Способ создания омического контакта

Номер патента: 1823709

Опубликовано: 27.09.1996

Авторы: Астахова, Бондарь, Стрельцов

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, омических

...контактов к кремнию методом РСД.П р и м е р 1, Берут кремниевую пластину, например, типа КЭФ,5 с открытыми окнами в двуокиси кремния под омический контакт с мел козалегаюшему диффузионному слою и+, помещают ее на катоде устройства плазмы тлеющего разряда и при плотности тока разряда плазмы 0,082мА/см в течение 2 мин проводят очистку поверхности кремния в открытых окнах, затем наносят пленку алюминия толщиной 0,3 - 0,5 мкм методом магнетронного распыления либо термическим испарением в вакууме. После осуществления фотолитографии по алюминию, снова располагают подложку кремния на катоде газоразрядного устройства и осуществляют РСД алюминия в кремний в плазме тлеющего разряда в течение 2 мин при плотности тока разряда плазмы 0.08 мЛ/см ....

Номер патента: 664244

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Зигберт, Ханс-Иоахим, Хартвин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, полупроводниковым, приборам, создания

...границ р-областей, посколькУ 45в электролите создается такое Распределение зарядов, что ионы, отти-гиваются от непосредственной граыоцир-И-переходов в р-область.Способ позволяет создавать контак., щты одновременно к ббльшому количест-ву приборов, когда, например," ООООэлементов расположены на Одной пблу-"проводниковой пластине.)а фиг 1 изображен разреЗ крйсталлической пластины; на Фиг.2 данапринципиальная схема для осуществления способа; на Фиг.3-7 - отраженспособ создания контактов при изготовлении транзисторов на Фиг.8 .- раз-рез готовой полупроводниковой пласти-,40ны, вид сверхуП р и м е р 1. Кристаллическая .: .пластина 1 (см.фиг.1),снабжена обцимоснованием (контактом), 2. Всю поверхность пластины покрывают слоем 44окисла...

Номер патента: 447108

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Вул, Денис, Иванникова, Калюжная, Репшис, Ярмалис

МПК: H01L 21/26, H01L 21/28

Метки: контакта, создания

...камеру, 15 не прерывая нагрева подложки концентрированным световым потоком, подают дозированную смесь очищенного водорода с тетрахпоридом кремния, легированным хпо ристым фосфором. Прн этом пластину крем ния располагают таким образом, что пэ верхность, на которую осуществпяется на:ращивание слоя, нагревается до более вы. сокой температуры, чем толща подложки. Найдено, что необходимым усповием рос та зеркально гладких слоев толщиной 150-200 мкм явпяется бопее высокий на 40-70 оС) нагрев поверхности растущей пленки по сравнению с обратной стороной пластины. Рост ппенки кремния ЗО толщиной 150-200 мкм происходит в спедующем режиме: температурный градиент по топщине ппасгины составляет 250- ЗООоС/см, температура роста ппенки 1000-1200...

Номер патента: 1829769

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Володин, Костюкевич, Смертенко, Ханов, Ханова

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, моносульфиду, омических, самария

...через маску так, что оставался чувствительный элемент 45 из ЯаЯ размером 2 х 1 мм, а с двух сторон егобыли образованы контактные площадки 1 х 1 мм, Сначала через такую маску напылялся титан в течение 35 - 330 с со скоростью 5 - 60 оА/с, а затем никель в течение 130 - 670 с со 50оскоростью 6 - 30 А/с. Напыление металлов проводилось при температуре 80 - 240 С.Вольт-амперная характеристика структуры (И 1+Т)-Игпи представлена на черте1829769 Таблица 1 Сопротивление макетов тензорезисторов с контактами (Т+М) при различных режимах напыления Т 1; Тпод.=150 С; режим напыления гЛ: время напыления 1 м=350 с, скорость напыоления Чю=15 А/с. отклонения от омического закона, для которого а= 1.Из зависимости на чертеже следует, что диапазон...

Номер патента: 204109

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Белалов, Моташ, Шуб

МПК: B23K 20/04

Метки: алюминиевым, биметаллической, катанки, наружным, слое

...тесн енного а счет тем фа сонную обирают в защивно й С, и прокаИзвестны способы изготовления биМеталлической катанки с наружным алюминиевым слоем путем введения сердечника в трубу и последующей горячей прокатки.Предложенный способ отличается тем, что заготовки собирают,из двух лент и сердечника, нагревают;в защитной атмосфере,и прокатьввают в калибрах со стесненным уширением и с удалением образующихся прирезов. Это позволяет получить прооное оцепление сердечника с наружньгм слоем.Сущность предложениого способа состоит в следующем.Зачищенную стальными щеткамиалюминиевую ленту и сердечник ссо 1 ставную заготовку, нааревают ватмосфере, например до 300 в 4 тьтвают в калибрах, обеспечиваюобжатия за проход в условияхуширения. Металл...