Патенты с меткой «создания»

Номер патента: 1083842

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Болдин, Голисов

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, легированных, микросхем, областей, полупроводниковых, приборов, создания

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ ОБЛАСТЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ путем окисления кремниевых пластин, вытравливания окон в маскирующем окисле, создания окисла в вытравленных окнах и ионной имплантации бора с последующей его разгонкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик полупроводниковых приборов и интегральных микросхем путем исключения дефектов в областях, легированных бором, выращивают окисную пленку в вытравленных окнах толщиной, определяемой соотношением d = kE,где d - толщина окисла, нм;E - энергия ионного легирования, кэВ;K - коэффициент, равный (3,6 - 4,0) нм/кэВ,после чего проводят ионную имплантацию бора в окисел энергией из диапазона 20-100 кэВ,...

Номер патента: 1432857

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Михалевский, Шушков

МПК: A63J 17/00

Метки: световых, создания, эффектов

СПОСОБ СОЗДАНИЯ СВЕТОВЫХ ЭФФЕКТОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ.1. Способ создания световых эффектов, включающий получение на поверхности экрана фоновой структуры путем пространственной интерференции пучка лазерного излучения на среде с элементами оптической неоднородности и совмещения с ней изображения объекта, отличающийся тем, что, с целью повышения выразительных возможностей путем создания иллюзии движения объекта в среде фоновой структуры, одновременно изменяют геометрические размеры изображения объекта и расходимость пучка лазерного излучения в зоне его взаимодействия со средой.2. Устройство для создания световых эффектов, содержащее экран, канал формирования изображения объекта, включающий источник излучения, блок...

Номер патента: 1204000

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Михалевский, Шушков

МПК: F21P 5/02

Метки: световых, создания, эффектов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ СОЗДАНИЯ СВЕТОВЫХ ЭФФЕКТОВ, содержащее размещенные на оптической оси источник когерентного излучения, пространственный оптический фильтр, объектив, элемент с зонами оптической неоднородности, установленный с возможностью перемещения относительно оптической оси, и экран, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, оно снабжено установленной между источником излучения и объективом трехэлементной телескопической системой, включающей длиннофокусный и расположенные по обе стороны от него короткофокусные оптические элементы, с установленным в межэлементном промежутке с возможностью перемещения транспарантом, при этом пространственный оптический фильтр установлен в фокусе первого короткофокусного...

Номер патента: 1484123

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Беляев, Демченко, Исаев, Розенберг

МПК: G01V 7/00

Метки: гравиметрической, опорной, сети, создания

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ОПОРНОЙ ГРАВИМЕТРИЧЕСКОЙ СЕТИ, включающий многократные измерения g группой гравиметров на каждой опорной точке и определения точности наблюдений g на каждой опорной точке, отличающийся тем, что, с целью сокращения количества рейсов и повышения точности за счет исключения коррелируемости измерений, на каждой опорной точке каждый из используемых гравиметров имеет различный принудительный температурный режим, при этом точность измеренных значений g определяют по формуле

Номер патента: 1628558

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Гавриленко, Николаев, Уляницкий

МПК: C23C 4/00

Метки: газопорошкового, потока, создания

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ГАЗОПОРОШКОВОГО ПОТОКА, включающий создание в открытом с одного конца стволе зон, заполненных горючей газовой смесью, разделенных зоной, заполненной негорючей газовой смесью, ввод в ствол перпендикулярно его оси порошка и инициирование детонации, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости потока, сначала инициируют детонацию в зоне у закрытого конца ствола, регистрируют момент появления фронта ударной волны в зоне у открытого конца ствола, после чего инициируют детонацию и в этой зоне.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при использовании горючей смеси, содержащей пропан-бутан и кислород при соотношении компонентов 1 2,0 9,0, выдерживают соотношения между длинами зон вдоль ствола l3...

Номер патента: 1426067

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Агафонов, Бурень, Казанский, Ракова, Романов

МПК: C09K 17/00, E02B 3/16

Метки: водонепроницаемого, дисперсных, пористых, создания, средах, экрана

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ВОДОНЕПРОНИЦАЕМОГО ЭКРАНА В ДИСПЕРСНЫХ ПОРИСТЫХ СРЕДАХ, включающий внесение в грунт порошкообразного полимерного материала с последующим увлажнением грунта, отличающийся тем, что, с целью снижения затрат на его установку и ремонт за счет обеспечения самовосстановления экрана при механических повреждениях, в качестве порошкообразного полимерного материала используют водонерастворимые гидрогели полиакриламида или сополимера крахмала и акриловой кислоты, а его внесение в грунт осуществляют в дозе 100 250 г/см2 в процессе безотвальной обработки грунта с помощью лапового культиватора и установленных за ним форсунок.

Номер патента: 1816414

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Ванин, Каспаров, Мохов, Нефедов

МПК: H05H 1/00

Метки: неоднородностей, плазме, создания, токовых

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОКОВЫХ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ В ПЛАЗМЕ, включающий создание плазмы между электродами, к которым приложена разность потенциалов и формирование токовых неоднородностей, отличающийся тем, что, с целью получения токовых неоднородностей в низкотемпературной плазме продуктов сгорания при атмосферном давлении, в плазму в области создания неоднородности фокусируют лазерное излучение с длиной волны, равной длине волны оптического перехода одного из компонентов плазмы, причем мощность P и длительность импульса tл лазерного излучения выбирают из условий:где S сечение лазерного пучка в точке фокусировки;

Номер патента: 1302505

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Кацай, Мясников, Сакович

МПК: B01J 3/06

Метки: давления, сверхвысоких, создания, температуры

УСТРОЙСТВО ДЛЯ СОЗДАНИЯ СВЕРХВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЯ И ТЕМПЕРАТУРЫ, содержащее соосно установленные и скрепленные поддерживающими кольцами матрицы с центральными углублениями, контейнер с образцом и нагревателем, размещенный в центральных углублениях, и установленные соосно с матрицами опорные плиты и измерительные термопары, отличающееся тем, что, с целью повышения точности поддержания температуры в реакционном объеме устройства и увеличения работоспособности устройства, измерительные термопары размещены в каналах, выполненных в матрице и/или опорных плитах и не имеющих выхода в полость, образованную центральными углублениями.

Номер патента: 1464653

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Страусман, Эткин

МПК: F42D 3/04

Метки: заряда, создания

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЗАРЯДА ВВ, включающий проходку зарядной полости, введение в нее емкости с дизельным топливом, установку боевика, заполнение полости аммиачной селитрой и забойку, отличающийся тем, что, с целью повышения безопасности и эффективности заряда при крупномасштабных взрывах на сброс и выброс за счет обеспечения условий для полного взрывного разложения всего объема ВВ и снижения пикового давления при инициировании, зарядную полость проходят горизонтально, емкость размещают над штабелем аммиачной селитры, а заполнение емкости дизельным топливом и установку боевика производят после завершения формирования штабеля аммиачной селитры.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что емкость заполняют дизельным топливом в количестве от 2...

Номер патента: 1253091

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Григиль, Лебедев, Савкив, Стеренчук, Федутенко

МПК: B65G 5/00

Метки: водоносного, газохранилища, малоамплитудных, пласта, создания, структурах, эксплуатации

СПОСОБ СОЗДАНИЯ И ЭКСПЛУАТАЦИИ ГАЗОХРАНИЛИЩА В МАЛОАМПЛИТУДНЫХ СТРУКТУРАХ ВОДОНОСНОГО ПЛАСТА, включающий сооружение эксплуатационных и нагнетательных скважин, закачку газа в газоносную часть пласта, отбор его через эксплуатационные скважины и предотвращение растекания газа путем поддержания равенства давлений в газоносной и водоносной частях пласта, отличающийся тем, что, с целью снижения затрат на создание и эксплуатацию газохранилища путем уменьшения количества скважин, закачку газа в газоносную часть пласта проводят в два этапа, при этом на первом этапе закачку ведут до достижения гидростатического давления, а на втором этапе одновременно с закачкой газа через эксплуатационные скважины в газоносную часть закачивают газ в водоносную...

Номер патента: 1485481

Опубликовано: 27.10.1995

Автор: Шамов

МПК: B06B 1/18

Метки: акустических, колебаний, создания

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ СОЗДАНИЯ АКУСТИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ, содержащее корпус с каналом подвода и камерой высокого давления, размещенные в последней коаксиально друг другу рабочую камеру, полый ротор со щелевыми отверстиями и статор с радиальными каналами соответственно на их цилиндрических поверхностях и привод вращения ротора, отличающееся тем, что, с целью повышения интенсивности акустических колебаний путем создания синфазных сходящихся волн давления, ширина щелевых отверстий и радиальных каналов выбрана из соотношенийгде а...

Номер патента: 1427757

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Григорьев, Евдощук, Лебедев, Резуненко, Савкив, Токой, Федутенко

МПК: B65G 5/00

Метки: газа, многопластовых, подземных, создания, хранилищ, эксплуатации

СПОСОБ СОЗДАНИЯ И ЭКСПЛУАТАЦИИ МНОГОПЛАСТОВЫХ ПОДЗЕМНЫХ ХРАНИЛИЩ ГАЗА, включающий выделение в геологическом разрезе нескольких пластов-объектов для хранения газа, бурение нагнетательно-эксплуатационных и контрольно-регулирующих скважин, оборудование нагнетательно-эксплуатационных скважин обсадной и эксплуатационной колоннами, закачку в выделенные пласты и отбор из них хранимого газа, отличающийся тем, что, с целью снижения затрат на создание и эксплуатацию газохранилищ за счет сокращения числа скважин, при оборудовании нагнетательно-эксплуатационных скважин в каждой скважине эксплуатационные колонны перфорируют в интервале всех выделенных пластов, закачку газа, подлежащего хранению, и его отбор производят одновременно по всем пластам через...

Номер патента: 1762457

Опубликовано: 10.11.1995

Автор: Щенников

МПК: B01J 3/06

Метки: давления, сверхвысокого, создания

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ СОЗДАНИЯ СВЕРХВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ, содержащее соосно установленные, скрепленные поддерживающими кольцами составные матрицы с коническими вставками из сверхтвердого или твердого материала, размещенными в конических отверстиях матриц, и контейнер с образцом, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции, составные матрицы выполнены из двух частей - рабочей и опорной, между которыми размещена вставка, причем коническая поверхность вставки сопряжена с коническим отверстием рабочей части, а большее основание вставки плотно прилегает к плоской поверхности опорной части.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что угол конусности отверстия матрицы составляет 40 60o.

Номер патента: 1466159

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Евдощук, Лебедев, Савкив, Федутенко, Юрченко

МПК: B65G 5/00

Метки: газа, подземного, создания, хранилища

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПОДЗЕМНОГО ХРАНИЛИЩА ГАЗА, включающий бурение эксплуатационных скважин, закачку буферного и активного объемов газа и последующую откачку активного объема с образованием остаточных запасов газа, отличающийся тем, что, с целью сокращения материальных и энергетических затрат при одновременном сокращении сроков создания хранилища на многопластовом месторождении, буферный объем хранилища формируют путем перепускания в вышележащие горизонты остаточных газов нижележащих горизонтов, при этом перепуск производят за счет перемещения газа из области высокого давления в нижележащих горизонтах в область более низкого давления в вышележащих горизонтах до выравнивания давлений во всех горизонтах хранилища.2. Способ по п. 1,...

Номер патента: 1679911

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Кастрюлев, Розес, Сидорова, Ткачева

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, полупроводниковых, приборов, создания

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование пленки барьерного металла Tiw, нанесение пленки Al Si, нанесение пленки фоторезиста, формирование рисунка межсоединений, удаление фоторезиста, ионно-химическое травление Tiw, отличающийся тем, что с целью повышения надежности полупроводниковых приборов, ионно-химическое травление пленки Tiw ведут на 2/3 толщины с дотравливанием в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты.2.Способ по п.1, отличающийся тем, что дотравливание в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты проводят при соотношении 1 1 и температуре 40 - 45oС.

Номер патента: 1577617

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Барсукова, Кастрюлев, Розес, Ткачева

МПК: H01L 21/28

Метки: больших, изоляции, интегральных, межсоединений, межуровневой, создания, схем

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕЖУРОВНЕВОЙ ИЗОЛЯЦИИ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование первого уровня межсоединений, нанесение пленки полиимида, создание межуровневых контактов и межсоединений второго уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности межуровневой изоляции межсоединений, перед нанесением полимида в него вводят бензимидазол в количестве 0,2-0,4% и проводят термообработку при 80-100oС.

Номер патента: 1589932

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/306

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, шоттки

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий формирование пассивных элементов и активных структур в монокремниевый подложке n-типа, нанесение диэлектрического покрытия, вскрытие в диэлектрическом покрытии контактных окон к эмиттерным областям и формирование эмиттерных структур, вскрытие контактных окон в диэлектрическом покрытии к базовым областям и областям формирования высокобарьерных диодов Шоттки, нанесения слоя платины и формирование силицида в открытых контактных областях, вскрытие контактных окон к областям формирования незкобарьерных диодов Шоттки, последовательное нанесение барьерного и токопроводящего слоев и формирование контактных электродов и...

Номер патента: 1487355

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Игнатьев, Леонов, Саперов, Саушин, Фардзинов

МПК: B65G 5/00

Метки: емкости, подземной, создания

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПОДЗЕМНОЙ ЕМКОСТИ, включающий бурение скважины в массив, образование в нем путем мощного камуфлетного взрыва полости, восстановление скважины, ее обустройство, спуск центральной колонны труб до нагрева породы, подачу в колонну труб рабочего агента и воздействие им на породу в навале на две полости, отличающийся тем, что, с целью увеличения активного объема емкости в пласте каменной соли, в качестве рабочего агента в центральную колонну нагнетают водяной пар с параметрами насыщения при давлении, равном давлению в емкости, образуют в навале воронку и осуществляют дополнительный спуск в нее центральной колонны, сохраняя расстояние между концом колонны и дном воронки постоянным, после чего продолжают нагнетать водяной пар до...

Номер патента: 1811736

Опубликовано: 20.01.1996

Автор: Погуляев

МПК: F16H 41/00

Метки: момента, погуляева, создания

1. Способ создания и регулирования момента, заключающийся в том, что создают центробежный поток рабочей жидкости гидродинамической насосной лопастной системой и направляют его через первую осевую турбинную лопастную систему, поворачивающую поток на 180o турбинную лопастную систему, осевой реактор с возможностью взаимодействия с его лопастной системой и возвращают поток в насосную лопастную систему, отличающийся тем, что с целью расширения функциональных возможностей, поток поворачивают на 180o посредством центробежной турбинной лопастной системы, направляют его далее через осевую турбинную лопастную систему, по меньшей мере одну последовательную пару осевых реакторной и турбинной лопастных систем и центростремительную...

Номер патента: 1616439

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Боднар, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, межсоединений, многоуровневых, создания, схем

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование топологии первого уровня межсоединений, нанесение первого кислородсодержащего диэлектрического покрытия, нанесение органического планаризующего слоя, травление органического и диэлектрического слоев, удаление остаточного органического слоя, нанесение второго диэлектрического изолирующего покрытия, вскрытие межуровневых контактов и формирование вышележащего уровня межсоединений, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности многоуровневых межсоединений за счет повышения степени планаризации, снижения разнотолщинности диэлектрического покрытия на шинах межсоединений с различной шириной, травление органического и первого диэлектрического...

Номер патента: 1686785

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Лопатин, Саперов, Сафулина, Фардзинов

МПК: B65G 5/00

Метки: емкости, подземной, породах, создания, соляных

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПОДЗЕМНОЙ ЕМКОСТИ В СОЛЯНЫХ ПОРОДАХ, включающий бурение в породы скважин, оборудование ее подающей и отводящей колоннами труб, подачу через скважину в солесодержащие породы рабочего агента для разрушения породы с навалом ее в полости, сопряженной со скважиной, и воздействие на породу в навале влажным паром, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени создания сухой подземной емкости, в качестве рабочего агента для разрушения используют сухой насыщенный пар, который нагнетают в подающую колонну под давлением, равным 50 - 90% от геостатического, на глубине создаваемой емкости до обрушения породы, при воздействии влажным паром осуществляют вынос породы из навала на поверхность, при этом после прекращения выноса...

Номер патента: 1196536

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Бойко, Запорожец, Мильштейн, Михеев

МПК: F04F 5/02

Метки: вакуума, создания

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ВАКУУМА, включающий преобразование жидкости в парожидкостную смесь и разгон последней с последующим подводом к ней откачиваемой газообразной среды, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности путем уменьшения затрат энергии, преобразование жидкости в парожидкостную смесь производят разгоном жидкости до скорости, при которой статическое давление жидкости равно давлению упругости ее паров, скорость парожидкостной смеси при ее разгоне поддерживают равной скорости звука в парожидкостной смеси или превышающей ее, а откачиваемую среду подводят к смеси в зоне ее течения со скоростью звука.

Номер патента: 1826744

Опубликовано: 10.04.1996

Автор: Марков

МПК: C22F 1/00, G01R 19/30

Метки: аномальной, повышенных, проводимости, создания, температурах

...ток со ществляют путем навивки спирали.40 Способ осуществляют следующим образом, Деформированные проводники крепили в вакуумной камере на изолированных друг от друга подвесках, концы крепили к токоподводам. Затемуз камеры откачивали воздух и заполняли ее ф атмосферного давления инертныМ газом, Затем на токоподводы подавали ток от. источника постоянного тока, на котором можно устанавливать режимы по стабилизации тока и/или напряжения, Йзменение тока в проводниках задавалось изменением напряжения на выходе источника питания либо напряжение на источнике питания задавали 600 В, а стабилизацию тока изменяли во времени до требуемого значения. сывали на двухкоординатном самописце.На проводник подавали ток, возрастающийво времени, но при этом...

Номер патента: 1814432

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/265

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, схем, шоттки

...получить максимальный эффектувеличения высоты потенциального барьера высокобарьерных диодов Шоттки при минимальных токах утечки обратной ветви. Известно, что в процессе образования дисилицида титана на 1 нм . толщины слоя титана расходуется 2,27 нм толщины кремния. Таким образом, на взаимодействие, например, 45 нм титана расходуется 103 нм слоя кремния, что требует применения ионной имплантации бором с энергией 30 кэВ.Реализация самосовмещенной технологии формирования дисилицида титана с помощью одностадийной импульсной фотонной обработки в указанных режимах позволяет получать величины максимального логического перепада при минимальном 2 уровне легирования акцепторной примесью за счет большей степени электроактивации,. более...

Номер патента: 1271155

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Лобанов, Максимова, Смольская

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: kcl-tl, tlva99+, кристаллах, лазерноактивных, окраски, создания, центров

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛАЗЕРНОАКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ Tl Va+ В КРИСТАЛЛАХ KCl-Tl, включающий облучение кристаллов ионизирующим излучателем при комнатной температуре и облучение светом, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии создания Tl0 Va+ центров, в качестве ионизирующего излучения используют гамма-излучение, и в качестве источника света кристаллы CsI Tl, которые предварительно приводят в оптический контакт с кристаллами KCl T и одновременно с ними облучают гамма-излучением.

Номер патента: 1805793

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Боднар, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, интегральных, создания, структур

...поверхности кремния продуктами реакции обеспечивается 20-40-ным содержанием гексафторида серы в травящей смеси.4045 5055 обработку структур при температуре 510 Св среде азота в течение 15 мин.Использование предлагаемого способасоздания интегральных структур позволитувеличить коэффициент усиления по току биполярных транзисторов в 1,5 - 2 раза, снизить величины контактного сопротивления к эмиттерным областям на 30 - 50, контактного сопротивления к базовым областям в 1,3-2 раза (при температуре - 60 С - в 5 - 8 раз), уменьшить ток утечки обратной ветвидиодов Шоттки в 3 - 4 раза при коэффициенте неидеальности 1,03 - 1,04. Улучшение данНых параметров интегральных структур позволяет исключить отказы по статическим и динамическим...

Номер патента: 1802500

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Лопатин, Саперов, Сафулина, Фардзинов

МПК: B65G 5/00

Метки: емкости, подземной, создания

...прочности пород на растяжение);наиболее оптимальные (экономичные)режимы нагревания обеспечивают парога 55 зовую смесь с параметрами насыщения, но,одновременно с этим, для создания существенных перепадов температуры необходимо "гасить" большую часть пара (то есть,отбирать у системы пар/порода энергию,позволяющую провести фазовый переходиэ пара в жидкость). Это возможно провести стравливанием, сочетающимся с подачей воды. Расчеты и практические наблюдения за поведением пзрогаэовых смесей в емко стях, созданных мощными камуфлетными взрывами показывают, что это возможно при сравнительно малых объемах емкости (до 5 тыс. м) (при больших объемах реальная скорость "гашения" пара в емкости будет соизмерима со скоростью остывания...

Номер патента: 1559975

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Липшиц, Полторацкий, Родионов, Шелюхин

МПК: H01L 21/283

Метки: арсениде, галлия, затвором, полевых, сбис, создания, транзисторов, шоттки

1. Способ создания полевых транзисторов с затвором Шоттки для СБИС ЗУ на арсениде галлия, включающий формирование истоковых и стоковых областей, нанесение защитного слоя, вскрытие в нем окон с помощью фотолитографии, локальное окисление подзатворной области, удаление оксида, формирование металлизации затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя арсенида галлия, локальное окисление проводят методом термического окисления в атмосфере сухого кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, а удаление оксида проводят методом термического отжига в атмосфере водорода при 600...

Номер патента: 1829718

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Комлев, Конухин, Руссков

МПК: G21F 9/04

Метки: воды, загрязнений, радиоактивных, создания, средства

...минералогический анализ в двух лабораториях независимо. Анализ показал, в облученной нефелиновой массе для доз 100-1000 МР изменился средний размер исходных зерен с 0,2-0,3 мм до 0,1-0,2 мм, исходные зерна стали более хрупкими. Способ создания средства для очистки воды от радиоактивных загрязнений, включающий модифицирован ие минерального сырья, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки воды и Важным обстоятельством явилась цементация измененных отдельных зерен в агрегаты с цеолитовой структурой,Из литературных данных, а также из опыта химической переработки хибинского нефелина в гидроокиси или соли алюминия и соду. известно, что эти продукты в качестве коагулянтов широко применяются при очистке воды. Отмеченные...

Номер патента: 1809708

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Васильев, Мищенко, Нальникова

МПК: H01L 31/18

Метки: мдп-структур, основе, подложках, полупроводниковых, создания, фотоприемников

...состава при температуре отжига Т, 11 - время отжига при температуре Т;, 1 - количество отжигов,Наконец, проводят операции по созданию конкретного ИК-фотоприемника на основе МДП-структур по одной из известных технологий, включающих нанесение диэлектриков и формирование электродов регистрации и обработки информации.На фиг.1 показана зависимость концентрации электрически активных центров в приповерхностной области от времени отжига структуры; на фиг,2 - зависимость обнаружительной способности МДП-фотоприемника от концентрации легируюшей примеси при различных значениях поверхностного потен. циала.Конкретный пример применения данного способа к ИК фотоприемникам, создаваемым на основе МДП-структур из КРТ р-типа с х = 0,22 и концентрацией...