Способ создания силовых высоковольтных транзисторов

Номер патента: 1152436

Авторы: Блохина, Изидинов, Потапчук, Якивчик

Описание

Способ создания силовых высоковольтных транзисторов с кремниевой n+-p-n-n+-структурой, содержащий операции создания слоя пористого кремния электрохимической обработкой нерабочей стороны пластины, формирования базовой и эмиттерной областей последовательной диффузией примесей в рабочую сторону пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения характеристик транзисторов, сначала с нерабочей стороны пластины создают монокристаллический n+-слой и затем в его объеме формируют слой пористого кремния при соотношении их толщин 0,5 - 0,7.

Заявка

3678763/25, 26.12.1983

Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина

Потапчук В. А, Изидинов С. О, Блохина А. П, Якивчик Н. И

МПК / Метки

МПК: H01L 21/331

Метки: высоковольтных, силовых, создания, транзисторов

Опубликовано: 10.06.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1152436-sposob-sozdaniya-silovykh-vysokovoltnykh-tranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания силовых высоковольтных транзисторов</a>

Похожие патенты