Способ создания силовых высоковольтных транзисторов
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Заявка
3678763/25, 26.12.1983
Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина
Потапчук В. А, Изидинов С. О, Блохина А. П, Якивчик Н. И
МПК / Метки
МПК: H01L 21/331
Метки: высоковольтных, силовых, создания, транзисторов
Опубликовано: 10.06.2000
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1152436-sposob-sozdaniya-silovykh-vysokovoltnykh-tranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания силовых высоковольтных транзисторов</a>
Предыдущий патент: Электронно-лучевая пушка
Случайный патент: Поворотное делительное устройство