Патенты с меткой «кадмий-ртуть-теллурид»

Номер патента: 1840192

Опубликовано: 10.08.2006

Авторы: Алехин, Варламов, Дрозд, Емельянов

МПК: H01L 21/31

Метки: диэлектрик-полупроводник, кадмий-ртуть-теллурид, создания, структуры

Способ создания структуры диэлектрик-полупроводник кадмий-ртуть-теллурид, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки анодного окисла и последующее нанесение в вакуумной камере слоя сульфида цинка, отличающийся тем, что, с целью повышениях стабильности характеристик структуры, слой сульфида цинка наносят циклично при температуре подложки 10-60°С, давлении паров диэтилцинка и сероводорода в вакуумной камере не менее 5 мм рт.ст и выдержке не менее 0,1 с.