Патенты с меткой «создания»

Номер патента: 360831

Опубликовано: 27.04.2000

Авторы: Архипов, Бакуль, Верещагин, Галактионов, Демяшкевич, Иванов, Лившиц, Попов, Прихна, Рябинин, Семерчан, Слесарев

МПК: B01J 3/00

Метки: высокого, давления, создания

Устройство для создания высокого давления по авт.св. 23236, отличающееся тем, что, с целью повышения износостойкости устройства, матрица закреплена на твердосплавных опорных плитах и выполнена в форме ступенчатого усеченного конуса с увеличением диаметра в сторону опоры.

Номер патента: 1378713

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Беляева, Дученко, Майзанов, Митин, Потапчук, Фомичев

МПК: H01L 21/324

Метки: n-n+-структур, кремниевых, мощных, полупроводниковых, приборов, создания

Способ создания кремниевых n-n+-структур мощных полупроводниковых приборов, включающий операции одностороннего наращивания сильнолегированного n+-слоя на подложку n-типа, механического снятия части n-слоя и последующей термообработки при температуре 1220 - 1250oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса изготовления n-n+-структур с заданными параметрами слоев и улучшения параметров приборов на их основе за счет достижения оптимальных профилей распределения примеси, термообработку ведут в течение 20 - 80 ч с последующим травлением n-слоя n-n+-структур в полирующем травителе на глубину 20 - 100 мкм.

Номер патента: 1152436

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Блохина, Изидинов, Потапчук, Якивчик

МПК: H01L 21/331

Метки: высоковольтных, силовых, создания, транзисторов

Способ создания силовых высоковольтных транзисторов с кремниевой n+-p-n-n+-структурой, содержащий операции создания слоя пористого кремния электрохимической обработкой нерабочей стороны пластины, формирования базовой и эмиттерной областей последовательной диффузией примесей в рабочую сторону пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения характеристик транзисторов, сначала с нерабочей стороны пластины создают монокристаллический n+-слой и затем в его объеме формируют слой пористого кремния при соотношении их толщин 0,5 - 0,7.

Номер патента: 1589942

Опубликовано: 10.06.2000

Автор: Козлов

МПК: H01L 21/40

Метки: контакта, омического, создания

Способ создания омического контакта, включающий размещение между кремниевой структурой со стороны n-типа и термокомпенсатором алюминиевой прокладки и сплавление, отличающийся тем, что, с целью уменьшения контактного сопротивления за счет создания прерывистого рекристаллизованного слоя p+-кремния и улучшения качества омического контакта, перед размещением алюминиевой прокладки осуществляют равномерное тиснение 10 - 50% ее площади.

Номер патента: 1144566

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Берлин, Колоскова, Нисневич, Попова, Почуева

МПК: H01L 21/316

Метки: алюмосиликатного, локальных, пленок, создания, стекла

Способ создания локальных пленок алюмосиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины, включающий осаждение пленки по всей площади пластины, формирование на пленке маски из фоторезиста, травление пленки при температуре 15 - 30oC в водном растворе фтористоводородной кислоты, фтористого аммония и ортофосфорной кислоты и удаление фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества рисунка пленок алюмосиликатного стекла толщиной 0,3 - 1,5 мкм при содержании в нем окисла алюминия 7 - 70 мас.%, травление проводят при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Фтористый аммоний - 13 - 18Фтористоводородная кислота 49o - 4 - 7

Номер патента: 1385438

Опубликовано: 27.07.2000

Авторы: Аглиуллин, Каримов

МПК: B65G 5/00, E21B 43/22

Метки: барьера, газа, пенного, подземном, создания, хранении

Способ создания пенного барьера при подземном хранении газа, включающий бурение нагнетательных скважин, чередующихся с разгрузочными скважинами по периферии пласта-коллектора - хранилища газа, закачку раствора пенообразователя в нагнетательные скважины с последующим его вспениванием газом, закачиваемым вслед за пенообразователем или газом из периферийной части пласта-коллектора, отличающийся тем, что, с целью снижения расхода пенообразователя при создании пенного барьера, определяют суммарную приемистость нагнетательных скважин при закачке в них раствора пенообразователя, одновременно с закачкой раствора пенообразователя в нагнетательные скважины производят отбор жидкости из разгрузочных...

Номер патента: 1231939

Опубликовано: 20.08.2000

Авторы: Выгодский, Галеев, Шаховкин

МПК: E21B 43/25

Метки: зоне, пласта, поля, призабойной, продуктивного, создания, электрического

Устройство для создания электрического поля в призабойной зоне продуктивного пласта, содержащее зацементированную обсадную стальную колонну труб со слоем изолирующего покрытия и токоподводящий кабель, отличающееся тем, что, с целью повышения мощности электрического поля, обсадная стальная колонна снабжена слоем изолирующего покрытия по всей наружной поверхности, а внутренняя поверхность и нижний торец колонны покрыты слоем изолирующего покрытия до уровня цементировочной пробки, при этом нижняя часть колонны перекрыта пробкой из диэлектрика, участок трубы против продуктивного пласта перфорирован, а токоподводящий кабель присоединен к обсадной колонне.

Номер патента: 1540107

Опубликовано: 27.08.2000

Автор: Шамов

МПК: B06B 1/00

Метки: высоких, давлений, жидкости, кавитации, низких, создания, статических, условиях

Способ создания кавитации в жидкости в условиях высоких или низких статических давлений, заключающийся в возбуждении в жидкости непрерывных высокочастотного и низкочастотного звуковых колебаний, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности кавитационного процесса в условиях нерегулируемых высоких или низких статических давлений, одновременно с низкочастотным колебанием возбуждают колебания на трех или более его нечетных гармониках, амплитуды давления которых относятся к амплитуде низкочастотного колебания как 1/n, где n - номер гармоники, при этом амплитуду давления низкочастотного колебания Р1 определяют из соотношений

Номер патента: 1369007

Опубликовано: 20.09.2000

Авторы: Лиманова, Томирдиаро, Ухов

МПК: A01B 79/02

Метки: крайнего, луговых, севера, создания, тундрах, угодий

1. Способ создания луговых угодий и тундрах Крайнего Севера, включающий нанесение минерального вещества на поверхность мохорастительного покрова и посев трав, отличающийся тем, что, с целью снижения материальных затрат и уменьшения загрязнения рек и озер, в качестве минерального вещества используют пылеватый грунт с размером фракции преимущественно менее 0,01 мм и наносят его сплошным покрытием поверхности мохорастительного покрова с учетом пестроты растительных сообществ и толщиной не более высоты капиллярного поднятия грунта.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что перед нанесением пылеватого грунта механическими орудиями измельчают кочки в мерзлом состоянии.3. Способ по пп.1 и...

Номер патента: 774466

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Закс, Король

МПК: H01L 21/265

Метки: базах, дрейфового, поля, создания, фотопреобразователей

1. Способ создания дрейфового поля в базах фотопреобразователей, включающий введение донорной примеси в базу с тыльной стороны исходной кремниевой пластины n-типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью сохранения времени жизни неосновных носителей в базе и сокращения длительности процесса, в качестве донорной примеси используют натрий, который вводят в базе методом ионной имплантации с последующей диффузионной разгонки при температуре 600-700oС.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что доза ионов натрия составляет 100-200 мкКл/см2.

Номер патента: 1522524

Опубликовано: 27.05.2003

Авторы: Ададуров, Бавина, Бреусов, Казакевич, Сергеев

МПК: B01J 3/08

Метки: давления, динамического, сверхвысокого, создания

Устройство для создания сверхвысокого динамического давления, содержащее цилиндрический контейнер для обрабатываемого материала, внутренняя полость которого закрыта вкладышем одного с ней диаметра, соосно расположенный над контейнером заряд взрывчатого вещества с детонатором, подставку под контейнером и охранное кольцо вокруг него, отличающееся тем, что, с целью повышения сохранности обрабатываемого материала в присутствии конденсированных газов, оно снабжено вкладышем, установленным в контейнере на расстоянии от подставки, равном 0,3-0,7 высоты внутренней полости контейнера, а соотношение высоты вкладыша и внутренней полости составляет 0,12-0,56, причем внутренняя боковая поверхность...

Номер патента: 1127511

Опубликовано: 10.08.2004

Авторы: Сериков, Хайлов

МПК: H01S 3/00

Метки: аэродинамическом, давления, окне, перепада, создания

Способ создания перепада давлений в аэродинамическом окне, заключающийся в том, что канал, соединяющий область низкого давления с окружающей средой, пересекают струей газа, которую затем тормозят в диффузоре, отличающийся тем, что, с целью уменьшения энергии на прокачку рабочего газа и расширения диапазона перепада давлений между разделяемыми объемами, за каналом струю газа разделяют на потоки - внешний и внутренний, относительно области низкого давления, при этом внешний поток газа тормозят в диффузоре до статического давления, равного давлению окружающей среды, а внутренний поток газа тормозят в диффузоре до статического давления, удовлетворяющего соотношению

Номер патента: 866950

Опубликовано: 20.08.2004

Авторы: Аврус, Гликман, Колдин

МПК: C03B 15/18

Метки: газовой, подушки, создания

Устройство для создания газовой подушки, включающее остов с направляющими и установленными на них секциями с газовыми ячейками, причем каждая секция выполнена с полостью в основании, в газовые ячейки соединяют с полостью камеру повышенного давления, отличающееся тем, что, с целью обеспечения работоспособности в условиях высокой температуры, устройство снабжено сильфонами, герметично соединяющими полости секций, а газоподводящие каналы соединяют камеру повышенного давления с полостями крайних секций.

Номер патента: 343543

Опубликовано: 27.09.2004

Авторы: Волков, Попов, Самсонов, Фортинов, Хрущев

МПК: F02K 1/11

Метки: величине, изменяемой, направлению, реактивной, руль, создания, струйный, тяги

Струйный руль для создания реактивной тяги, изменяемой по величине и направлению, содержащий корпус, две поворотные головки, снабженные решетками направляющих лопаток, и рычаги управления, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции, уменьшения габаритов и веса и повышения надежности, в нем над поворотными головками шарнирно закреплена регулирующая заслонка, причем наружная поверхность решеток поворотных головок и внутренняя поверхность регулирующей заслонки выполнены сферическими.

Номер патента: 1338508

Опубликовано: 27.09.2004

Авторы: Самсонов, Фортинов, Хрущев

МПК: F02K 1/11

Метки: величине, изменяемой, направлению, реактивной, руль, создания, струйный, тяги

Струйный руль для создания реактивной тяги, изменяемой по величине и направлению, содержащий корпус с входным каналом, две установленные на корпусе управляемые поворотные головки, снабженные решетками направляющих лопаток, сферическую регулируемую заслонку, шарнирно установленную над управляемыми поворотными головками и снабженную рычагами управления, отличающийся тем, что, с целью улучшения газодинамических характеристик и увеличения удельной тяги струйного руля при постоянстве количества отбираемого из-за компрессора воздуха, струйный руль снабжен камерой сгорания, установленной на корпусе соосно входному каналу и снабженной устройством подачи и воспламенения топлива, при этом на...

Номер патента: 1782138

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Перевертайло, Скачков, Федосеенко, Чистов

МПК: H01J 61/16

Метки: излучения, создания, ультрафиолетового

Устройство для создания ультрафиолетового излучения, содержащее заполненный рабочей средой с инертным газом герметичный корпус из электроизоляционного материала, внутри которого установлены два охлаждаемых электрода с параллельными рабочими поверхностями и предыонизатор, и блок питания с высоковольтным конденсатором, соединенным с указанными электродами, отличающееся тем, что, с целью повышения его эффективности, корпус выполнен в виде параллелепипеда из непрозрачного для ультрафиолетового излучения материала, снабжен съемной крышкой и расположенным напротив него окном, прозрачным для ультрафиолетового излучения, электроды установлены в одной паре параллельных стенок корпуса с...

Номер патента: 1840072

Опубликовано: 10.07.2006

Авторы: Барченко, Зайцев, Микряев, Перлов, Прилипко, Розанов, Хомутский

МПК: H01S 3/092, H03S 3/092, H05B 41/30 ...

Метки: импульсов, света, создания

Устройство для создания импульсов света, содержащее, по меньшей мере, две газоразрядные лампы с электродами на противоположных концах, одни из которых через индивидуальные дроссели соединены с соответствующими выводами источника питания, а другие электроды ламп подключены к высокопотенциальному выводу вторичной обмотки импульсного трансформатора, низкопотенциальный вывод которой подсоединен к общему выводу источника питания, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности одновременного зажигания ламп при одновременном снижении амплитуды импульса зажигания, каждая из ламп снабжена установленным с наружной стороны ее колбы вблизи электрода, соединенного с указанным высокопотенциальным выводом трансформатора, дополнительным средством...

Номер патента: 1840062

Опубликовано: 10.08.2006

Авторы: Балюс, Ваулин, Гуков, Рудановский, Чернышев

МПК: H02P 3/08

Метки: гистерезисного, двигателя, перевозбуждения, поддержания, разгона, режима, синхронного, создания, форсированного

Устройство для форсирования разгона, создания и автоматического поддержания режима перевозбуждения синхронного гистерезисного двигателя, содержащее гистерезисный двигатель, инвертор, синхронизированный кварцевым задающим генератором, отличающийся тем, что, с целью стабилизации уровня напряжения питания инвертора, упрощения схемы и повышения надежности устройства, применен амплитудный регулятор напряжения, включенный между источником питания и инвертором, управляемый с помощью звена обратной связи с изменяющимся коэффициентом передачи по командам от блока контроля перевозбуждения и реле времени.

Номер патента: 1840192

Опубликовано: 10.08.2006

Авторы: Алехин, Варламов, Дрозд, Емельянов

МПК: H01L 21/31

Метки: диэлектрик-полупроводник, кадмий-ртуть-теллурид, создания, структуры

Способ создания структуры диэлектрик-полупроводник кадмий-ртуть-теллурид, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки анодного окисла и последующее нанесение в вакуумной камере слоя сульфида цинка, отличающийся тем, что, с целью повышениях стабильности характеристик структуры, слой сульфида цинка наносят циклично при температуре подложки 10-60°С, давлении паров диэтилцинка и сероводорода в вакуумной камере не менее 5 мм рт.ст и выдержке не менее 0,1 с.

Номер патента: 1753893

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Базыленко, Баянов, Буляк, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/312

Метки: алюминия, диэлектрика, межслойного, микрорельефе, микрорисунка, слое, создания, сплавов

Способ создания микрорисунка в слое алюминия или его сплавов на микрорельефе из межслойного диэлектрика, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности слоя и его селективное реактивно-ионное травление в хлорсодержащей плазмообразующей смеси при давлении 15-20 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,4-0,5 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения воспроизводимости микрорисунка и предотвращения коротких замыканий на микрорельефе, травление проводят до вскрытия планарных поверхностей микрорельефа, после чего осуществляют дотравливание слоя при давлении 6-12 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,6-0,8...

Номер патента: 1701064

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Базыленко, Василевич, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, микрорисунка, поверхности, создания

Способ создания микрорисунка на поверхности кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности кремния, обработку поверхности кремния и фоторезиста в кислородсодержащей плазме ВЧ-разряда при давлении 2,0-13,3 Па и локальное травление кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости создания микрорисунка в кремнии, кислородсодержащая плазма, в которой проводят обработку поверхности кремния и фоторезиста, дополнительно содержит 40-50 об.% гексафторида серы, плотность мощности разряда на обрабатываемой поверхности создают в диапазоне 0,7-0,9 Вт/см 2 и обработку проводят до удаления слоя кремния толщиной 0,04-0,12 мкм.

Номер патента: 1545741

Опубликовано: 10.10.2008

Авторы: Кислых, Решетин

МПК: G01M 9/00

Метки: высокотемпературного, газового, потока, создания

Способ создания высокотемпературного газового потока, основанный на сжигании подаваемого монотоплива на основе жидкого пропана и последующей подаче продуктов сгорания в газодинамическое сопло, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных характеристик путем приближения параметров потока к натурным, улучшения сжигания топлива и варьирования температуры газового потока в диапазоне 2000-3500 K, дополнительно подают жидкие закись азота и углекислоту при соотношении массовых долей углекислоты и закиси азота 0,05-0,5, перемешивают их и при достижении давления в смеси 10-100 МПа, подают смесь для сжигания.

Номер патента: 460794

Опубликовано: 10.10.2008

Авторы: Кислых, Сидельников

МПК: G01M 9/00

Метки: гиперзвукового, потока, создания

Способ создания гиперзвукового потока по авт. св. № 329432, отличающийся тем, что, с целью создания высокотемпературных потоков, состоящих из смеси двухатомных и трехатомных газов, и защиты стенок камеры и сопла от воздействия кислорода, в ствол установки адиабатического сжатия подают смесь окиси углерода и окислов азота N2O, NO2, N 2O4, повышают температуру ниже температуры инверсии, принудительно воспламеняют во вспомогательной камере, и стабилизируют поток газов в ограничительной зоне камеры стабилизирования.

Номер патента: 1776125

Опубликовано: 10.10.2008

Авторы: Кислых, Пучков

МПК: G01M 9/02

Метки: аэродинамической, потока, рабочего, создания, трубе

1. Способ создания рабочего потока в аэродинамической трубе по авт.св. № 1496450, отличающийся тем, что, с целью расширения экспериментальных возможностей путем увеличения скорости кислородсодержащих потоков, в рабочий газ дополнительно подают закись азота, а подачу сжатого гелия осуществляют до достижения средней температуры смеси в форкамере величины 600-1300 K, при этом перед вытеснением смеси через сопло ее выдерживают в форкамере в течение 0,001-1 с до инициирования реакции разложения.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью моделирования натурных условий взаимодействия рабочего потока с исследуемым объектом путем воспроизведения реального состава воздуха по кислороду...

Номер патента: 366761

Опубликовано: 10.10.2008

Авторы: Иванов, Кислых, Сидельников, Царегородцев

МПК: G01M 9/00

Метки: аэродинамической, высокотемпературного, импульсной, потока, создания, установке

1. Способ создания высокотемпературного потока в импульсной аэродинамической установке, например, установке адиабатического сжатия, основанный на том, что за счет подвода к рабочему газу, например типа N2O, N2 O+N2, энергии повышают в основной камере температуру до величины на 50-100 K ниже температуры инициирования экзотермической реакции и на использовании внутренней энергии плотных газов и тепловой энергии, выделяющейся при протекании экзотермической реакции во вспомогательной камере, отличающийся тем, что, с целью моделирования процессов диссоциации в воздухе при температуре 4000-5000 K в условиях квазистационарного изменения давления, рабочий газ при...

Номер патента: 1531828

Опубликовано: 27.06.2010

Авторы: Бакшт, Федюнин

МПК: H05H 1/00

Метки: газоплазменной, оболочки, предыонизацией, создания

Устройство для создания газоплазменной оболочки с предыонизацией, содержащее вакуумный сильноточный диод с вакуумным объемом, клапан и сопла напуска газа, искровой разрядник, накопительную емкость и импульсный трансформатор, включенный в цепь накопительной емкости и искрового разрядника, отличающееся тем, что, с целью повышения электрической прочности и стабилизации процесса поджига, разрядник установлен вне вакуумного объема в одном из электродов вакуумного диода непосредственно перед соплами.

Номер патента: 795321

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Кунашкевич, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/28, H01L 21/285

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию р-типа проводимости, включающий нанесение молибдена на кремниевую подложку катодным распылением, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности омического контакта, катодное распыление молибдена проводят путем создания в рабочей камере вакуума (1,3-6,7)10 -4 Па, введения фторосодержащего газа, BF3, до создания вакуума (2,7-3,2)10-2 Па, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В.

Номер патента: 1709864

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Баранов, Воробьев, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию p-типа проводимости, включающий катодное распыление молибдена на кремниевую подложку путем создания в рабочей камере предварительного вакуума (1,3-6,7)10-4 Па, введения фторсодержащего газа BF 3, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества омических контактов, в рабочую камеру дополнительно к BF3 вводят четырехфтористый углерод и водород при следующем соотношении компонентов в газовой среде состава, об.%: Четырехфтористый углерод

Номер патента: 814175

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Владыченко, Данилов, Рассадин, Снитовский

МПК: H01L 21/311

Метки: диэлектрической, изоляции, полупроводниковых, приборов, создания, элементов

Способ создания диэлектрической изоляции элементов полупроводниковых приборов, включающий нанесение слоя нитрида кремния на кремниевую подложку с эпитаксиальным слоем, вскрытие в нем окон под контакты, травление кремния и локальное окисление, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборов, окна в нитриде кремния травят в виде узких полос шириной 0,5-1,5 мкм с отношением ширины полосы к расстоянию между ними, равным 0,56:0,44, а травление кремния в окнах проводят на глубину, большую, чем их ширина.

Номер патента: 782616

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данилов, Снитовский

МПК: H01L 21/30

Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания

Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий создание окон к активным областям, напыление слоя металла на всю поверхность пластины и фотолитографический процесс формирования рисунка металлизации с использованием фотошаблона, содержащего эмиттерные и базовые дорожки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины эмиттерных дорожек при большой толщине напыленного слоя металла, после напыления металла проводят дополнительный фотолитографический процесс с использованием вспомогательного фотошаблона, содержащего только эмиттерные дорожки, ширина которых равна 1,4-1,6 ширины эмиттерных дорожек основного фотошаблона, и травление металла в этом процессе ведут на глубину 0,4-0,6...