперативного, устройства

...записываемой информации. Затем на соответствующие входы, например, 15, и 14, подается напряжение "Лог,1" 30 При этом выбирается соответствующая ячейка, например, 1, и открываются транзисторы 12, и 12 выбранного столбца матрицы, через которые напряжение с входов 13 и 13 передается 35 на шины 11, и 11 выбранного столбца, что приводит благодаря открытым транзисторам 7-10,выбранной ячейки к записи информации в эту ячейку.Особенностью режима записи, например, в ячейку 1, противоположной информации (фиг. 2), например для случая записи "0", когда на прямые входы 13, и шину 11, подаются нули, является то что уровень напряжения 45о13 на нине 11 должен быть достаточнано низким (не более порогового напряжения транзисторов), а второе...

Номер патента: 1377913

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Брагин, Лашевский, Сегаль

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее

...отпирая адресные транзисторы в соответствующих элементах 1 памяти информационных разрядов и элементе 2 памяти контрольного разряда, Считываемая нз элементов 1 памяти информация через соответствующие усилители 13 считы- . вания поступает на входы элементов 8, на другие входы которых с элемента 2 памяти контрольного разряда через усилитель 14 считывания контрольного разряда поступает сигнал, который при наличии в слове дефектного элемента памяти инвертирует считываемую информацию (на элементе 8),и, таким образом, исправляет сигнал; считанный из дефектного элемента памяти, поскольку он не инвертируется при повторной записи из-за неисправности элемента памяти (информация в де- фектном элементе памяти не изменена), Информация с исправных...

Номер патента: 1381597

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Дичка, Корнейчук, Самофалов, Сидоренко, Чернов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, постоянное

...разрядов обеспечивало маскирование как можно большегоколичества отказов. Если при записи словав накопитель в некотором разряде ячейки имеется отказ, то группа разрядов исходного слова, включающая разряд, подлежащий записи в отказавший запоминающий элемент ячейки, при условии несовпадения записываемой цифры и типа отказа (О или 1), инвертируют, а в соответствующий дополнительный разряд записывают 1, Затем преобразованное таким образом слово вместе с дополнительными разрядами кодируется кодом Хемминга и результат заносят в память: в накопителе 1 хранится преобразованное слово и контрольные разряды кода Хемминга, а в накопителе 2 - разряды инвертирования. Перечисленные операции выполняются при изготовлении ПЗУ.40 Чтение информации...

Номер патента: 1383442

Опубликовано: 23.03.1988

Авторы: Перепелкин, Путинцев, Скосырский

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, постоянное, программируемое

...какого-либо адресного формирователя напряжений выше Опор на первом и втором выходах этого формирователя устанавливаются уровни логического нуля. Наличие уровней логического нуля на одной паре входов дешифраторов 2 и 3 приводит к тому, что ни один из выходов дешифраторов не выбирается, если дешифраторы не имеют дефектов,Поочередно подавая на каждый вход адресных формирователей напряжение, превышающее порог срабатывания порогового элемента 11, и осуществляя перебор входных сигналов на остальных адресных входах, в случае исправного устройства ток через элемент памяти отсутствует. При этом на выходе усилителя 6 считывания устанавливается уровень логической единицы. 20 25 30 35 40 45 В случае дефектов, например обрыв на входе дешифратора 2,...

Номер патента: 1388947

Опубликовано: 15.04.1988

Автор: Якимаха

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...разрядной шины 9 на состояние элемента памяти. На вторук) числовую шину 14 5 1 О 25 ;б 3.3 гз 1 Г 5 О2поступает уровень О, который отпирает транзисторы 11 и 12, а на вторую разрядную шину 13 поступает уровень 1, который открывает транзисторы 1 и 2 первого инвертора независимо от их предыдущего состояния. При этом транзисторы 4 и 5 второго инвертора также открываются, а транзисторы 1 и 2 второго инвертора и транзисторы 4 и 5 первого инвертора закрываются,В режиме считывания записанной в элементе информации также возможны два случая работы. Съем уровня О целесообразен при подаче уровня 1 на числовую шину 10, тогда уровень О поступает через открытый транзистор 7 на разрядную шину 9. Если транзистор 2 второго инвертора заперт, то на...

Номер патента: 908230

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Кассихин, Хайновский

МПК: G11C 11/40, H03K 19/08

Метки: буферное, выходное

...напряжения.Пусть, теперь напряжение на вход ой шине 23 снижается и проводимость ранэистора 5 значительно падает, следствие этого нагрузочный транистор обедненного типа 1 повышает потенциал на затворах транзисторов 6 и 7, вызывая их отпирание и снижение их стоковых потенциалов. В силу происходящего разряда затворов транзисторов 9 и 11 их стоковые потенциалы могут повышаться. Вследствие того, что ток нагрузочного транзистора 4 протекает только на затвор транзистора 10 с нулевым пороговым напряжением, а при заряде транзистора 10 вызванный этим ток транзистора 10 заряжает исток этого транзистора, повышая его потенциал, затвор транзистора 10 представляет для инверторного каскада на транзисторах 4 и 9 меньшую емкостную нагрузку, чем...

Номер патента: 1047314

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Кассихин, Романов

МПК: G11C 11/40, G11C 11/4063

Метки: адресный, формирователь

...транзистора 3 обедненного типа,сток которого подключен к шине пита 35 ния 24, и транзистора 4 обогащенного 40 типа, исток которого подключен к шине общего потенциала, затвор - к выходу первого инверторного каскада 16, а сток подключен к затвору и истоку транзистора 3 в узле 17 - выходе вто рого инверторного каскада. Третий инверторный каскад содержит транзистор 5 обедненного типа, сток которого. подключен к шине питания 24, и транзистор 6 обогащенного типа, исток которого соединен с шиной общего потенциала, затвор - с выходом 17 второго инверторного .каскада, сток - с затвором и истоком транзистора 5 в узле 18 - выходном узле третьего ин 55 верторного каскада. Инверсный выход 19 подключен к шине питания 24 через транзистор 7,...

Номер патента: 440960

Опубликовано: 15.05.1988

Авторы: Болдырев, Гиновкер, Мокеев, Тепман, Хрящев

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...снижают надежность элемента памяти и ограничивают амплитуду импульсов записи.Цель изобретения - улучшить эксплуатационные характеристики и повысить надежность элемента памяти.Это достигается тем, что предлагаемая конструкция элемента памяти, кроме области двуслойного диэлектрика, обладающей эффектом запоминания,35 со слоем двуокиси кремния толщиной 15-40 А и слоем,нитрида кремния толщиной 600-1200 Л, содержит две дополнительные области двуслойного диэлектрика, прилегающие к области запоминания и имеющие толщину двуокиси кремния в 15-20 раз больше толщины слоя двуокиси кремния в .области запоминания.На фиг. 1 представлена конструкция предлагаемого элемента памяти; на фиг, 2 показан характер,.зависимости тока стока элемента памяти от...

Номер патента: 1397970

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Ефимов, Синица

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемента

...приобретает качества туннельно-тонкого516 . Установлено, что после отжигаслоя двуокиси кремния толщиной около10 нм в атмосфере аммиака, в диапазоне температур 1300- 1500 К происходит ласть двуокиси кремния толщиной 10 нм. Проводят отжиг структуры в атмосфере аммиака при температуре 1400 К в течение 20 мин. Осаждением из газовой фазы при взаимодействии силана с аммиаком при температуре 1260 К формируют область нитрида кремния. После чего наносят первую проводящую область 4. Формирование диффузионных областей 5 проводят внедрением ионов легирующей, примеси в приповерхностную область полупроводниковой подложки 1 с последующим отжигом. Нанесением второй проводящей области 11 формируют контактные области 6 - 8 к стоку, истоку и...

Номер патента: 1399816

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Королев, Львович, Фастов, Щетинин

МПК: G11C 11/40, G11C 8/10

Метки: дешифратор, программируемый

...1, в которой производится п ер ежи га ни е перемычки 3 . При этом формирователь 6 ,через элемент 5 задает высокие напряжения на первых выводах всех пер емыч ек 3 данной ячейки 1 . На вторых выводах перемычек 3 , кроме пер ежи г аемой , элементами И-Н Е 8 также уста новле н высокий потенциал , поэтому сгориттолько одна перемычка 3 ,В предлагаемом де шифр а т о ре сниж е нытребования к пробивному напряжениювыходного каскада , фо рмирующе г о уровень " 1 " на выходе элемента И- НЕ ,та к ка к в режиме пер ежи га ния выходывсех не выбра н ных для пер ежи г ания элементов И-НЕ 8 переводятся в состояни е с высоким потенциалом . Это и с ключает возможность пробоя выходных элементов в каскаде , формирующем уровень" 1 " на выходе элемента И- НЕ ,...

Номер патента: 1399817

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Королев, Фастов

МПК: G11C 11/40, G11C 8/10

Метки: дешифратор

...кбторого подключен к источнику питания, а другой - к анодам диодов 1 О, диодов 11; формирователь 2выборки выполнен на тиристоре 12;элемент 3 памяти состоит из транзистора 13, плавкой перемычки 14, транзистора 15, стабилизатора 16.Дешифратор работает следующим образом. иэ элементов И 1 оказываются под высоким потенциалом. Высокий потенциал с резистора 9 поступает на вход формирователя 2, выполненного на тиристоре 12, который включается и поднимает напряжение на базе транзистора 15 элемента 3 памяти. Затем на вход 6 подается высокое программирующее напряжение, при котором открывается стабилитрон 16 и транзистор 13. Транзистор 15 открывается, и его коллекторный ток осуществляет пережигание перемычки 14.Во всех остальных блоках 8...

Номер патента: 1403096

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Гарицын, Левченко, Симоненко

МПК: G11C 11/40

Метки: матричный, накопитель

...устройства на сим 50метричных тиристорных элементах памяти основан на использовании работыэлементов памяти в квазистатическомрежиме, что поясняется фиг, 2, где12 - элемент памяти, 13, 14 - тиристоры, 15 - генератор тока, 16 - ключ.Допустим, что элемент 12,памяти,составленный из тиристоров 13 и 14,находится в состоянии "0". Для выборки строки числовой шины (9 Фиг.2), в которой находится указанная запоминающая ячейка, необходимо суммарный ток хранения генератора 15 тока перераспределить между всеми элементами вдоль выбранной шины. Выборка элемента памяти в накопителе и управление им производится подачей импульсов на соответствующие разрядные шины (3 фиг. 1). При обращении к выбранному запоминающему элементу, чтобы не создавать...

Номер патента: 1405088

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Голтвянский, Дубчак, Костюк, Нагин

МПК: G11C 11/40, G11C 11/4063

Метки: записи, запоминающего, информации, матричный, мноп-элемент, мноп-элементе, накопитель, памяти, считывания, устройства

...с записанным зарядом сток инвертируется с истоком, т. е. подается напряжение= 6 = .,3, до появления тока в канале величицой 1 мкА.Экспериментальные зависимости (фиг. 1) резЯсняют принцип считывания информации, если ее записывать как со стороны стока, так и со стороны истока. Пусть к затвору элемента приложено некоторое напряжение Ц = -1-5 В, находящееся внутри межпороговой зоны МНОП-элемента., = 2 В, ) = 9 В). Если элемент находится ц исходном состоянии, то его выход. цая характеристика имеет виднезависичо от того, какой электрод является стоком, т. е. ток в канале идет при любом напряжении ца стоке (1, . Если произведена запись со стороны стока, то эта характеристика примет вид 2. При этом напряжение ( соответствует напряжению...

Номер патента: 1405089

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Голтвянский, Дубчак, Костюк, Нагин

МПК: G11C 11/40, G11C 11/4063

Метки: записи, запоминающего, информации, матричный, мноп-элементе, накопитель, памяти, считывания, устройства

...записи горячих электронов насток 5, соединенный с затвором 12, подаетсяимпульс (/л длительностью 10с, истокири этом заземлен. Принцип разогреваи инжекции электронов здесь аналогичентому, который используется в приборахс плавающим затвором, с той лишь разницейчто в данном случае захваченные электроныне растекаются вдоль канала, а сосредотачиваются на ловушках в нитриде кремниявблизи стока.В зависимости от режима записи длинаобласти вдоль канала со встроенными в диэлектрик зарядом колеблется вблизи значениямкм. При измерении эффективногопорогового напряжения такого транзисторас записанным зарядом сток инвертируетсяс истоком, т. е. подается напряжение Ь==(=l о до появления тока в канале величиной 1 мкЛ.Экспериментальные зависимости...

Номер патента: 1410101

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Мухопад, Чекмарев

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, постоянное

...1 О выделения единиц представляет собой схему, позволяющую выделить последовательно любую из единиц (начинаяС первой) из информационного кода на входе блока 10, и может быть реализован какрегистр сдвига,Схема контроля информации, входящаяв блок 9, формирует на своем выходе сигнал ошибки в том случае, если в группе 50Выходов накопителя не пришел единичныйсигнал или пришло два и больше единичныхсигналов. В этом случае на выходе 13 блокавыделения ошибки фиксируется сигналошибки. Блок синхронизации производитанализ информации о наличии ошибки на 55выходе 13. При наличии ошибок в нескольких группах на запрос устройства по входу 16 блока синхронизации на контрольном выходе 15 устройства начинается выдача номеров групп выходов накопителя, в...

Номер патента: 1411823

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Варшавский, Гольдин, Кондратьев, Цирлин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, моп-транзисторах

...подается на вход 23 управления записью устройства и на выходе элемента 17 появляется высокий потенциал, который открывает транзисторы 6 и 7, через которые на вход инвертора 13 поступает сигнал с информационного входа 22 устройства, а на вход инвертора 14 - его инверсия.Если информации, поступающая на вход 22 устройства, совпадает с ранее записанной в элемент 1, то изменения состояния последней не происходит и после того, как сработает один из инверторов 13 или 14 и на его выходе появится высокий потенциал, на выходе элемента 18 появится низкий потенциал, который вызовет появление высокого потенциала на выходе инвертора 15, т.е. на выходе 25 устройства, что свидетельствует о завершении переходных процессов в этой фазе работы...

Номер патента: 1411824

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Королев, Фастов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, резервированием

...Формирователи 11 необходимы для обеспечения тока,пережигающего перемычки 17. Для определения секции, в которой находится первый неисправный элемент памяти, на адресные входы подается код его адресов, а на входы формирователей 13, кроме соответствующего данной секции, подается низкое напряжение, разрешающее пережигание. Дешифратор 9 в соответствии с адресом выбирает первый из формирователей 11, который подает на первую строку матрицы 12 высокое напряжение, В результате в первой строке сгорают все перемычки 11, кроме третьей, Аналогичным образом пережигаются перемычки 15 в остальных строках матрицы 12.314 После этого устройство готово к работе.В рабочем режиме на устройство подается номинальное напряжение питания, При таком напряжении...

Номер патента: 1417036

Опубликовано: 15.08.1988

Авторы: Баринов, Гафаров, Титов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее

...обеспечивают надежное считывание информации из ЗУ. Сигнал с первого выхода блока 10 синхрониза" ции поступает на первый вход 20 ФИВ 13, имеющего характеристики, идентичные основным ФИВ 12, второй вход 26 ФЛВ 13 подключен к.шине 14 опорного напряжения, потенциал которой определяется в зависимости от сигналов, задаваемых ФИВ 12 в нормальных усло" виях. В результате на выходе ФИВ 13 формируется сигнал, имеющий характеристики, аналогичные характеристикам сигналов, вырабатываемых основными ФИВ 12, если бы в ЗУ не было бы блока 15 контроля. Сигнал с выхода дополнительного ФЛВ 13 поступает на вход 16 блока 15 контроля, на выходе 17 которого формируется сигнал с параметрами, зависящими от того, обеспез 14170чивают или нет параметры сигналов...

Номер патента: 1424055

Опубликовано: 15.09.1988

Автор: Новиков

МПК: G11C 11/40

Метки: переключающим, устройством

...переключающего элемента нестабильно и имеет разные значения взависимости от разброса параметровнитевидного кристалла, для повышениястабильности управления переключающего устройства после подачи постоянного напряжения на первый выводпереключающего устройства амплитудой, равной пороговому напряжениюпереключающего элемента, на второйвывод переключающего устройства подают переменное напряжение амплитудой 50-100 В и частотой 1-100 кГц,при этом йроисходит смешение рабочейточки переключающего устройства дотребуемого значения, Изменяя частоту50 нли амплитуду переменного напряжения, можно в широких пределах управлять характеристикой переключающего устройства, изменяя от характеристик, аналогичных характеристикам реэистнвного элемента,...

Номер патента: 1425782

Опубликовано: 23.09.1988

Авторы: Брагин, Лашевский, Шейдин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, оперативное

...соответствующих элементов ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ 16 второй группы. Напервые входы последних из элемента 3 памяти контрольного разряда накопиго элемента инвертирует в элементах 16 считываемую информацию, Таким образом, исправляется сигнал, считанный из дефектного элемента 2 памяти информационного разряда, поскольку он не инвертируется при повторной записи из-за неисправности элемента 2 памяти информационного разряда (информация в дефектном элементе неиз- .,менна), а инвертирование при считывании исправляет сигнал дефектной позиции. Информация из исправных элементов 2 памяти информационных раз 57824рядов остается неизменной, так какинвертируется дважды - гри повторнойзаписи и при считывании," С выходовэлементов 16 считываемая...

Номер патента: 1429166

Опубликовано: 07.10.1988

Авторы: Ахмеджанов, Лушников, Романов, Хван

МПК: G11C 11/40, G11C 8/10

Метки: дешифратор, запоминающего, резервированием, устройства

...1 адреса, код которого соответствует коду входного инвертора,,на выходе присутствует сигнал логической единицы, при этом у остальныхФормирователей 1 на выходе - сигналлогического нуля,На первом установочном входе 15ключевого элемента 3 уровень логической единицы понижается до такой степени, чтобы он не был выше уровня напряжения на выходе основного формирователя адреса, но чтобы поддержатьтранзистор 11 в других элементах воткрытом состоянии для разряда затвора второго. транзистора 12 ключевогоэлемента.В это же время на адресные входы7 подается результат сравнения кодаосновного адреса с кодом адреса резервного элемента. Если эти адресане совпадают, то результатом сравнения является сигнал логической единицы, и затворы транзистора 12...

Номер патента: 1429167

Опубликовано: 07.10.1988

Авторы: Брагин, Тенк

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, оперативное

...шину матричного накопителя 1 и 55вход элемента 3 задержки, а такжеодин из входов 16 второй группы. Врежиме считывания одна из разрядных шин 14 в каждом столбце матричногонакопителя 1 разряжается через соответствующий элемент 13 памяти накопителя 1, а разрядная шина 14 элемента3 задержки разряжается через один изтранзисторов 21, соединенный с возбуждаемым адресным входом 15 накопителя 1. Разряд шины 14 элемента 3 задержки (время заряда регулируетсяпараметрами транзисторов 21) происходит значительно быстрее разряда шин14 накопителя 1. По окончании разряда шины 14 элемента 3 задержки одновибратор 4 вырабатывает управляющийсигнал, запирающий транзисторы ключевых элементов 6 и 7. Транзистортретьего ключевого элемента 12 такжезапирается...

Номер патента: 1434499

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Кролевец, Сидоренко, Стиканов, Юхименко

МПК: G11C 11/40, G11C 11/4063

Метки: информации, мноп-элементе, памяти, считывания

...1 строке затвора транзистора Т 1,ю 4блока 7, открывая транзистор Т , 44 (транзистор Т; ,закрыт) и закрывая1адресные транзисторы Т,Т , где а - количество запоминающих транзисторов в строке. Формирователи 2 и б вырабатывают при этом нулевые потенциалы.45Напряжение стирания, вырабатываемое формирователем 5, воздействует одинаковым образом на затворную систему запоминающих транзисторов Т; и Т;Х;(по длительности и абсолютной величине напряжения), что при соответствующей длительности импульса стирания переводит транзисторы Т ,Т; Т , в состояние с одинаковым пороговым напряже 55 нием. В режиме "Считывание" формирователь 1 вырабатывает команды, обеспечивающие подключение блока 7 кстроке, открывая транзисторы Т;/ Т;, , Считывание информации из...

Номер патента: 1437918

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев

МПК: G11C 11/40

Метки: мноп, памяти, перепрограммирования, транзисторе, ячейки

...подаваяна затвор запоминающего МНОП-транзистора импульс напряжения стирания самплитудой не меньшей амплитуды импульса напряжения записи, напримерравной ей и составляющей 25 В, и длительностью 5 мс (фиг. 1); В результате воздействия этого импульса пороговое напряжение запоминающего транзистора увеличивается и станет равным, например, 4,0 В, причем это произойдет на фоне некоторого общегосдвига межпороговой зоны этого транзистора. Затем пороговое напряжение50уменьшают до значения, соответствующего стертому состоянию, подавая на затвор запокнающего транзистора, например, импульс напряжения той же полярности,но с амплитудой, например, 20 В, В результате этого пороговое напряжение запоминающего транзистора уменьшается на 1,5-2,0 В, что...

Номер патента: 1437919

Опубликовано: 15.11.1988

Автор: Кушниренко

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...Если на конденсаторе 1 напряжение +5 В (состояние лог "1") то открывается транзистор 5 и конттенсатор 1 псдза-. ряжется до напряжения +5Вторым .источником 9 напряжения.Если конденсатор 1 аряжается НалряжЕНИЕМ -5 3 (СССТСЯ 11 ИЕ ЛС п),то открывается транзистор 4 и конденсатор 1 подзаряжется до напряжения -5 Б первым источником 8 напряжения,формула изобретенияЯчейка памяти, содержащая первый элемент И, первый и нторой входы которого являются соответственно информационным входом и Входом записи тчейки памяти, второй элемент И,перВьй вход которого соединен с выходом первого элемента И, а второй вход и Выход являются соответственно входом считывания и информационным выходам ячейки, накопительный элемент на конденсаторе, первый нынад...

Номер патента: 1439679

Опубликовано: 23.11.1988

Авторы: Лашевский, Попова

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, информации, коррекцией, оперативное, полупроводниковое

...Неравнозначность 25 блока 19, на другие входы которых подается записываемая информация, Производится поразрядное сравнение записанной и считанной в процессе контрольного считывания информации и, если она совпадает, то на всех выко439679. 5 10 20 25 30 3540 4550 ВНИИПИ Заказ 6085/53 Тираж 5".О Подписное Произв.-полигр, пр-тке, г. Ужгород,. ул. Проектная, 4 дах элементов 25. формируются сигналы Лог,1 , а на выходе блока 19 -сигнал Лог. 0", свидетельс твуюшкйоб отсутствии ошибки в записанной поданному адресу информации. На этомпроцесс записи заканчивается,При этом, на входе элемента И 22появляется сигнал, "Лог.О исигнал разрешения записи с выходаэлемента 13 задержки не проходит наблоки 14 и 24. Если же информация, считанчая из накопителя 5...