G11C 11/40 — транзисторов

Номер патента: 1439680

Опубликовано: 23.11.1988

Автор: Савельев

МПК: G11C 11/40

Метки: динамическое, запоминающее, полупроводниковое

...13 появляе".ся гпзкий потенциал, ксторый поступает на элемент ИЕ 17 и гя один и; входов элемента И 18, за сче чего выходной сигнал с генератора 14, пройдя элемент 20 задержки, не проходит через элемент И 18 и элемент 11 10, закрытый сигналом с выход триггера 22, и далее через элемен. пИ 25 - на второй выход блока 11 т,е. режим регенерации оказывается запрещенным, Поэтому второй синап с выода элемента 20 задержки поступает на второй гход элемента И 23 и проходит через первый выход блока 11 к блоку 6 и на вход счетчика 12. уменьшая на единицу число на его выходах, Этот же сигнал проходит на вход триггера 22 через элемент И 1 И 24, сбрасывая триггер 22 в нулевое "остояцпе, Элемент 20 задержки предотвращает переходные процессы при...

Номер патента: 1439684

Опубликовано: 23.11.1988

Авторы: Королев, Фастов

МПК: G11C 11/40, G11C 29/00

Метки: запоминающее, постоянное

...устройство готово к работе.Перед проведением программирования накопителя 1 ПЗУ все элементы па мяти в нем находятся в одном состоянии, например "О", которому соответ.ствуют непережженные перемычки в элементах памяти. Поэтому все дефекты элементов памяти могут носить один вид - не записывается "1". Исправление информации в ПЗУ с таким видом дефектов может быть произведено, если элемент 7 заполняет функцию ИЛИ.Устройство работает следующим образом.При появлении на входах 8 адреса считываемого и-разрядного слова на и выходах селектора 4 появляетсяинформация, считанная из накопителя 1, соответствующая данному адресу. Адрес также поступает на входы блока 5, который сравнивает его с адресами наисправных элементов памяти, которые были ранее в...

Номер патента: 529672

Опубликовано: 23.11.1988

Авторы: Зенцова, Сафонов, Хрящев

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...истоком МНОП структуры, обусловленное наличием расположенных по обеим 3 Осторонам затвора по ширине каналаобластей маскирующего диэлектрика,которое может быть принято за признак"О" и привести к ложному считываниюйнформации,Цель изобретения - повышение надеж.ности элемента памяти при считыванииинформации,Это достигается тем, что в элементпамяти введены дополнительные области 10запоминания, прилегающие к основнойобласти запоминания и расположенныепо обеим сторонам затвора МНОП сгруктуры по ширине канала. 2На чертеже показана конструкция элемента памяти.Элемент памяти содержит: исток 1, область 2 двуслойного диэлектрика, не обладающую эффектом запоминания, область 3 маскирующего диэлектрика, основную область 4 запоминания двуслойного...

Номер патента: 1444888

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Белоусов, Герасимов, Григорьев, Кармазинский

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...упрощение и уменьшение потребляемой мощности ячейки памяти.На чертеже представлена ячейка па. - 10 мяти.Ячейка памяти содержит первый и второй нагрузочные элементы 1 и 2 на КМДП в транзистор р-типа, первый и второй переключающие элементы 3 и 4 15 на КМДП-транзисторах п-типа, управляющий элемент 5 на КМДП-транзисторе и- типа, первую и вторую разрядные шины 6 и 7, адресную шину 8, шину 9 питания ячейки памяти. 20Принцип действия ячейки заключается в следующем.В режиме хранения элемент 5 закрыт и на шинах 6 и 7 принудительно устанавливают нулевое напряжение.АВ режиме чтения элемент 5 открывается путем подачи напряжения на шину 8, благодаря чему обеспечивается протекание сквозного тока через элементы 4,5, (3,5,2) в емкость первой 30...

Номер патента: 1449996

Опубликовано: 07.01.1989

Автор: Игнатьев

МПК: G11C 11/40

Метки: матричный, накопитель

...группе, коллекторытранзисторов элементов выборки объединены и подключены соответственно 55 к вторым выводам резисторов элементов смещения.тираж 590 Подписное Произв.-пслигр. пр-тие, г. Ужгород, у . рл. П оектная, 4 Изобретение относится к полупроводниковым запоминающим устройствамна биполярных транзисторах,Цель изобретения - упрощение матричного накопителя.На чертеже изображена принципиальная электрическая схема матричногонакопителя.Матричный накопитель содержит1 Оячейки 1 памяти, включающие ключевыеэлементы 2 и 3 на транзисторах, элементы 4 и 5 выборки на транзисторах,нагрузочные элементы 6 и 7 на резисторах, элемент 8 стабилизации на резисторе, адресные шины 9 и 10, раз-,рядные шины 11 и 12, элементы 13и 14 смещения, шину 15 нулевого...

Номер патента: 1465911

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Варшавский, Кравченко, Мараховский, Цирлин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее

...элемент 31.1блока 1, но и в элемент 31.2 памятиблока 1.Высокий потенциал на адресной шине 3.1 открывает МДП-транзисторы33.1 и 35.1, и низкий потенциал содного из входов-выходов элемента31,1 памяти блока 1 поступает на соответствующую разрядную шину 5. 0 или 5. 1, 10в результате чего на выходе элемента17, т.е. на выходе 29, появляетсявысокий потенциал, что является приз-наком окончания переходных процессов в этой фазе чтения. 15После этого на входе 25 восстанавливается низкий потенциал, в результате чего на выходах триггера 12 такхе появляются низкие потенциалы, которые, поступив,на входы 3 и 9 управления блока 7 приводят к появлениютаких же потенциалов на выходах всехэлементов 43, т.е, на адресных шинах3 чтения, из-за чего закрываются...

Номер патента: 1472946

Опубликовано: 15.04.1989

Автор: Орловский

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...Над ячейкой устанавливается источник постоянного магнитного поля так, чтобы вектор магнитной индукции В был параллеллен плоскости плавающего затвора. Так как ток утечки представляет собой направленное движение электронов со средней скоростью 7, на них действует сила Лоренца которая смещает электроны рс плавающему затвору. Плавающийзатвор.захватывает электроны до тех пор, пока образовавшееся электростатическое поле не достигнет значения, уравновешива 1 ощего действие силы .Лоренца,Исходное пороговое напряжение запоминающего транзистора 1,8-2,0 В (при отсутствии заряда на плавающемфОГ Я Составитель Л.АмусьеваЛ.Веселовская Техред А.Кравчук Корректор Л,Зайце Редакт 717/50 Тираж 558 ПодписноеГосударственного комитета по изобретениям и...

Номер патента: 1472947

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Варшавский, Кравченко, Мараховский, Цирлин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, магазинное

...записи, происходит переключение КБ-триггера, образованного элементами 17 и 18, после которого на выходах обоих элементов 5 и 16, а затем и на выходе элемента 21 появляются высокие потенциалы. Появление высокого потенциала на адресном входе 2, открывает транзисторы 36.1 и 37.1 и через один из них низкий потенциал с одного из входов-выходов элемента памяти 35,1 поступает на вход 3 или 4, что вызывает установку высокого потенциала на выходе элемента 1 О, В режимечтения высокие потенциалы с выходовэлементов О и 2 вызывают переключение управляющего триггера 34, прикотором на выходе его элемента 26появляется низкий потенциал, а на выходе его инвертора 24, т.е, на управляющем выходе 31 устройства, - высокий потенциал, что является...

Номер патента: 1472948

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Осинов, Худяков

МПК: G11C 11/40

Метки: осинова-худякова, памяти, элемент

...элементе памяти для заряда и разряда используется механизм туннелирования Фаулера-Нордхейма, которыйявляется двусторонним процессом и мржет быть испол ьз о в ан как для з аряда,так и разряда затвора 4 хранения, Заряд плавающего затвора 4 происходитпри подаче на з атвор 8 з аписи высо"кого положительного напряжения и нулевом стоковом напряжении, При этомэлектроны, обусловливающие зарядвходной информации, проникают из области 5 в затвор 4 через окисел толщиной 10-20 нм, что приводит к изменению порогового напряжения транзистора. Заряд записывается на плаваю"щий затвор 4 до того момента, поканапряженность поля в туннельном диэлектрике превышает некоторое пороговое значение Е 10 В/см, Как только напряженность поля подает меньшеЕ ,...

Номер патента: 1474739

Опубликовано: 23.04.1989

Автор: Четвериков

МПК: G11C 11/40

Метки: динамическое, запоминающее

...адреса записи с адресных входов устройства, Указанная совокупность сигналов вызывает одновременно в накопителях 3 и 5 запись информации с информационных входов устройства.При этом цикл записи определяется задержкой в элементе И 38 и элементе 20 задержки, причем последний по мере распространения сигнала в нем сбрасывает регистр 37 и устанавливает логическую единицу в триггер 36, которая указывает на окончание цикла записи и разрешает проведение регенера - ции и последующих обращений процессора.При обращении к устройству по считыванию обращение с входа 18 устройства поступает на стробирующий вход регистра 37, в котором сразу же формируется сигнал. выборки строк, в элементе 39 или 40 задержки - сигнал выборки столбцов соответственно первого...

Номер патента: 1476534

Опубликовано: 30.04.1989

Авторы: Белоус, Макаров, Теплякова

МПК: G11C 11/40

Метки: «кристалл», базовый, масочно-программируемых, фильтров

...6 нечетной строки четного столбца и четной строки нечетного з ячеек 5 и 6 реализу передаточные характе о порядка. Коммутируя 6 путем подсоединения поновки, Поставленная цель достигается за счет введения дополнительныхконтактных площадок для коммутациинакопительных элементов на конденсаторах, ячейки с переключательнымиэлементами образуют матрицу базовогокристалла, 2 ил,в и выходов перемычками к информационным шинам 3, можно на кри талле 1 организовать или несколько ов второго порядка, илго порядка, или фильтпорядка.организации фиоединение не ожены перпендикулярно пров163/53 Тираж 559 ПодписноеГосударственного комитета по изобретениям и открытиям при113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Зака Производственно"издательский комбинат Патент...

Номер патента: 1483493

Опубликовано: 30.05.1989

Авторы: Высочина, Дедикова, Копытов, Сидоренко, Солод, Хоменко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, оперативное

...отключаются от разрядных шин накопителя 1, регистрируя перекос напряжений на разрядных шинах накопителя 1, которые могут перезаряжаться, и готовятся к следующему циклу записи- считывания, Высокий уровень сигнала, 1483493поступающий на управляющий вход усилителя записи-считывания блока 8, защелкивает усилитель записи-считывания, так как на его входах-выходах имеется перекос напряжений, и информация с входов-выходов усилителя записи-считывания поступает на выход устройства. При записи информации в устройство на выходах блока 9 фарк- руются сигналы, поступающие на входы- выходы усилителей записи-считывания блока 8. По высокому уровню сигнала на выходах элементов И 12 через открытые транзисторы блока 13 сигналыс входов-выходов усилителей...

Номер патента: 1494040

Опубликовано: 15.07.1989

Автор: Лазаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...проводника изолированы одна от другой диэлектриком 2,Для записи информации в ЗЭ к областямприкладывают разность потенциапропуская через область 1 элек 149040трический ток, Разогрев первой области 1 приводит к термической деформации его поверхности и к разрушеню диэлектрика 2, В результате между первой 1 и четвертой 3 областями возникает надежный электрический контакт, что и является признаком записи/ информации в элемент памяти,Элемент памяти обладает поньгшенной надежностьо и вероятностью прогрдммированил, что подтверждаетсяследующими г 1 дкторд.и, ЕострукцилБ 11 С с двумл иэопгровднными друг отдруга слоями полигрег ния напгла широкое применение в производстве БИС,Такиы образом элемент памятиудачно вгпгсывдетсл в...

Номер патента: 1499401

Опубликовано: 07.08.1989

Автор: Клышбаев

МПК: G11C 11/40

Метки: динамическое, запоминающее, оперативное

...41 и триггер42. По очередному отрицательному срезу сигнала системного генераторана входе 46 установится триггер 42,который открывает элемент И 44,и при 30последующих сигналах системного генератора счетчик 41 начинает перебирать адреса блока 39, на выходах которого формируются управляющие сигналы, Содержание управляющих сигналовопределяется по состоянию входов 33 и21.Выбор блока 1 осуществляется путемвозбуждения одной из шин ВАЗ 1 2 и,по крайней мере, одной из шин САБ 1. 40Выбор одной из шин ВАЯ 1,2 определяет состояние входа 49, по которомуна вход блока 39 постоянной памятипоступает сигнал младшего разряда регистра б. 45Выбор одного из выходов 20 (сигнал САБ) осуществляется посредствомдешифрации состояний входов 50-52 ивыхода триггера...

Номер патента: 1501161

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Березин, Гарицын, Королев, Кузовлев, Черняк, Шальнов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, оперативное

...под прямым смещением. Однако наличие ограничительных диодов 5 и б не позволяет достигнуть этому прямому смещению величины Ч, обеспечивая высокое быстродействие ЭП.Так как номинал резисторов 7 и 8 мал, то падение напряжения на них в режиме выборки (0,15-0,2 В) не оказывает существенного влияния на быстродействие ЭП из-за увеличения степени насьпцения открытого транзистора.При кратковременном воздействии на микросхему памяти ДФ обращение к ней запрещается, т.е. все ЭП находятся в режиме хранения. Воздействие ДФ вызывает генерацию заряда в р - ппереходах транзисторов и, следовательно, возникновение фототоков, которые отражены генераторами 15 и 16Величина этих токов может быть значительно больше величины тока хранения:ЭП (более чем в 2...

Номер патента: 1501162

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Березин, Гарицын, Королев, Кузовлев, Черняк, Шальнов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, оперативное

...под прямым смещением, Однаконаличие ограничительных диодов 5 и 6не позволяет доСтигнуть этому прямому смещению величины Ч, обеспечиваявысокое быстродействие ЭП. Так какноминал резисторов 7 и 8 мал, то падение напряжения на них в режимевыборки 0,15-0,2 В не оказывает существенного влияния на быстродействие ЭП из-за увеличения степени насыщения открытого транзистора.При кратковременном воздействиина микросхему памяти ЛФ обращениек ней запрещается, т.е. все ЭП находятся в режиме хранения. Воздействие ДФ вызывает генерацию заряда в р - п-переходах транзисторов и,следовательно, возникновение фототоков, которые отражены генераторами 15 и 16, Величина этих токов может быть значительно больше величины тока хранения ЭП более чем в 2 раза....

Номер патента: 1501165

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Битнер, Буткевич, Деревягина, Лубсанов

МПК: G11C 11/40, G11C 17/00

Метки: памяти, ппзу, элемент

...12 или 4 В и длительностью 10 фс, причем полярность верхнего электрода положительная. Считывание импульсом напряжения той же полярности амплитудой 1 В и длительностью 1 мкс. При подаче импульса напряжения обратной полярности в приповерхностной области полупроводниковой основы слояформируется обедненный основными носителями участок, на котором падает большая часть прикладываемого напряжения и переключения соответственнометром 16 мм. Поперечный размер волокон составляет в среднем 1 мкм,расстояние между ними 5 мкм. Формула изобретения Составитель С. Подорский М. Недолуженко Техред Л,Олийнык Корректор М. ПожЗаказ 4878/50 Тираж 558ВНИИПИ Государственного комитета по изобретени113035, Москва, Ж, Раушска одпи ГКНТ м и открытия наб, д, 4/5...

Номер патента: 1506481

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Беккер, Заколдаев, Приходько, Щетинин

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ппзу, элемента

...концентрации кремния валюминиевой шине, Высаживание избыточного количества кремния происходит локально, главным образом на границах зерен слоя алюминия, в результате чего уменьшается сцепление междун ц зернами, что вызывает шелушецие пленки алюминия. Локальное высаживаниекремния на алюминиевых шинах ухудшает адгезию и теплоотвод, что уско ряет процесс "шелушения", локального увеличения электрического сопротивления алюминиевых шин, вследствие чего на пинах падает част напряже:л программирующего импульса, Ь 30 плавксй пепемычке элемента памятинапряжение становится меньше и, как резултат, элемент памяти .:. программируется, Поэтому при введении кремния в алюминий ца стадии изготсвле 1 4торезиста травлением металла,...

Номер патента: 1506482

Опубликовано: 07.09.1989

Автор: Аваев

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, матричный, накопитель, оперативного, устройства

...образом, запоминающий элемент имеет эквивалентную схему(фиг, 4), На схеме обозначено; 14 -запоминающий конденсатор, образованный слоями 6, 8, 7; 15 - запоминающий конденсатор, образованный слоями 7, 5, 2, 1; 16 - шина строки,17 - шина столбца, 18 - 1 ЩП-транзистор со встроенным каналом п-типа,образованный слоями 7, 9, 3 и 6 ипредназначенный для записи информации, 19 - МДП-транзистор 6 с индуцированным каналом п-типа, образованный слоями 1, 2, 3, 7 ц предназначенный для считывания,В режиме записи на шину 17 столбца подается либо низкое напряжениелогического "0" (Б = О), либо положительное напряжение логической 1(П ), а на шину 16 выбранной строки - положительное или нулевое напряжение Н апП Потсгде П, -модуль напряжения отсечки...

Номер патента: 1508281

Опубликовано: 15.09.1989

Авторы: Беневич, Иванов, Новиков, Соловьев, Цогоев

МПК: G11C 11/40

Метки: блока, выборочного, замещения, запоминающая, памяти, ячеек

...участков) корректируемых ячеек памяти; в блоки 7 - откорректированную информацию, в блоки 8 - код информации, разрешающий передачу информации в случае необходимости замещения ячейки и не разрешающий передачу информации. 20 Запоминающая система функциони- . рует следующим образом,Во время работы ЭВМ при каждом обращении к ее блокам памяти часть 25 кода адреса (например, младшие разряды адреса) поступают на первую группу адресных входов блока 2 памяти замещения ячеек и блока 3 памяти управления, где подготавливают инфор мацию к считыванию. Другая часть адреса системы, например старшие разряды, поступают на адресные входы преобразователя 15 кода распределителя 6 и через группы бистабильных переключателей на вход блока совпадения 17, На...

Номер патента: 1040947

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Кляус, Ли, Черепов

МПК: G11C 11/40

Метки: записи, зарядовой, информации, приборах, связью

...в зависимости заряда, накопленного на времяпод затвором накопления, от тока 1 , что сужает динамический диапазон такого устройства ввода.Целью изобретения является повышение надежности способа записи за счет линеаризации зависимости величины заряда под затвором накопления от величины сигнального заряда.Поставленная цель достигается тем, что при записи информации на приборах с зарядовой связью способом, основанным на воздействии на входной диод и входной затвор сигнала ввода, а на затвор накопления - сигнала хранения и воздействии на затвор переноса сигнала разрешения записи, одновременно с подачей сигнала хранения на затвор накопления, на изолирующий затвор подают сигнал вывода заряда в течение времени, соответствующего...

Номер патента: 1529288

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Беккер, Петухов, Фомин, Фролов

МПК: G11C 11/40

Метки: бис, записи, информации, кмоп, структурах, хранения

...области пространственного заряда коллекторноо перехода, отклоняется от прямолиейной, Радиус кривизны траектории еоснованных носителей заряда пропорционален величине вектора силы Лорена Г Таким образом, при приложении агнитного поля определенной величи-. ны можно достичь полного ответвления ока, создаваемого основными носите-, ямн заряда при обтекании областей бъемных резисторов 5 и 6, шунтируюих эммитерные переходы транзисторов10, 7 и 8 прямой и обратной проодпмости, что устраняет возможность нжекции зарядов эммитерами составяющих транзисторов. Вследствие отутствия инжекции эммитеров устраня тся возможность увеличения тока, протекающего через паразитную тирисорную структуру, которое может приести к изменению коэффициентов усиения по току...

Номер патента: 1531163

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Корниенко, Костюк, Кролевец, Невядомский, Омельченко, Сидоренко, Смирнов, Третьяк

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, информации, оперативного, памяти, устройства, хранением, энергонезависимым, ячейка

...1 оперативной памяти хранит логический "0", т.е. близкий к нулю потенциал, то ключевые транзисторы 3 и 5 закрыты, и практически все напряжение, приложенное к затвору МНОП- транзистора 4, падает в подложке на области пространственного заряда, и МНОП-транзистор 4 сохраняет свое исходное логическое состояние с низким, например 0,5 В, уровнем порогового напряжения.Ячейка осуществляет обратный пере- .вод информации из энергонезависимойпамяти в оперативную, т.е. производить обратную запись, Для этоговначале через адресный транзистор 2заряжают узел 7 хранения потенциаладо уровня, соответствующего хранениюлогической "1" ( - 5 В), и устанавливают на затворе МНОП-транзистора 4напряжение, величина которого находится внутри его межпороговой...

Номер патента: 1531164

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Брагин, Лашевский, Сегаль

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, оперативное, полупроводниковое

...в результате пробоя подзатворного диэлектрика одного из ад ресных транзисторов основного элемента 2 памяти, адресная шина всегда имеет -потенциал подложки. Это приводит к невозможности доступа в основные элементы 2 памяти по данному адресу (блокировке .строки), так как адресные транзисторы всех элементов 2 строки закрыты, хотя соответствующий выход дешифратора 1 возбужден. Если соответствующий выход дешифратора 1 возбужден, т.е. на нем сформиро 55 ван сигнал логической "1", то на входе второго элемента НЕ 4 устанавливается сигнал логического "О". Так как адресная шина строки имеет напряжение логического "О" в результате замыкания затвора одного из адресных транзисторов на подложку, то и соответствующий выход второго элемента НЕ4 также...

Номер патента: 1531165

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Ковалев, Леонов, Мурашев, Панкратов

МПК: G11C 11/40

Метки: дешифратора, программирования

...записи и считывания информации на вход 9 подается низкийпотенциал, в результате закрыты всеи-р-и-биполярные транзисторы 2 независимо от потенциалов на адресныхвходах. На вход 8 подается потенциал,открывающий транзисторы 1, в резуль-тате чего на адресных выходах 7 появляются сигналы, определяемые состоянием плавких элементов памяти икодом адресных входов.Работа устройства, показанного на фиг. 2, отличается от работы устройства на фиг. 1 тем, что в режиме программирования при подаче на вход 12 высокого потенциала, включается р-и-р-биполярный транзистор 11, об" разующий с п-р-и-биполярным транзистором тиристор, который более надежно пережигает плавкие элементы памяти, так как имеет более низкое выходное сопротивление.Устройство может...

Номер патента: 1536442

Опубликовано: 15.01.1990

Автор: Игнатьев

МПК: G11C 11/40

Метки: накопитель

...токи считывания. Токсчитывания, включенный в узел, соответствующий эмиттеру управления эле"ментов 9 или 10 выбранного элемента1 с низким уровнем напряжения на базе, протекает в соответствующем эмиттере элемента 3 элемента 2, так какв момент включения тока считыванияэтот элемент имеет самый высокий базовый потенциал. Ток считывания,включенный в узел, соответствующийэлементу 9 или 10 выбранного элемента 1 с высоким базовым потенциалом,по завершении формирования уровнянапряжения на базе элемента 3 целиком протекает в выбранный элемент 1,В результате описанного распределениятоков считывания на входах-выходах 7,8 выбранного столбца матрицы сформи"руются логические напряжения в соответствии с состоянием выбранного элемента 1, На...

Номер патента: 1539840

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Сагитов, Селезнев, Хцынский

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающему, мдп-транзисторов, обращения, основе, устройству, энергонезависимому

...для чего записывают в достаточно большое (больше 100) число МДП-трапзисторов информационную единицу и измеряют их пороговые напряжения. По полученному массиву данных, используя стандартные статистические модели, определяют величину Ч при заданной доверительной вероятности. Величины А, В, 10 и Б определяют, исходя из схемотехники и топологии накопителя и схем его обрамления. Значение 7 выбирается равным пороговому напряжению опорного МДП-транзистора. При записи - стирании информации на затворы опорных .и выбранных запоминающих ИДП-транзисторов подают напряжение ф (15-50)В.Заказ 223 Тираж 476 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5...

Номер патента: 1547028

Опубликовано: 28.02.1990

Автор: Грановский

МПК: G11C 11/40

Метки: dv-триггер

...диод 7 открыт и.не позволяет току от входа 10 протекать в базу транзистора 1 и изменить состояние ВЧ-триггера при записанной в него нулевой информацииг.е. обеспечивается надежное хранение как единичной, так и нулевой информации.При высоких уровнях напряжения на обоих входах 10 и 11 диод 7 Шоттки запирается и высокий потенциаЛ со входа 10 через резистор 3 подается на базу транзистора 1, разрешая поступление информации со входа 9 на запись в 0 Ч-триггерЕсли на входе 9 присутствует единичная информация, то транзистор 1 будет заперт и базовый ток через резистор 4 откроет транзистор 2, поддерживая его в открытом состоянии и после того, когда на входе 11 тактовый импульс закончится, так как нулевой потенциал с коллектора транзистора 2 через...

Номер патента: 1566410

Опубликовано: 23.05.1990

Авторы: Груданов, Невзоров, Савицкий, Сидоренко

МПК: G11C 11/40

Метки: логической, матрицы, программируемой, считывания

...19 и 20 объединены и подключены к выходу 6 триггера 4. Стоки транзисторов 19 и 20 объединены и представляют выход 21 устройства считывания архитектурного бита программируемой логической матрицы, Транзисторы 8 и 9 обнуляют вход и выход триггера 4, Затворы этих транзисторов объединены и соединены с входом формирователя напряжения питания.-Устройство работаег следующим образом.В зависимосги от уровня сигнала на входе 2 устройство считывания находится в двух режимах, Если сигнал равен уровню логического нуля, то устанавливается режим считывания, В этом режиме транзисторы 8 и 9 закрыты (снимается блокировка триггера) и напряжение питания тригера 4 на выходе 3 открывает транзистор 23, Если ячейка 24 памяти находится в непроводящем...

Номер патента: 1569901

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Березин, Гарицын, Королев, Сахаров, Черняк, Шальнов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, оперативное

...7 памяти невыбранныхстрок остаются закрытыми, а состояние35 этих элементов 7 поддерживается за счетпротекания через вторые эмиттеры элементов 12 така хранения источника 8. В режимесчитывания ток считывания пропускается вовсе разрядные шины 11 накопителя, а в ре 40 жиме записи - в одну из разрядных шин.каждого столбца накопителя 1 в зависимости от записываемой информации,Кратковременное воздействие ДФ вызывает генерацию фототоков в р-и-перехо 45 дах конструктивных элементов устройствакратковременным являетсл акое воздай т 1569901вие ДФ, которое не приводит к необратимым изменениям характеристик элементов устройства), Фототоки генераторы 29), возникающие в элементах 7 памяти, действуют так, что стремятся выравнять потенциалы коллекторов и...