Патенты с меткой «создания»

Номер патента: 1241938

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данкевич, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/283

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию, включающий обработку кремниевой пластины с активными областями в растворе плавиковой кислоты и нанесение молибдена, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контакта путем снижения контактного сопротивления, перед обработкой в плавиковой кислоте дополнительно проводят обработку в перекисно-аммиачном растворе, после чего пластину выдерживают 30-50 мин в вакууме от 4·10-3 до 1·10-4 Па при 220-350°С и повторно обрабатывают в перекисно-аммиачном растворе.

Номер патента: 1688743

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Пилипенко, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, омических, создания

Способ создания омических контактов, включающий обработку кремниевой пластины с активными областями в растворе плавиковой кислоты и нанесение металла, отличающийся тем, что, с целью снижения контактного сопротивления путем перевода диоксида кремния в квазиаморфную структуру типа кварца, перед обработкой в плавиковой кислоте пластину подвергают импульсной фотонной обработке с плотностью энергии 0,8-1,2 МДж/м2 при длительности импульса 0,03-10 с.

Номер патента: 1069571

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Заико, Румак, Снитовский, Тарасевич

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания

Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий последовательное нанесение на полупроводниковую подложку с активными областями слоев алюминия, молибдена и алюминия, формирование разводки и нанесение слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов за счет увеличения стойкости к электромиграции, перед формированием разводки дополнительно подложку со слоями металлов нагревают в инертной среде до 90-110°С, выдерживают при этой температуре, нагревают до 450-550°С и выдерживают, охлаждают со скоростью 60-80°/мин до 90-100°С и выдерживают при этой температуре, причем время выдержки при каждой температуре 5-7 мин.

Номер патента: 1241937

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Заико, Румак, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, микросхем, создания

Способ создания металлизации интегральных микросхем, включающий нанесение на полупроводниковую пластину с активными и пассивными областями металлических слоев, преимущественно алюминия, формирование разводки, термообработку, осаждение диэлектрического слоя и его травление в области контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросхем, термообработку осуществляют в инертной среде после травления диэлектрического слоя, при этом нагревают полупроводниковую пластину до температуры 363-383 K, выдерживают при этой температуре 4-6 мин, нагревают до температуры 473-823 K, выдерживают 20-30 мин, охлаждают со скоростью 60-80 град/мин до температуры 363-383 K и...

Номер патента: 1147205

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий формирование слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллической пластины кремния n-типа проводимости ориентации (100) при температуре 900-1100°С и отжиг в атмосфере инертного газа при температуре окисления, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, слой двуокиси кремния формируют толщиной 20-40 нм, а отжиг проводят в атмосфере аргона с добавлением 0,5-10 об.% кислорода.

Номер патента: 1186030

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Борисов, Гурский

МПК: H01L 21/265

Метки: биполярного, кремниевого, планарного, создания, транзистора

Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора, включающий легирование путем облучения ионами расположенных над массивными областями базы и покрытых слоем окисла кремния участков поверхности сформированной транзисторной структуры и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных транзисторов путем уменьшения тока утечки через переход база - коллектор, легирование проводят ионами фосфора в слой окисла на глубину проецированного пробега, равную 0,6-0,8 толщины слоя, дозой 1012 - 1015 см -2, а отжиг проводят при температуре 573-723 K в течение 6·102 - 3,5·103 с.

Номер патента: 1371456

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Буляк, Плотников, Румак, Хатько, Шевчук, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, оксида, слоев, создания, тонких

Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водород при расходе кислорода и водорода, равном соответственно 30-75 и 15-68 об.%, последующий отжиг в инертном газе, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур путем уменьшения дефектности подзатворного диэлектрика, подслой окисла формируют последовательной выдержкой сначала в...

Номер патента: 1223789

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: моп-структур, создания

Способ создания МОП-структур, заключающийся в нанесении маски из Si3N4 на поверхность кремниевой подложки, селективном окислении во влажном кислороде, снятии Si3N4, предварительном окислении во влажной атмосфере, создании подзатворного диэлектрика и нанесении полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем уменьшения дефектности поверхностного слоя кремния, предварительное окисление проводят до получения толщины окисла 130-150 нм, а в качестве влажной атмосферы используют смесь H2-O2 или H2-O2 -HCl, содержащую 1-4% HCl.

Номер патента: 1282767

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания

Способ создания подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от контактной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния толщиной (7-12) нм термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С и доокисления в атмосфере Ar-O2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода при соотношении расходуемых объемов HCl/O 2 = 0,01-0,04, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет повышения качества подзатворного диэлектрика, подслой двуокиси кремния формируют в атмосфере Ar-O 2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода и HCl не более 0,6 об.%.

Номер патента: 1233731

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, заключающийся в формировании слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллического кремния в атмосфере аргона, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выхода годных МОП-структур путем улучшения их зарядовых свойств за счет повышения качества структуры окисла, окисление проводят до получения электронографически аморфного окисного слоя толщиной, определяемой из соотношений для подложек кремния n-типа проводимости с ориентацией (100)и(2+0,25)·

Номер патента: 1240295

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Алиев, Малышев, Плотников, Румак, Хатько, Яковлев, Ясников

МПК: H01L 21/82

Метки: моп-структур, радиационно-стойких, создания

Способ создания радиационно-стойких МОП-структур, включающий формирование подзатворного диэлектрика на пластинах кремния, полевого электрода и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости структур, отжиг проводят в атмосфере аргона после формирования подзатворного диэлектрика в одном из диапазонов температур 590-630°С, 680-720°С, 840-880°С в течение 3-120 мин.

Номер патента: 1338720

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: моп-структур, создания, тестовых

Способ создания тестовых МОП-структур, включающий нагрев кремниевой пластины до температуры окисления, выдержку пластины при этой температуре в окислительной среде, охлаждение полученной структуры окисел - полупроводник до комнатной температуры и нанесение полевого электрода из молибдена магнетронным распылением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения качества подзатворного диэлектрика МОП-структуры, нанесение электрода на окисел структуры осуществляют при температуре кристаллизации двуокиси кремния в -кристобалит.

Номер патента: 1225430

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С в атмосфере Ar-O2 и доокисления в атмосфере, содержащей хлористый водород, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов за счет повышения качества окисла, подслой двуокиси кремния толщиной 7-12 нм формируют последовательным повышением температуры до температуры окисления в течение 20-50 мин в атмосфере, содержащей 0,5-10 об.% кислорода и выдержкой в течение 3-45 мин в атмосфере, содержащей 10-50 об.% кислорода, а доокисление...

Номер патента: 1261534

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Васильев, Исянова, Лобанов, Ломасов, Максимова, Овчинников

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерноактивных, лития, монокристалле, окраски, создания, фторида, центров

Способ создания лазерноактивных -центров окраски в монокристалле фторида лития, включающий охлаждение и облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью снижения величины поглощения неактивных центров окраски при одновременном упрощении создания -центров окраски, перед охлаждением монокристалл облучают при комнатной температуре в интервале доз 5·108 - 5,1·108 P, затем охлаждают его до температуры -20°С - 0°С, ограничивающей подвижность анионных вакансий, и облучают при этой...

Номер патента: 957634

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Мухачев, Татаринов

МПК: G01T 1/14

Метки: дозиметрах, заряда, объемного, создания, фотоэлектретных

Способ создания объемного заряда в фотоэлектретных дозиметрах из материалов с широкой запрещенной зоной и глубокими уровнями захвата путем облучения дозиметра в электрическом поле электромагнитным излучением с энергией, большей длинноволновой границы фотопроводимости и меньшей ширины запрещенной зоны, с последующим измерением тока фотостимулированной проводимости, отличающийся тем, что, с целью улучшения временной стабильности параметров дозиметра путем освобождения носителей заряда с мелких уровней захвата, дозиметр дополнительно облучают электромагнитным излучением с энергией, большей длинноволновой границы фотостимулированной проводимости и меньшей длинноволновой границы...

Номер патента: 1245207

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Лобанов, Максимова, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерноактивных, лития, монокристалле, окраски, примесями, создания, фторида, центров

Способ создания лазерноактивных центров окраски в монокристалле фторида лития с примесями, включающий термическую обработку и последующее облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации -центров окраски и создания -центров окраски, монокристалл перед термической обработкой предварительно облучают ионизирующим излучением в интервале доз 5·107 - 108 P и проводят его термическую обработку в течение 30-60 мин в температурном интервале 220-250°С, затем монокристалл охлаждают...