Способ перепрограммирования ячейки памяти на мноп транзисторе

(594 С ЫЙ КОМИТЕТ СССРРЕТЕКИЙ И ОТКРЫТИЙ ОСУДАРСТВЕНПО ДЕЛАМ ИЗ ДЕТЕПЬСТ Н в В.В. ЗУМикр оэл ектприборы/(54) (57) СПОСОБ ПЕРЕПРОГРАММИРОВАНИЯЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ НА МНОП-ТРАНЗИСТОРЕ,заключающийся в подаче на затворМНОП-транзистора импульса напряжениязапись-стирание амплитудой порогазаписи логической "1", о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью увеличения числа циклов перепрограммирования ячейки памяти, перед подачейимпульса напряжения записи на затворподают дополнительный импульс напряжения стирания амплитудой, котораяне превышает амплитуду импульса записи.Изобретение относится к запоминающим устройствам и может быть использовано для программирования энергонезависимых ЗУ на основе МНОП-тран 5зисторов,Цель изобретения - увеличение числа циклов перепрограммирования ячейки памяти.На фиг, 1 приведена временная пос" 10ледовательность импульсов напряжения,подаваемых на затвор запоминающегоМНОП-транзистора, на фиг. 2 - зависимость пороговых напряжений элемента памяти в логических состояниях1 - Н (1) и "0" - Б,.(0) от числациклов перепрограммирования, причемсплошными линиями показаны эти зависимости при преимущественной записи лог. "1" пунктиром и штрихпунктиром - зависимости при преимущественной записи лог, "0" в случае предлагаемого и известного (прототина),способов управления соответственно.Перепрограммирование ячейки намяти, согласно предлагаемому способу,осуществляется следующим образом.Пусть, для определенности, низкоезначение .порогового напряжения запоминающего МНОП-транзистора соответствует логическому состоянию "0",высокое - 1. Операция программирования ячейки памяти заключается впоследовательном выполнении операцийстирания ранее записанной информациии записи новой информации. Стирание35выполняют в два этапа: сначала проводят дополнительное стирание, подаваяна затвор запоминающего МНОП-транзистора импульс напряжения стирания самплитудой не меньшей амплитуды импульса напряжения записи, напримерравной ей и составляющей 25 В, и длительностью 5 мс (фиг. 1); В результате воздействия этого импульса пороговое напряжение запоминающего транзистора увеличивается и станет равным, например, 4,0 В, причем это произойдет на фоне некоторого общегосдвига межпороговой зоны этого транзистора. Затем пороговое напряжение50уменьшают до значения, соответствующего стертому состоянию, подавая на затвор запокнающего транзистора, например, импульс напряжения той же полярности,но с амплитудой, например, 20 В, В результате этого пороговое напряжение запоминающего транзистора уменьшается на 1,5-2,0 В, что соответствует информации лог, "О, записанной в ячейку. После этого ячейку памяти. либо оставляют в этом состоянии, либо переключают в состояние лог. "1", подавая на затвор запоминающего МНОП- транзистора импульс напряжения записи, например, с амплитудой 25 В н длительностью 1 мс. Для записи новой информации в ячейку опять повторяют описачную последовательность операций, причем эта последовательность обеспечивает значительно большее количество циклов перепрограммирования, при котором межпороговая зона ячейки памяти зависит от характера записываемой информации (фиг. 2).Операции стирания могут выполняться как с помощью разделенных по времени импульсов, так и объединенным импульсом сложной формы. Кроме того, дополнительное стирание может быть использовано как при монополярном, так и разнополярном способе стирания информации из ячейки.По сравнению с известными способамн перепрограммирования энергонезависимости памяти предлагаемый способ обладает следующими преимуществами; увелиивает максимальное число циклов перепрограммирования ячейки памяти не менее чем в 30-100 раз; повышает быстродействие программирования, так как дает возможность использовать сравнительно узкую межпороговую зону ячейки памяти, сохраняя при этом требуемьй ресурс ячейки по числу циклов перепрограммирования.Реализация предлагаемого способа не практике позволит повысить долговечность и надежность БИС электрически стираемых ППЗУ и энергонезависимых ЗУПВ, что может дать значительный экономический эффект в народном хозяйстве.1437918 Составитель В,ЛапшинскТехред М.Ходанич орректор О.Кравцова актор М.Банду аказ 5900/52 Тираж 590 ВНИИПИ Государственного по делам изобретений 113035, Москва, Ж, Раушодписн митета СССткрытий я наб.,Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектна