G11C 11/40 — транзисторов

Номер патента: 250997

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Атанов, Васильев, Катман, Сапронов, Силантьев

МПК: G11C 11/40

Метки: транзисторах, триггер, униполярных

...управ.20 ляемый электрод которого подсоединен в данную точку.Напряжение питания триггера выбираетсяиз условия: Е = (2 - 3) С,р, где У,р -напряжение, при котором транзистор овается.Эти условия определяют необходимость идостаточность того, чтобы при открывании запирающих нелинейных элементов - транзисторов 7 и 8 или управляемых диодов триггер ЗО оставался в том же устойчивом состоянии,Заказ 3922/10ЦНИИПИ Комитета Тираж 480елам изобретений и открытий при СовеМосква Ж, Раушская наб., д, 4/5 Подписное1 инистров СССР шография, пр. Сапунова котором он находился до подачи сигнала открывания или закрывания нагрузки.Сопротивления нагрузки выбираются из ус. ловия обеспечения максимального быстродействия триггера, т, е. Рв = Р = Р 2 = Я...

Номер патента: 253132

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Белинские, Институт

МПК: G11C 11/40

Метки: входом, счетным, триггер

...чей импулысов на входы 13 и 14,В исходном положении оба транзистора закрыты смещающим напряжением. Импульсом,поданным на вход 13, сердечник трансформатора смещается к вершине петли гистерезиса.25 При подаче отрицательного импульса на счетный вход он может поступить на базы обоихтранзисторов. Однако условия прохожденияимпульса через обмотки 5 и б неодинаковы.Импульс:почти беспрепятственно может пройз 0 ти через ту обмотку, в которой он создает мат. В. Юшин а(ктор Б. С, Нанкина обрек каз 28 Ти,рая 480 НИИПИ Комитета по делам изобретений и от Молева, Раушокая наПодписноетий при Совете Министров СССРд. 4/5. Типография24 Главполипрафпрома, Мооква, Г, ул. Маркса - Энгельса, 4,нитное поле, смещающее петлю тистерезиса сердечника в том же...

Номер патента: 254564

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Кузнецов, Уральский

МПК: G11C 11/40

Метки: 254564

...И - ИЛИ на диодах 1, 2 и резисторах 3, основных транзисторов 4, 5 и дополнительных транзисторов б, 7 в цепи обратной связи. В схеме триггера имеются входы 8, 9, 10, 11 и выходы 12, 13. При поступлении на вход 8 низкого уровнянапряжения и наличии на входе 10 высокогоуровня напряжения транзистор 4 левогоплеча триггера закрывается, и на базу тран 5 зистора 7 правого плеча поступает напряжение высокого уровня.При этом транзистор 5 открывается, закрывая транзистор б н отключая входную диодную логическую схему левого плеча триггераО от шины источника питания,При другом наооре входных сигналов (высокий уровень напряжения на входе 8 и низкий уровень напряжения на входе 10) откроются транзисторы 4 и б и закроются транзи 5 сторы 5 и 7, т. е. от...

Номер патента: 258387

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Костышин, Михайловскав.в., Романенко

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее

...запоминающим устройствам цифровых выиислительных машин.Известно запоминающее устройство, содержащее систему взаимно перпендикулярных шин с расширениями шин в местах их пересечения при записи, кода 1.Недостатком известного устройства является низкое быстродействие и малая плотность упаковщики из-за наличия взаимного влияния сосодних ячеек.В предложенном устройстве с целью повышения бькстродействия и плотности упаковки ,между шинами расположен слой,полупроводникового материала,На чертеже показано запоминающее устройство. Оно содержит две ячейки памяти 1 от 2.Ячейка состоит из взаимно перпендикулярных шин Д и 4 с расширениями 5 в местах их пересечения при записи кода 1 и без расширений 5 в местах пересечения шин при записи кода О(ячейка...

Номер патента: 262956

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Камотесов

МПК: G11C 11/40

Метки: 262956

...транзистора соединен с эмиттерным входом первой логической схемы, база и эмиттер - соответственно с коллектором и эмнттером второго многоэмиттерного транзистора. Точка соединения базы и коллектора обоих транзисторов подключена через резистор к выходу второй логической схемы, база второго многоэмиттерного транзистора через один резистор соединена с источником коллекторного питания, а через другой в источнику эмиттерного питания. Точка обьединения двух попарно соединенных эмиттеров в схеме является счетным входом, эмиттерные входы второго транзистора являются группами входов триггера.На чертеже изображена принципиальная схема триггера.Допустим. что триггер с нии, когда на его выходе вь262956 триггер в противоположное состояние. После...

Номер патента: 266838

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: G11C 11/40

Метки: триггерное

...усиления транзисторов должно незначительно превышать пороговое напряжение эмиттерного перехода транзисторов. Однако на практике с целью повышения помехоустойчивости или динамических характеристик триггера питающее напряжение выбирается в 3 - 10 раз большим, Увеличение потребляемой мощности составляет при этом величину ЛР, причем ХРР, где Р - величина потребляемой триггером мощности при минимально необходимом напряжении питания.В триггерном устройстве триггер с непосредственными связями дополнен парой транзисторов противоположного типа проводимости, образующих еще один функционально независимый триггер, причем оба триггера имеют общие коллекторные резисторы нагрузки.Для того, чтобы быстродействие и помехоустойчивость первого...

Номер патента: 267701

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Васильев, Козлов, Сапронов, Соловьев

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...областей ца изолирующем слое между ццъц 1 нанесены металлические электроды 4 - бМеталлический электрод затвора частично проходит под доцолццтельцыми взаимно изолированными металлическими электродами 7 ц 8, от которых он изолирован пленкой 9. В устройстве, показанном н фцг. 2, между электродами 7 ц 8 выполнен зазор,Элемент цямятц работает следующим образом.Предположим, что в исходном состояшш элемента канал МОП-структуры закрыт, При подаче ця электрод 8 сигналя записи информации Е, цз электрода 8 ня электрод 7 поцдет элсктрцческцц ток, например автоэмцссцц, через диэлектрик. В результате электрод затвора получит потенциал, равный по знаку, цо меньший ца величину падения в пленке 9. По достижении потенциала на электроде б вели шны...

Номер патента: 277856

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Карахан

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, моп-транзисторах, элемент

...транзистора 4 и стоковой области транзистора 2. Запоминающий эле мент имеет вход 9 для подачи восстанавливающего сигнала. Описываемый элемент не требует постоянного источника питания,Открытое состояние одного из транзисторов 1 или 2 и закрытое состояние другого поддерживаются за счет наличия или отсутствия заряда на паразитных конденсаторах 7 и 8 благодаря подаче на вход 9 восстанавливающих сигналов медленно нарастающего и медленно спадающего напряжения (цепи записи информации в запоминающий элемент и цепи считывания на чертеже не показаны).Предположим, что транзистор 1 открыт, а транзистор 2 закрыт. Такое состояние запоминающего элемента может сохраняться, если паразитный конденсатор 7 заряжен, а паразитный конденсатор 8 разряжен. Если...

Номер патента: 282417

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Берлинков, Библиотека

МПК: G11C 11/40

Метки: 282417

...правом плече триггера (выход 21)действует низкий уровень выходного напряукения, Тогда высокий уровень входного сигнала, поступивший на вход 19 триггера, от 30 кроет транзистор 1, и конденсатор 7 быстроставптель Д. Голубович сдактор М. Андре орректорвп В. Петров и М. Коробов Изд.150 Заказ 262/1 Тираж 480 ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открвпий прпМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное всте Министров СССРТипография, пр. Сапунова,разрядится, закрывая транзистор 3. Одновременно через диод 14 входной сигнал поступит на затвор транзистора 10 и откроет его. При этом в результате дсйствия динамической положительной обратной связи за счет конденсатора 16 напряжение между истоком и затвором транзистора 10 будет оставаться...

Номер патента: 283307

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Гусаков, Ильчинский, Орлов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...элемента является низкое быстродействие и высокие гребования к разбросу параметров транзисторов.С целью повышения быстродействия и сникения требований к разбросу параметров транзисторов, в предложенном запоминающем элементе дополнительно установлен транзистор, исток которого подключен к одному выходу триггера и к стоку транзистора записи, затвор - ко второму выходу триггера, а сток - к шине считывания.На чертеже представлена схема запоминающего элемента, который состоит из триггера, выполненного на транзисторах 1 - 4, транзистора записи б и дополнительного транзистора б, исток которого подключен к выходу 7 триггера и стоку транзистора 5, затвор - к выходу 8 триггера, а сток - к шине считывания 9.Элемент работает следующим...

Номер патента: 284030

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Берлинков, Всрсоюс, Токареь

МПК: G11C 11/40

Метки: 284030

...уровню логической единицы ЛОГ 1).20За счет падения порогового напряжения натранзисторах 13 и 14 потенциалы затворов нагрузочных транзисторов 5 и 6 меньше напряжения источника питания Е 2 (на величину25 порогового:напряжения); в связи с этим величина тока, потребляемого открытым плечом триггера в статическом режиме, значительно меньше, чем в случае непосредственного подключения питания Е 2 к затворам нагрузочных Зо транзи"торов 6 и 6.-с ставптель Голубови ректор Д. Б, Бадцлаь Терод Т, П. Курилко Редактор Семанов Тираж 480 делам изобретений и от Москва, Ж, Раушска саказ 7940ЦНИИПИ Комитета Областная типография Кострсигиокого управления ло геяати Когда на вход 7 схемы поступает высокий уровень входного сигнала, то перепад...

Номер патента: 284042

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Московский

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...подавать экспоненциально нарастающее (спадающее) напряжение, то энергия, рассеиваемая на сопротивлении Р при заряде (разряде) емкости, определится следующим образом:(4) где: У, - максимальное напряжение источника; п - соотношение постоянных нарастающего сигнала и РС-цепи.В этом нетрудно убедиться, записав энергию рассеяния цепи следующим образом: О - напряжение на сопротивлении; У - напряжение на входе РС-цепи; /(с) - напряжение на емкости. г 5 30 35 40 45 50 55 60 65 4Напряжение У(с) как функцию временинайдем, решая линейное дифференциальноеуравнение заряда(С)-6Ж Рс начальным условием- О У (с) - О, (ба)Напряженне на входе ЯС-цепи меняется экспоненциально, т. е. Применяя формулу для общего решениялинейного уравнения (2), получим: У(С)...

Номер патента: 284044

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Атанов, Васильев, Дорофеев, Сапронов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...в частности к запоминающим цифровых вычислительных маапоминающии элемент, выполнензисторах со структурой металлроводник (МОП-транзисторах), триггер, транзисторы записи ковыборки и два последовательно транзистора считывания, затвор торых подключен к выходу тригЦелью изобретения является упрощение схемы управления считыванием.Для достижения этой цели затвотранзистора считывания подключетранзистора координатной выборки.На чертеже прадставлена схема запоминающего элемента,Запоминающий элемент состоит из триггера, выполненного на транзисторах 1 и 2, двух нагрузочных транзисторов 3 и 4, транзисторов а и б записи, транзистора 7 координатной выборки и двух последовательно включенных транзисторов 8 и 9 считывания, затвор 1 О одного из которых...

Номер патента: 289446

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Атанов, Васильев, Дорофе, Логлинцев, Сапронов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, элел1ент

...запомицаюцз триггера, выполненногои 2, нагрузочнык трацзцсистора считывания б. б и 7, являющикся паразитнымп внутренними распределенными емкостями скемы. Восстанавливающие импульсы поступают от генератора импульсов по цепи восстановления ин формац:и па адресную шину, транзисторы 3и 4 открываются, и потенциал на емкости, крацящей код 1, возрастает до максимального значения, транзистор, затвор которого соединен с точкой ранения информации, открыва ется еще сильнее, чем обеспечивает болееблагоприятные условия для разряда емкости, кранящей код О,Считывание информации можно произво дить при подаче импульса напряжения на адресную шину, стробируя скему считывания 8,Запись процс.;одцт путем подачи ца стокодного из цагрузочцы.; транзисторов...

Номер патента: 292192

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Агасиев, Жураковский, Зейналлы, Коломиец

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...материала, расположенную двумя токонесущими электродами.Недостатком известного элемента является непрерывное изменение состояния. 10С целью повышения быстродействия и обеспечения длительного хранения информации пленка стеклообразного материала выполнена из соединения ЯЬЯ.На чертеже схематически изображен запо минающий элемент.На основании 1 из проводящего материала нанесена пленка 2 соединения 5 ЬЯ, на которой расположены токонесущие электроды 3. При подаче на элемент напряжения включе ция происходит скачкообразное увеличение проводимости на 3 - 4 порядка, причем после снятия напряжения состояние высокой проводимости сохраняется на длительное время без приложенной разности потенциалов, т. е. без затраты энерпц 1.Перевод в...

Номер патента: 304628

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Беркович, Лев, Одесский, Швец

МПК: G11C 11/40

Метки: nvioteka, шггентшкгшичгкшbhb

...пропсход 1 ит перемагнпчивание запоминающей ячейтан и информация о предыдущих состояниях не сохраняется.Целью настоящего изобретения являетсяустранение указанных недостатков.20 Уменьшение мощности, потребляемой запоминающей ячейкой, достигается благодаря использованию импульсного способа записи и считывания информации, причем ток записи замыкается через блокпровочный конденса тор, а не через транзистор триггера. Из-затого, что обмотки запоминающей ячейки вынесены из цепей триггера и подключены только к его внешним выводам, стало возможным использсвать запоминающие ячейки для запи- ЗО си,и воспроизведения состояний триггера в304628 Заказ 1838,15 И ад.765 Тираж 473 Подписное Типография, пр. Сапуиова, 2 нужный момент по командам...

Номер патента: 312306

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Камотесов

МПК: G11C 11/40

Метки: 312306

...схема управления содержит две пары транзисторов, по два транзистора на логический элемент, причем коллектор первого транзистора соединен со входом логического элемента, точка объединения 20 базы первого транзистора и коллектора второго транзистора соединена через резистор с цепью обратной связи, база второго транзистора соединена со средней точкой делителя, состоящего из двух резисторов, включенных 25 последовательно между выходами логических элементов, точка объединения эмиттеров двух пар транзисторов подключена к счетному входу триггера, дополнительные эмиттеры вторых транзисторов каждой пары подключены к ЗО им логическим входам триг312306 . Предмет изобретения Составитель Д, И, Голубович Редактор Н, М. Спиридонова Техред Т, П....

Номер патента: 317109

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Михайлов, Пухович, Стулов, Тупас, Щедрое

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...состоит из транзистора 1, в коллекторную цепь которого вк;почен индикатор 2, например лампа накаливания, связанный с источником напряжения - Е (источник на чертеже не показан). Между коллектором и базой транзистора 1 включена цепочка, состоящая из последовательно соединенных резистора 3, конденсатора 4 и зарядного диода 6, к катоду которого подключен анод разр диода 6. Катод разрядного диода 6 св общей шиной 7. К базе транзистора по чеи опорный диод 8, катод которого п 5 дииси к входной клемме 9.Запоминающий элемент работает следующим ооразом.В исходном состояшш - при отсутствии сигнала иа входной клемме 9 - транзистор 1 за иерт. Конденсатор 4 заряжен от источникаиапряяения до иом 1 иальной величины Е, Лампа 2 погашена. При появлеши...

Номер патента: 328608

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Иностранец, Иностранна, Токио

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...импульс 12.В предлагаемом запоминающем элементе используется то, что ток течет, либо не течет через исток 8, вследствие чего конденсатор МОЯ заряжается, либо не заряжается. Диод 4, связанный с затвором 3 транзистора 1, необходим для того, чтобы пропускать ток к указанному затвору только в одном направлении. На фиг. 3 показан запоминающий элемент, выполненный цо печатной схеме на кремниевой основе 13 Й типа. Кремниевую основу обрабатывают обычным способом, принятым для плоски.: транзисторов, например помещают се в атмосферу влажного кислорода при температуре 1100 С для образованияо пленки из окиси кремния, толщиной 4000 Л. Отдельные участки плеши устраняют путем применения резистцвцого покрытия типа Кодак (КРЯ).Бор диффуцдирует в...

Номер патента: 335720

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Горбань

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, моп-транзисторах, элемент

...чается к откр ток, являющ другой разря который нам 8,4 адподклюсоответподклюляетсяния. Впомехи,тывания апоминающий эле чертеже пока сторы 1, 2; рядную шинулей б и транз ,4, ра шину Изобретение относится к области вычислительной техники.Известен запоминающий элем МОП- транзисторах, содержащий триг двух активных и двух нагрузочных торов, 5 адресные транзисторы, разршины единиц и нулей, адресные шину восстанавливающих импульсов.Недостатком известного запоминающего элемента является сложенная схема и относи тельно большая площадь, занимаемая на подложке,Предлагаемый запоминающий элемент (ЗУ) отличается тем, что сток одного нагрузочного транзистора соединен с разрядной шиной 15 единиц, сток другого - с разрядной шиной нулей, а их затворы...

Номер патента: 342222

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Атанов, Васильев

МПК: G11C 11/40

Метки: интегральная, матрица, моп-транзисторах

...шины, являются кроме того буферными, элементами, работающими на конкретную емкостную и нелинейно-омическую нагрузку, что в свою очередь, снижает требования к мощности разрядных формирователей записи информации и обеспечивает возможность парафазной записи информаци,иПредложенная матрица более техпологична по сравнению с изливестны 1 ми, так как ее изготовление сводится к изготовлению матрицы со словарной организацией ис относительно неболышой по количеству активных компонебритов (транзисторов) лот,ической приставкой, объединяющей в себе групну транзисторов. Это значительно уменьшает количеспво пересечений потонкому окисному слою, так ,как все пересечения, связанные с организацией коорджйатной светемы, коиструкгивно вы 1 полня)рщщщрзна...

Номер патента: 343308

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Милославский, Паштно

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, моп-транзисторах, элемент

...элемента; выходы собирательных схем связаны соответственно с затвором координатного транзистора и с его истоком.На чертеже показана принципиальнаяэлектрическая схема предлагаемого устрой ства.Триггер с непосредственными перекрестными связями образован МОП-транзисторами Т 1 и Те, на объединенные истоки которых подается напряжение от постоянного источника пи тания Е. Одно плечо триггера через проходнойМОП-трапзистор Т, соединено с разрядной шиной 1 (РШ 1), второе в чер проходной МОП-транзистор Т 4 - с разрядной шиной О (РШ 0), Затворы МОП-транзисторов Т, и Т 4 15 соединены с истоком координатного МОПтранзистора Т 5, который по стоку и затвору через две собирательные схемы ИЛИ связан с шинами выборки элемента по координатам Х и У и...

Номер патента: 344498

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Всесо, Свердлов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, оперативное

...управля:ощих импульсов тока, а затворы подключены к соответствующим дешифраторам кода адреса числа.На чертеже показана схема устройства где:1 - координатные шины г, 2 - координатные 5 шины Х, 3 - числовые обмотками магнитногонакопителя, 4 - разделительные диоды дешифраторной матрицы, 5 - ключевые транзисторы, б - формирователь управляющих импульсов тока.10 Устройство работает следующим образом,При отсутствии напряжения на затвореключевого МДП-транзистора с индуцированным каналом ключи закрыты, Для выборки адреса отрицательное напряжение подается 15 на затворы транзисторов, управляющих выбранными координатными обмотками, и открывает ключи. Двухполярные импульсы адресного тока проходят через открытые ключи и выбранный адрес...

Номер патента: 344504

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Кравченко, Орликовский, Панасенко

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, полупроводниковый, элемент

...к анодному электроду 9, управляющие электроды 10 и П записи подключаются к шинам слова (А) и разряда (В) соответственно, по которым поступают импульсы записи и разрушения информации (см. фиг, 2).Управляющий электрод 12 считывания подключается к шине считывания слова (С), а с емкостного электрода 13, который подключен к выходным шинам разрядов (0), снимается хранимая информация; 14 - изолирующий слой для емкостного контакта (на фиг, 1 Б означает омический контакт).При записи, например 1, на управляющие электроды 10 и 11 по шинам слова (А) и разряда (В) поступают импульсы противоположной полярности, в результате чего в области полупроводника между управляющими электродами 10 и 11 создается критическая напряженность электрического поля Е.,...

Номер патента: 346750

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Степенииа, Трушин

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раугвская наб., д. 475 Типография,пр. Сапунова, 2 чивает устойчивое состояние схемы (хранение 1). При этом транзистор Тз тоже открыт, так как на его затвор подается напряжение выше порогового. Для выключения схемы (стирание логической 1) необходимо подавать на вывод Б отрицательное напряжение, по амплитуде примерно равное напряжению на выводе А и совпадающее с ним по времени, а на вывод В - нулевой потенциал, В этом случае отрицательный сигнал на шине Б препятствует протеканию базового тока транзистора Т, в прямом направлении, благодаря чему разрывается цепь положительной обратной связи, а паразитная емкость Сразряжается через открытый МДП-транзистор Т,. Если теперь на вывод Б подать нулевой...

Номер патента: 354471

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Кимарский, Раисов

МПК: G11C 11/40

Метки: 354471

...лительных машин и дискретных томатики. Известна тиристорно-транзист памяти, содержащая тиристор,записи и считывания, диод и рези Однако известная ячейка пав много времени для включения,быстродействие, и отличается сл мы управления. Цель изобретения - повышен ствия и помехоустойчивости ячеиктору транзистора инена с шиной 8 ной разрядной шис адресной шиной итывания - с вы. Коллектор тран нен с катодом тиезистором б, база - с анодом диода 4юго резистора б.оставитель Г, Челей пография, и р. Сапунова, 2 при этом уменьшения нагрузки приближенноравныа а где: Я, - величина сопротивления резистора б,Я 2 - величина сопротивления резистора 7, а - коэффициент усиления по току транзистора 3 в схеме с общей базой.При записи в ячейку...

Номер патента: 358722

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Милославский, Роговцев

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, моп-транзисторах, элемент

...истоки которых подается напряжение от постоянного источника питания 3. Одно плечо триггера через проходныетранзисторы 4 и б соединено с разрядной шиной 1 по записи б, а через транзисторы 7 и 8 - разрядной шиной 1 по считыванию 9. Второе плечо триггера через проходные транзисторы 10 и 11 соединено с разрядной шиной О по записи 12, а через транзисторы 13 и 14 - с разрядной шиной О по считыванию 15.Затворы транзисторов 4 и 11 подключены к координатной шине выборки по записи Х, 1 б, затворы транзисторов 5 и 11 - к координатной шине выборки по записи У 17, затворы транзисторов 8 и 13 - к координатной шине выборки по считыванию Х 18, а затворы транзисторов 7 и 14 - к координатной шине выборки по считыванию У,19.В режиме записи...

Номер патента: 387436

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Хавкин

МПК: G11C 11/40, G11C 17/00

Метки: запоминающее, мдп, постоянное, транзисторах

...чертеже представлена схема предла мого постоянного запоминающего устройс на МДП транзисторах.Она содержит МДП транзисторы 1 и 2, включенные в диагональ матрицы ПЗУ, затвор 3 транзистора 1, соединенный с шиной У, сток 4 транзистора 1, соединенный с шиной Х, исток 5 транзистора 1, соединенный с истоком 6 гранзистора 2; сток 7 и затвор 8 (соответср ,венно) транзистора 2, соединенные вместе и одновременно с шиной считывания.Во вновь изготовленных матрицах во всем 5 массиве записан О. Для записи информациимодуль ПЗУ подсоединяется всеми своими внешними контактами к устройству записи, например устройству считывания с перфокарты или перфолсн, тумблер ному пульту 10 И т. п. ЕсЛи с помощью такого устройства присоединить одну из шин У к...

Номер патента: 395900

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Карахан

МПК: G11C 11/40

Метки: динамическая, мдп-транзисторах, памяти, ячейка

...предназначенные для оперативных ЗУ.Однако в них происходит стирание информации при считывании,Для сохранения информации при считывании предлагаемая ячейка содержит буферный 1 Отранзистор, затвор и подложка которого подключены к запоминающему конденсатору,сток - к шине считывания кода, исток - кадресной шине считывания кода.На фиг. 1 приведена схема предлагаемой 15ячейки хранения; на фиг. 2 - схема, отражающая регенерацию кода в предлагаемой ячейке хранения. В течение деиствия на шине 20 первого тактового импульса заряжается конденсатор 13, так как сигнал считывания на входе 26 отсутствует инапряжение истока (относительно общей точки) равно напряжению питания схемы. Во времядействия на,шине 21 второго тактового импульса сигнал...

Номер патента: 399012

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гор, Климашин, Мансуров, Мартыненко, Талибов, Филиппов, Якушев

МПК: G11C 11/40

Метки: однофазный, триггер

...(ЧЭТ) 1, в результате чего тряпзпстор 2 з;крывдетс 5. Трдцзисто) 1 якк,5- крывается по базе уровпем О=-О.Таким образом, ток трдпзистордч,рзбазя-ко;Лектор пос, паст па )ХО;1 тря(з 1- сторцого усилителя 5 и открывает его, т. с.Я=О. По окопчации тактвого импульса(Т= 1) трап:3 стор 1 Остястс Открьты)1 пц и(.- реходу база-эмитер, тЯк к 3 щ. Г) =О Я т)дпзпстор 5 остается закрытым. Трдпзисторзяе)ыт, сост 05 ппс Г == 0 хряци51 КОв ТГцдпцдолго,Г)1 ким ццг(з( РО 1(.х(.т 1)51)1(5 .3:кода ) = О.1-слп т(.1 срь измсппть сиГНЯГ я 3 Хцд)(В= ), Г( прц пост) плспип гдктовогц импульса ( = - 0) открывается траизпстор дзабирает ток от транзисторы -1. ТряпзисторЦЫй СИЛИТСЛЬ д ЗДКРЫТ, фоР)ИРМСТС 51 СОСТЦ 5(- цие триггера Г) = . 1 ц окопчяпии такта(Т= 1)...