ZIP архив

Описание

1. Гетероструктура с p-n-переходом, в которой суперинжекция и излучательная рекомбинация носителей осуществляются в узкозонном слое, отличающаяся тем, что, с целью повышения эффективности гетероструктуры и стабилизации ее излучательных параметров, область излучательной рекомбинации отделена от области объемного заряда p-n-перехода слоем с переменной шириной запрещенной зоны такой толщины, что время переноса инжектированных носителей через него меньше времени жизни носителей.

2. Гетероструктура по п.1, отличающаяся тем, что, с целью повышения ее эффективности при одновременном уменьшении рабочих токов, область излучательной рекомбинации выполнена в виде потенциальной ямы, размеры которой меньше диффузионной длины неосновных носителей.

Заявка

1957310/25, 10.09.1973

Бекирев У. А, Емельянов А. В, Лаврищев В. П, Полторацкий Э. А

МПК / Метки

МПК: H05B 33/02

Метки: гетероструктура

Опубликовано: 20.07.2012

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-505248-geterostruktura.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Гетероструктура</a>

Похожие патенты