Способ создания структуры диэлектрик-полупроводник кадмий-ртуть-теллурид

Номер патента: 506776

Опубликовано: 15.03.1976

Автор: Жаров

МПК: G01M 10/00

Метки: вакуумного, камера, стенда

...изоблиндрическая конструкция камерьго стенда, вертикальный разрез,Камера вакуумного стенда включает в себя рабочий отсек 1, имитирующий верхний бьеф гидроузла, примыкающий к нему отсек 2, имитирующий нижний бьеф и имею щий съемную торцовую стенку 3, подлотковые пути 4, на которых устанавливается оолегчепный прямоугольный лоток 5 с испытываемой моделью 6. обтекаемой рабочей жидкостью.0 Камера работает следующим образом.Для проведения испытаний в условиязплоской задачи в цилиндрические рабочие от секи 1 и 2 вводится и закрепляется прямо.угольный облегченный лоток 5. Ввод лотка 5 в стенд осуществляется через торцовое отверстие в отсеке 2, перекрываемое, стенкой 3, по подлотковым путям 4. В лотке устанавливается испытываемая модель 6...

Номер патента: 198182

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Колмацуй, Симис, Стражалковский, Троицкий

МПК: B05B 5/00

Метки: камера, поля, создания, уравновешивающего, электростатического

...камеры.На чертеже изображена камера в поперечном разрезе.Камера 1 включает корпус, состоящий из двух частей 2 и т, разделенных изолятором 4, и высоковольтный генератор 5. Корпус отделен от земли изоляторами б.При подведении к нижней и верхней частям корпуса соответственно подобранных напряжений У, и У, порядка 80 - 100 кв от высоковольтного генератора б (одинаковых по знаку, но несколько различных по величине) в камере создается уравновешивающее электростатическое поле, силовые линии которог поддерживают, в частности, наносимый мате риал в виде суспензии в воздухе. В дальней шем, после введения изделия 7 в камеру для нанесения покрытия, равновесие поля должно быть тем или иным образом нарушено, напри мер заземлением изделия, В...

Номер патента: 612124

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Габидовский, Гановский, Подымов, Телегин, Щелоков

МПК: F23R 1/12

Метки: импульсного, камеры, потока, продуктов, работы, сгорания, создания

...амплитуда зависит от размеров камеры. При постоянных размерах камеры амплитуда практически неизменна.Невысокая экономичность известного способа работы обьясняется тем, что на вытеснение из камеры продуктов сгорания,оставшихся после выхлопа, расходуется до трех- четырех объемов камеры, в то время как полезно используется только один.Белью изобретения является расширение пределов регулирования амплитуды давления выхлопа и повышение экономичности.Это достигается тем, что одновременно с подачей горючей смеси поперечное сечение камеры за патрубком по ходу смеси перекрывают пенной пробкой.На чертеже дана принципиальная, схема устройства для реализации предлагаемого способа. Устройство содержит камеруния, патрубок 2 для подачи горюси, запальник...

Номер патента: 1642341

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Марченков, Полевич, Сироко, Чикин

МПК: G01N 23/223

Метки: вакуумного, камера, спектрометра

...нержавеющей стали, и свинцовой пластины 9,прикрепленной к корпусу 8. На свинцовую пластину 9 нанесен реперный слой10, который представляет собой смесьили сплав веществ, содержащих всеэлементы, на анализ которых рассчитан прибор. Задвижка 4 служит длявакуумной герметизации шлюзовогообъема от рабочего объема во времясмены образцов для защиты от неиспользованного рентгеновского излучения. Реперный слой позволяет коррек-тировать значение интенсивности ха 1642341рактеристического излучения от элементов исследуемого образца с учетом изменения интенсивности характеристического рентгеновского излучения (ХРИ) элементов реперного слоя.При осуществлении анализа устройство работает следующим образом.Вводят в шлюзовой объем 3 камеры исследуемый...

Номер патента: 884498

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Кибалина, Придачин

МПК: H01L 21/423

Метки: отжига, полупроводник-диэлектрик, структур

1. Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик, включающий операцию импульсного облучения подложки с нанесенной на нее диэлектрической пленкой, отличающийся тем, что, с целью предотвращения повреждений структур, облучение проводят излучением, равномерно поглощающимся и в пленке, и в подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят электронами с энергией 5 - 10000 кэВ.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят протонами с энергией 10 - 2500 кэВ.4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что облучение проводят ионами с энергией 15 - 1000 кэВ.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят фотонами с энергией E в диапазоне...