Гетероструктура
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 505248
Авторы: Бекирев, Емельянов, Лаврищев, Полторацкий
Описание
1. Гетероструктура с p-n-переходом, в которой суперинжекция и излучательная рекомбинация носителей осуществляются в узкозонном слое, отличающаяся тем, что, с целью повышения эффективности гетероструктуры и стабилизации ее излучательных параметров, область излучательной рекомбинации отделена от области объемного заряда p-n-перехода слоем с переменной шириной запрещенной зоны такой толщины, что время переноса инжектированных носителей через него меньше времени жизни носителей.
2. Гетероструктура по п.1, отличающаяся тем, что, с целью повышения ее эффективности при одновременном уменьшении рабочих токов, область излучательной рекомбинации выполнена в виде потенциальной ямы, размеры которой меньше диффузионной длины неосновных носителей.
Заявка
1957310/25, 10.09.1973
Бекирев У. А, Емельянов А. В, Лаврищев В. П, Полторацкий Э. А
МПК / Метки
МПК: H05B 33/02
Метки: гетероструктура
Опубликовано: 20.07.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-505248-geterostruktura.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Гетероструктура</a>
Предыдущий патент: Способ извлечения тантала и вольфрама
Следующий патент: Излучательная многопроходная гетероструктура
Случайный патент: Ультразвуковой расходомер на эффектедопплера