G11C 11/40 — транзисторов

Номер патента: 1494785

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Кононов, Коняев, Коробков

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, информации, накопитель

1. Накопитель информации, содержащий шины выборки строк и шины выборки столбцов, в узлах пересечения которых расположены элементы памяти, каждый из которых состоит из триггера и четырех транзисторов связи, истоки первого и третьего транзисторов связи соединены с прямым выходом триггера, а истоки второго и четвертого транзисторов - с инверсными, шины прямых и инверсных данных строк и шины прямых и инверсных данных столбцов, стоки первого и второго транзисторов связи элементов памяти подключены к соответствующим шинам прямых и инверсных данных столбцов, а затворы - к соответствующей шине выборки столбцов, стоки третьего и четвертого транзисторов связи элементов памяти подключены к соответствующим шинам прямых и инверсных данных строк, а...

Номер патента: 1436735

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Колкер, Крюков

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, накопитель, постоянного, устройства

НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой размещены первая и вторая диффузионные области первого типа проводимости, первая и вторая диффузионные области второго типа проводимости, третья диффузионная область второго типа проводимости, на поверхности первой диффузионной области первого типа проводимости расположен первый диэлектрический слой, на поверхности которой размещен второй диэлектрический слой, а на поверхности третьей диффузионной области второго типа проводимости размещен третий диэлектрический слой, на поверхностях второго и третьего диэлектрических слоев расположены плавающие затворы, выполненные из поликристаллического...

Номер патента: 1378682

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Овчаренко, Портнягин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

1. МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, диффузионные слои первого типа проводимости, размещенные в приповерхностном слое полупроводниковой подложки, диффузионные области второго типа проводимости, размещенные в приповерхностном слое полупроводниковой подложки между диффузионными слоями первого типа проводимости, первый, второй, третий, четвертый и пятый диэлектрические слои разной толщины с отверстиями, расположенные на поверхности одного из диффузионных слоев первого типа проводимости, второй диэлектрический слой расположен на поверхности другого диффузионного слоя первого типа проводимости, третий диэлектрический слой расположен на поверхности...

Номер патента: 1378683

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Овчаренко, Портнягин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, информации, матричный, накопитель, постоянного, устройства

1. МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий ячейки памяти, выполненные на запоминающих транзисторах с плавающим затвором, ячейки памяти образуют матрицу из n строк и m столбцов, m + 1 разрядную шину первой группы, m разрядных шин второй группы, стоки первого и второго запоминающих транзисторов, ячейки памяти, расположенные в i-м столбце и j-й строке, соединены со стоками третьего и четвертого запоминающих транзисторов ячейки памяти, расположенной в i + 1-м столбце и j-й строке, стоки первого и второго запоминающих транзисторов ячеек памяти i-1-го столбца всех нечетных строк подключены к i-й разрядной шине первой группы накопителя, истоки запоминающих транзисторов ячеек памяти i-го столбца...

Номер патента: 888731

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Колкер, Овчаренко, Портнягин

МПК: G11C 11/40, G11C 17/00

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

1. МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены разрядные диффузионные шины второго типа проводимости, на поверхности полупроводниковой подложки расположен первый диэлектрический слой с частичным перекрытием краев разрядных диффузионных шин, на поверхности которого размещены поликремниевые электроды, каждый из которых выполнен в виде изолированных участков, расположенных параллельно разрядным диффузионным шинам с частичным их перекрытием, на поверхности поликремниевых электродов и первого диэлектрического слоя расположен второй диэлектрический слой, на поверхности которого над поликремниевыми электродами...

Номер патента: 1385872

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Овчаренко, Портнягин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, диффузионные разрядные шины второго типа проводимости, расположенные в приповерхностной области полупроводниковой подложки, диффузионную область первого типа проводимости, примыкающую к диффузионным разрядным шинам, первый слой диэлектрика, расположенный на поверхности диффузионных разрядных шин, поликремниевые стирающие шины, расположенные на поверхности первого слоя диэлектрика, второй слой диэлектрика, расположенный на поверхностях первого слоя диэлектрика, диффузионных разрядных и стирающих шин и диффузионной области, поликремниевые электроды, расположенные на поверхности второго слоя диэлектрика и частично...

Номер патента: 1053638

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Овчаренко, Портнягин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, накопитель, постоянного, устройства

1. НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с углублениями, на поверхности которой в углублениях расположен первый слой полупроводника первого типа проводимости, а на остальной части полупроводниковой подложки первого типа проводимости расположен второй слой полупроводника первого типа проводимости, первый и второй диэлектрические слои, расположенные на поверхностях первого и второго слоев полупроводника первого типа проводимости, поликремниевые электроды, расположенные на поверхностях первого и второго диэлектрических слоев, в приповерхностном слое полупроводниковой подложки первого типа проводимости между вторыми слоями полупроводника первого типа проводимости...

Номер патента: 1405575

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Овчаренко, Портнягин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий адресные и разрядные шины, в перекрестиях которых включены ячейки памяти, причем каждая ячейка состоит из запоминающего и адресного транзисторов и конденсатора, первый вывод которого соединен с плавающим затвором запоминающего транзистора, управляющий затвор запоминающего транзистора каждой ячейки памяти соединен с затвором адресного транзистора и подключен к соответствующей адресной шине, исток адресного транзистора каждой ячейки памяти подключен к шине нулевого потенциала накопителя, а сток соединен с истоком запоминающего транзистора, сток запоминающего транзистора каждой ячейки памяти смежных столбцов подключен к разрядной шине, отличающийся тем, что, с целью...

Номер патента: 1344119

Опубликовано: 30.12.1994

Автор: Колкер

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричного, накопителя, постоянного, устройства

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЧНОГО НАКОПИТЕЛЯ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, заключающийся в нанесении на полупроводниковую подложку первого маскирующего слоя из окиси кремния и нитрида кремния с отверстиями, легировании полупроводниковой подложки примесью первого типа проводимости, нанесении первого диэлектрического слоя, удалении первого маскирующего слоя, нанесении второго диэлектрического слоя с отверстиями, легировании полупроводниковой подложки примесью второго типа проводимости, нанесении третьего диэлектричского слоя толщиной 50 - 200 , нанесении областей первого слоя поликристаллического кремния, образующих плавающие затворы, травлении третьего и второго...

Номер патента: 1648205

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Кононов, Коняев, Коробков

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее

ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее блок памяти, усилитель записи-считывания, первый и второй дешифраторы, первый и второй коммутаторы адреса, коммутатор данных, информационные входы усилителя записи-считывания являются информационными входами устройства, вход выборки усилителя записи-считывания является входом записи считывания устройства, информационные входы коммутатора данных соединены с соответствующими выходами усилителя записи-считывания, выходы первой группы коммутатора данных соединены с соответствующими входами прямых и инверсных данных строк блока памяти, выходы второй группы коммутатора данных соединены с соответствующими входами прямых и инверсных данных столбцов блока памяти, информационные входы первого и второго...

Номер патента: 1105055

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Букреев, Колкер, Портнягин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

1. МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, на поверхности которой расположен первый диэлектрический слой с отверстиями, в которых размещен второй диэлектрический слой меньшей толщины, на поверхности первого и второго диэлектрических слоев размещены поликремниевые электроды, на поверхности которых и поверхностях первого и второго диэлектрических слоев расположен третий диэлектрический слой, на поверхности которого над поликремниевыми электродами размещены адресные поликремниевые шины, на поверхности которых и на торцах поликремниевых электродов расположен четвертый диэлектрический слой, на поверхности которого над одними торцами поликремниевых электродов...

Номер патента: 1398666

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Глебов, Ковалев, Левин, Левченко, Симоненко

МПК: G11C 11/40

Метки: матричный, накопитель

МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, первую диффузионную область второго типа проводимости, расположенную в приповерхностной области полупроводниковой подложки, первый слой диэлектрика с отверстиями, расположенный на поверхности полупроводниковой подложки, первую область эпитаксиального слоя второго типа проводимости, расположенную на поверхности полупроводниковой подложки, вторую диффузионную область первого типа проводимости, расположенную в эпитаксиальном слое, третью диффузионную область первого типа проводимости, расположенную в приповерхностной области первой области эпитаксиального слоя, проводящую шину, расположенную на поверхностях первой области эпитаксиального слоя и слоя...

Номер патента: 1338688

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Овчаренко, Портнягин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой размещены одни и другие разрядные диффузионные шины второго типа проводимости, в зазорах между которыми расположен диффузионный слой первого типа проводимости, на поверхности разрядных диффузионных шин расположен первый диэлектрический слой, на поверхности которого размещены стирающие поликремниевые шины, одни над одними разрядными диффузионными шинами, на поверхностях первого диэлектрического слоя, диффузионными шинами, на поверхностях первого диэлектрического слоя, диффузионного слоя первого типа проводимости, стирающих поликремниевых шин и одних торцах разрядных диффузионных шин...

Номер патента: 1012704

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Гриценко, Кольдяев

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные области второго типа проводимости, образующие сток и исток, над которыми размещен первый диэлектрический слой, выполненный, например, из окисла кремния толщиной 40 100 над первым диэлектрическим слоем размещен второй диэлектрический слой, выполненный, например, из нитрида кремния толщиной 200 500 и проводящий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия при стирании информации и надежности элемента, он содержит...

Номер патента: 1108915

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Гриценко, Кольдяев, Овчаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

1. Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости с углублениями в ней, в приповерхностном слое которой размещены первая группа разрядных диффузионных шин второго типа проводимости и между ними в углублениях полупроводниковой подложки первого типа проводимости диффузионный слой первого типа проводимости, на поверхности полупроводниковой подложки расположен первый диэлектрический слой с отверстиями, в которых на поверхности полупроводниковой подложки расположен второй диэлектрический слой, на поверхности которого расположен третий диэлектрический слой, на поверхности второго диэлектрического слоя размещены поликремниевые электроды, на поверхности первого и...

Номер патента: 974924

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Ерков, Колосанов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, постоянного, устройства

Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные шины второго типа проводимости; на поверхности полупроводниковой подложки и диффузионных шин расположен первый диэлектрический слой, адресные поликремниевые шины, расположенные перпендикулярно разрядным поликремниевым и диффузионным шинам, поликремниевые электроды, второй, третий и четвертый диэлектрические слои, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции, на первом диэлектрическом слое расположены поликремниевые электроды, на поверхности которых размещен второй диэлектрический слой, на...

Номер патента: 936727

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Колосанов, Синица

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в противоположном слое которой расположены истоковые и стоковые области второго типа проводимости, плавающий и управляющий затворы, изолированные друг от друга и от полупроводниковой подложки диэлектрическими слоями и перекрывающие края истоковых и стоковых областей, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, он содержит высокоомный слой полупроводника, отделяющий стоковую область от полупроводниковой подложки.

Номер патента: 1524725

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Ефимов, Синица

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемента

Способ изготовления элемента памяти, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки первого типа проводимости первого слоя двуокиси кремния с отверстиями, формирование первой и второй диффузионных областей второго типа проводимости, формирование второго слоя двуокиси кремния с отверстием, расположенного на поверхности полупроводниковой подложки, формирование на поверхности полупроводниковой подложки слоя диэлектрика термообработкой поверхности полупроводниковой подложки в окисляющей среде и среде аммиака, нанесение слоя нитрида кремния на поверхность слоя диэлектрика, формирование отверстий во втором слое двуокиси кремния, формирование первой, второй и третьей проводящих...

Номер патента: 1468264

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Курышев, Ли, Половинкин, Черепов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, заряда, инжекцией, приборах

Запоминающее устройство на приборах с инжекцией заряда, содержащее накопитель, каждая ячейка памяти которого состоит из матрицы приборов с инжекцией заряда и группы транзисторов, истоки которых объединены, стоки соединены с электродами хранения приборов с инжекцией заряда соответствующего столбца ячейки, а затворы - с соответствующими адресными шинами устройства, к разрядным шинам накопителя подключены электроды считывания приборов с инжекцией заряда соответствующих строк каждой ячейки, регистр выбора строки, регистр выбора столбца, две группы ключевых элементов, каждый из которых выполнен на транзисторе, элемент сброса, выполненный на транзисторе, разделительный элемент, выполненный на...