Ячейка памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1437919
Автор: Кушниренко
Текст
Изобретение Относится к Яычис 11 ительнои е ехнике -":. мажет быть испслЬ"зонано для построения электронныхвычислительных мацп 1 н.целью изобретения ЯВляется паны" ШЕНИЕ ИНфссиатЬНОННСй ЕМКОСТИ ЯчЕй"ки памяти.На фиг 1 представлена эле,".Тоиес -КаЯ СХЕМа ттЧЕйКИ т 1 т,;с;ТИ; 1 а фиттаблица лсггтческих состояний алеман"та ИНа фиг,Взеден 1 следуто 111:= обозНаЧЕЬттият НЭКСПттТЕЛЬ 1 т 1 Ый ЭЛЕ -. -3 ( 1 с.конденсатсрд гт:рный элемент 2;т,второй элемент 3 И. Пенньй ключевойэлемент 4; В-кана 1 т;-нс 11 агре"тсср.второй ключевой зле.:.еьтт 5 на и-канальном транзисторе; первь 111 и вто,;ойнагрузочные элементы о, 7 на ттрензис-,тторах перньй и второй источники 6,9 напряжения,ПЕВВЬй и Втоосй ;ХО .Ы ттэг,:.С 1,элемента 2 И являются соответственноинфсомациснным и адресьтьтт 1 Вхсда 1 и 5ячейки памяти а Вь"хоц Второго злеМЕНТа т И ЯвттяЕТСЯ ИЬ 1 фСрЬ.В:,.1 антп 111ВЫХОДС 1 Яствтт, т Оа,п 11Ячейка памяти работ,=.ет следуютттим образом.тПри поступлении команды запись на нторои вход элемент 1 2 И и с 1.1 ала одного разряда числа на перньй нхсд элемента 2 И сигнал с выхода элемента 2 И заряжает ссстнетстную 1 тим образом конденсатор ., 11 оьт пост П 111 етеии кОманды СчитыВание на Второй Вход элементе 3 И сигнал с конденсатсо1 ПОСТУПаЕТ На ВЫХОД ЯЧЕЙКИ тт,-.ыяттЕСЛИ На Ко - ,.1 ДЕ 1.1 С Срв 1 ттутЕВС,й НаПРЯжЕНИЕ (СОСТОЯтт-.тЕ ЛОГ. Д 1, то транзисторы 4 5 закрыты, Если на конденсаторе 1 напряжение +5 В (состояние лог "1") то открывается транзистор 5 и конттенсатор 1 псдза-. ряжется до напряжения +5Вторым .источником 9 напряжения.Если конденсатор 1 аряжается НалряжЕНИЕМ -5 3 (СССТСЯ 11 ИЕ ЛС п),то открывается транзистор 4 и конденсатор 1 подзаряжется до напряжения -5 Б первым источником 8 напряжения,формула изобретенияЯчейка памяти, содержащая первый элемент И, первый и нторой входы которого являются соответственно информационным входом и Входом записи тчейки памяти, второй элемент И,перВьй вход которого соединен с выходом первого элемента И, а второй вход и Выход являются соответственно входом считывания и информационным выходам ячейки, накопительный элемент на конденсаторе, первый нынад которого подключен к шине нулевого потенпилла ячейки, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения информационной емкости ячейки памяти, она содержит первьй источник напряжения, нынад положительного потенциала котороо соединен с шиной нуленага потенциала ячейки, второй источник напряния, Вывод отрицательного потенциапа которого соединен сшиной нулевого потенциала ячейки, первый и второй нагрузочные элементы на резисторах, первые выводы которых соединены с выходам первого элемента И, первый ключевой элемент на р-канальном транзисторе, сток, исток и затвор которсгс соединены соответственно с выводом отрицательного потенциала первого источника напряжения, вторым выводом резистора первого нагрузачнаго элемента и выходом первого элемента И. второй ключевой элемент на и-канальном транзисторе, сток, исток и затвор которого соединены соответстВенно с Вынодом положительного потенциала Второго источника напряжения, вторым выводом резистора второго нагрузочнаго элемента и выходом первого элемента И, а второй конденсатор накопительного элемента соединен с выходом первого элемента И.1437919 г Составитель Б. В Техред М. Ходан орр ек то Р Э. Лонч аков аж 59 сно ВНИИПИ Государственного по делам изобретений3035, Москва, Ж, Рауш енно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 оизво Редактор М.БандуЗаказ 5900/52 омитета СССРоткрытийая наб д, 4
СмотретьЗаявка
4182441, 25.11.1986
А. Н. Кушниренко
КУШНИРЕНКО АНАТОЛИЙ НИКАНОРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Опубликовано: 15.11.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1437919-yachejjka-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Ячейка памяти</a>
Предыдущий патент: Способ перепрограммирования ячейки памяти на мноп транзисторе
Следующий патент: Ассоциативное запоминающее устройство
Случайный патент: Пульсатор синхронный