Патенты с меткой «мноп-элементе»

Номер патента: 1336111

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Бережной, Плотников, Садыгов, Селезнев

МПК: G11C 11/40

Метки: информации, мноп-элементе, памяти, хранения

...плоских зон МНОП-структуры становится более положительной. Приложенный к затвору МНОП-структуры отрицательный импульс напряжения вызовет уменьшение накопленного отрицательного заряда или положцтельного заряда. При этом величина потенциала плоских зон МНОП-структуры делается более отрицательной. Таким образом, в зависимости от полярности и амплитуды поляризующего импульса напряжения, предварительно поданного на затвор МНОП-структуры, величина потенциала плоских зон МНОП-структуры может принять разные значения. Два из крайних значений потенциала плоских зон принимается за положение окна переключения МНОП-структуры. В первом случае МНОП- структура находится в состоянии логической 1, а во втором случае - в состоянии логического 0. В...

Номер патента: 1405088

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Голтвянский, Дубчак, Костюк, Нагин

МПК: G11C 11/40, G11C 11/4063

Метки: записи, запоминающего, информации, матричный, мноп-элемент, мноп-элементе, накопитель, памяти, считывания, устройства

...с записанным зарядом сток инвертируется с истоком, т. е. подается напряжение= 6 = .,3, до появления тока в канале величицой 1 мкА.Экспериментальные зависимости (фиг. 1) резЯсняют принцип считывания информации, если ее записывать как со стороны стока, так и со стороны истока. Пусть к затвору элемента приложено некоторое напряжение Ц = -1-5 В, находящееся внутри межпороговой зоны МНОП-элемента., = 2 В, ) = 9 В). Если элемент находится ц исходном состоянии, то его выход. цая характеристика имеет виднезависичо от того, какой электрод является стоком, т. е. ток в канале идет при любом напряжении ца стоке (1, . Если произведена запись со стороны стока, то эта характеристика примет вид 2. При этом напряжение ( соответствует напряжению...

Номер патента: 1405089

Опубликовано: 23.06.1988

Авторы: Голтвянский, Дубчак, Костюк, Нагин

МПК: G11C 11/40, G11C 11/4063

Метки: записи, запоминающего, информации, матричный, мноп-элементе, накопитель, памяти, считывания, устройства

...записи горячих электронов насток 5, соединенный с затвором 12, подаетсяимпульс (/л длительностью 10с, истокири этом заземлен. Принцип разогреваи инжекции электронов здесь аналогичентому, который используется в приборахс плавающим затвором, с той лишь разницейчто в данном случае захваченные электроныне растекаются вдоль канала, а сосредотачиваются на ловушках в нитриде кремниявблизи стока.В зависимости от режима записи длинаобласти вдоль канала со встроенными в диэлектрик зарядом колеблется вблизи значениямкм. При измерении эффективногопорогового напряжения такого транзисторас записанным зарядом сток инвертируетсяс истоком, т. е. подается напряжение Ь==(=l о до появления тока в канале величиной 1 мкЛ.Экспериментальные зависимости...

Номер патента: 1434499

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Кролевец, Сидоренко, Стиканов, Юхименко

МПК: G11C 11/40, G11C 11/4063

Метки: информации, мноп-элементе, памяти, считывания

...1 строке затвора транзистора Т 1,ю 4блока 7, открывая транзистор Т , 44 (транзистор Т; ,закрыт) и закрывая1адресные транзисторы Т,Т , где а - количество запоминающих транзисторов в строке. Формирователи 2 и б вырабатывают при этом нулевые потенциалы.45Напряжение стирания, вырабатываемое формирователем 5, воздействует одинаковым образом на затворную систему запоминающих транзисторов Т; и Т;Х;(по длительности и абсолютной величине напряжения), что при соответствующей длительности импульса стирания переводит транзисторы Т ,Т; Т , в состояние с одинаковым пороговым напряже 55 нием. В режиме "Считывание" формирователь 1 вырабатывает команды, обеспечивающие подключение блока 7 кстроке, открывая транзисторы Т;/ Т;, , Считывание информации из...