Патенты с меткой «создания»

Страница 53

Способ создания подземных хранилищ газа в малоамплитудных водоносных структурах или обводнившихся газоносных пластах

Загрузка...

Номер патента: 1820597

Опубликовано: 20.10.1996

Автор: Юрченко

МПК: B65G 5/00

Метки: водоносных, газа, газоносных, малоамплитудных, обводнившихся, пластах, подземных, создания, структурах, хранилищ

...промысловых исследований.Расположение нагнетательных скважин 2 на площади хранилища зависит от конфигурации структуры, Так, на Вергунском ПХГ, где положение кровли пласта-коллектора имеет эллипсовидную (яйцевидную) форму, вытянутую с запада на восток, с пологим падением крыльев структуры именно в этом направлении, расположение нагнетательных скважин должно иметь сегментное (дугообразное), Для округлых пологозалегающих структур вполне приемлемо кольцевое расположение нагнетательных скважин,Новое техническое решение может быть применено при создании подземных газохранилищ в малоамплитудных водоносных структурах или отработанных обводнившихся газовых месторождениях, Проведенные в последние годы экспериментальные работы на Олишевском ПХГ...

Способ создания замкнутых магнитных полей

Номер патента: 383415

Опубликовано: 20.12.1996

Авторы: Перегуд, Семенов

МПК: H05H 1/12

Метки: замкнутых, магнитных, полей, создания

1. Способ создания замкнутых магнитных полей для удержания заряженных частиц или плазмы путем формирования системы электрических проводников и пропускания по ним тока, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности удержания, систему электрических проводников формируют в виде двух наборов проводников постоянного сечения, расположенных на поверхностях концентрических сфер геометрически подобно один другому, и пропускают по наборам проводников токи взаимно противоположного направления и величин, обратно пропорциональных квадратным корням из радиусов соответствующих сфер.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что систему электрических проводников формируют с дополнительным диаметральным проводником с током.

Устройство для создания сверхвысокого давления

Номер патента: 1170667

Опубликовано: 20.12.1996

Автор: Щенников

МПК: B01J 3/06

Метки: давления, сверхвысокого, создания

1. Устройство для создания сверхвысокого давления, содержащее соосно установленные пуансоны, скрепленные поддерживающими кольцами, с центральными рабочими коническими вставками из сверхтвердого материала, размещенными в центральных углублениях на опорной части пуансонов, и контейнер образцом, расположенный между рабочими вставками, отличающееся тем, что, с целью повышения уровня генерируемых давлений и повышения срока службы, части рабочих вставок, размещенные в углублениях пуансонов, выполнены цилиндрическими, вставки установлены в углублениях по скользящей посадке, а высота выступающей части вставки составляетгде a высота выступающей части вставки, мм;h...

Способ создания коллекторных областей р-n-р-транзисторов

Номер патента: 1428116

Опубликовано: 10.03.1997

Авторы: Виноградов, Зеленова

МПК: H01L 21/265

Метки: коллекторных, областей, р-n-р-транзисторов, создания

Способ создания коллекторных областей p-n-p-транзисторов, создаваемых на одной подложке с n-p-транзисторами в составе интегральной схемы, включающий создание высоколегированной области коллектора p+-типа вертикального p-n-p-транзистора в подложке, формирование низколегированной области коллектора путем эпитаксиального наращивания пленки n-типа и одновременной диффузии из высоколегированной области коллектора p+-типа, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров интегральной схемы за счет повышения пробивного напряжения перехода коллектор-база p-n-p-транзистора и улучшения воспроизводимости параметров p-n-p-транзисторов, низколегированную область коллектора p-n-p-транзистора создают путем...

Устройство для создания воздушно-пузырьковой завесы при лове рыбы

Номер патента: 936501

Опубликовано: 10.09.1998

Авторы: Гостомыслов, Кузнецов

МПК: A01K 79/00

Метки: воздушно-пузырьковой, завесы, лове, рыбы, создания

1. Устройство для создания воздушно-пузырьковой завесы при лове рыбы, включающее компрессор, подключенный к нему воздухопровод с воздушными шлангами, имеющими отверстия и приспособление для ориентации шлангов в воде, отличающееся тем, что, с целью увеличения вылова рыбы путем снижения влияния шумов судна, приспособление для ориентации шлангов в воде содержит поворотно-выдвижную штангу и гидродинамический элемент, при этом концы шлангов с отверстиями подключены к штанге и гидродинамическому элементу.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что конец шлангов, подключенный к штанге, снабжен распределителем.

Терморасширяющийся материал для создания давления в замкнутых системах

Номер патента: 813956

Опубликовано: 27.04.1999

Автор: Гребенников

МПК: C09K 3/00

Метки: давления, замкнутых, материал, системах, создания, терморасширяющийся

Применение кристаллогидратов солей в качестве терморасширяющегося материала для создания давления в замкнутых системах.

Подложка для контролируемого создания эпитаксиальных структур

Номер патента: 993775

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Белобровая, Биленко

МПК: H01L 21/66

Метки: контролируемого, подложка, создания, структур, эпитаксиальных

Подложка для контролируемого создания эпитаксиальных структур GaAs и твердых растворов на его основе, содержащая слой GaAs, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности контроля, она содержит внутренний отражающий слой Ga I-xAlхAs при 0,2 < x < 0,5 мол.долей.

Способ создания лазерноактивных f-2-центров в кристаллах фторида лития

Номер патента: 1443496

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Исянова, Лобанов, Ломасов, Максимова, Проворов, Симин, Цирульник

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: f-2-центров, кристаллах, лазерноактивных, лития, создания, фторида

Способ создания лазерноактивных F-2-центров в кристаллах фторида лития, включающий облучение -излучением дозой до 2 -108P и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности создания F-2-центров и их устойчивости, термообработку проводят в процессе облучения при 230 - 240oС.

Способ создания f2-центров окраски в активной среде лазера

Номер патента: 1463098

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Лобанов, Лурье, Максимова

МПК: H01S 3/16

Метки: f2-центров, активной, лазера, окраски, создания, среде

Способ создания F-2-центров окраски в активной среде лазера на основе LiF, включающий обучение -квантами в интервале доз 5 105 - 106 Gy, отличающийся тем, что, с целью формирования осесимметричного профиля поглощения F-2-центров окраски в активной среде, перед облучением -квантами проводят облучение электронами в интервале доз 106 - 5 106 Gy...

Способ создания пористости в кристаллическом материале

Номер патента: 736664

Опубликовано: 10.09.1999

Автор: Худяков

МПК: C22F 3/00

Метки: кристаллическом, материале, пористости, создания

1. Способ создания пористости в кристаллическом материале, включающий облучение поверхности материала атомами гелия и отжиг, отличающийся тем, что, с целью управления характером пористости, в кристаллическом материале при температуре равной 0,01 - 0,3 температуры плавления, создают напряженное состояние, поверхность материала облучают атомами гелия энергией 50 - 1000 эв и электронами энергией (1 - 50) 106 эВ или нейтронами энергией 102 - 5 103 эВ, далее облучают нейтронами энергией 105 - 1014 эВ или ионами...

Способ создания герметизированного межрамного ограждения

Номер патента: 1090078

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Балдин, Егоров, Лысиков, Мельников, Поташников

МПК: E21D 11/00

Метки: герметизированного, межрамного, ограждения, создания

Способ создания герметизированного межрамного ограждения, включающий укладку рулонного материала по периметру выработки и установку рам крепи, отличающийся тем, что, с целью механизированного возведения рам крепи и межрамного ограждения, на раму крепи до ее установки последовательно укладывают металлическое решетчатое ограждение и рулонный материал, причем рулонный материал укладывают по периметру рамы крепи длинной стороной и располагают его консольно относительно решетчатого ограждения на величину, равную 1/4 - 1/5 шага крепи, после чего производят установку рам крепи.

Устройство для создания высокого давления и температуры

Номер патента: 803184

Опубликовано: 10.10.1999

Автор: Бибаев

МПК: B01J 3/06

Метки: высокого, давления, создания, температуры

Устройство для создания высокого давления и температуры, содержащее две соосно установленные матрицы, на обращенных торцах которых выполнены диаметрально вытянутые рабочие углубления, имеющие криволинейную поверхность, канавки, выполненные вдоль углублений, и контейнер из упругопластичного материала с нагревателем и образцом, размещенный в рабочих углублениях, отличающийся тем, что, с целью снижения градиента давлений по длине образца, рабочие углубления имеют форму эллипса или окружностей, сопряженных или пересекающихся между собой, а в продольном сечении имеют выпукло-вогнутую форму, и канавки выполнены по периметру рабочих углублений.

Устройство для создания сверхвысокого давления

Номер патента: 1319372

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Хвостанцев, Шутов

МПК: B01J 3/06

Метки: давления, сверхвысокого, создания

1. Устройство для создания сверхвысокого давления, содержащее две соосно установленные матрицы с центральными углублениями, в которых размещены контейнер с образцом, установленным в гидростатической среде, нагреватель и датчики для определения давления и температуры, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения давления при получении образцов больших размеров, нагреватель выполнен цилиндрическим, контактирующим по торцовым поверхностям с центральными углублениями матрицы, на одной из поверхностей центрального углубления матрицы по оси устройства размещена герметичная ампула, заполненная гидростатической средой, датчики для измерения давления и температуры размещены в...

Устройство для создания сверхвысокого давления

Номер патента: 1398154

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Сидоров, Хвостанцев, Яковлев

МПК: B01J 3/06

Метки: давления, сверхвысокого, создания

Устройство для создания сверхвысокого давления, содержащее матрицу с центральным отверстием, пуансон, прокладку из пластического материала, нагреватель и контейнер с образцом, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока службы устройства, пуансон выполнен цилиндроконическим с диаметром, меньшим диаметра центрального отверстия, и составленным по высоте из нескольких поршней, разделенных пластичными прокладками в виде фигурной шайбы с отверстием, в котором установлен медный диск, причем кольцевая часть шайбы размещена в кольцевом зазоре между пуансоном и отверстием матрицы, нижняя часть пуансона, обращенного к образцу, выполнена в виде усеченного конуса с углом при вершине 20 -...

Устройство для создания сверхвысокого давления

Номер патента: 1277468

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Авчибаев, Капитанов, Садков, Семерчан, Федоров

МПК: B01J 3/06

Метки: давления, сверхвысокого, создания

Устройство для создания сверхвысокого давления, содержащее матрицу с соосно расположенными в ее центральном отверстии подвижными и неподвижными пуансонами, между обращенными друг к другу торцами которых размещен контейнер с образцом, отличающееся тем, что, с целью получения изделий большой длины, пуансоны выполнены составными из опорных и рабочих частей, рабочая часть выполнена в виде оболочки с жидкостью, снабженной электровводом, размещенным по ее боковой поверхности, токоподводящим диском, контактирующим с электровводом, и теплоизолирующими прокладками, размещенными по обе стороны от диска между оболочкой и образцом, контейнер выполнен составным из внутренней и наружной втулок, наружная...

Устройство для создания сверхвысокого давления

Номер патента: 1790055

Опубликовано: 10.10.1999

Авторы: Бегоулев, Виноградов, Еремец, Тимофеев, Широков, Яковлев

МПК: B01J 3/06

Метки: давления, сверхвысокого, создания

1. Устройство для создания сверхвысокого давления, включающее две соосно установленные наковальни и узел их юстировки, отличающееся тем, что, с целью расширения технических возможностей за счет упрощения конструкции и повышения надежности работы, рабочие торцы наковален выполнены в виде выпуклых шаровых сегментов, расположенных по оси наковален, причем радиус и диаметр основания сегментов находятся в соотношенииd/R = 0,02 - 0,3,где d - диаметр основания сегментов;R - радиус сегментов.2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что наковальни выполнены из алмаза.

Способ создания силицидов металлов

Номер патента: 1080675

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Калинин, Суртаев

МПК: H01L 21/24

Метки: металлов, силицидов, создания

Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металла на кремний и нагрев структуры "металл-кремний" СВЧ-излучением с основной частотой 950 МГц - 1000 ГГц, плотностью поглощенной энергии излучения 0,2 - 2 кДж/см2 в течение 1 - 103 с, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев и упрощения технологического процесса, перед СВЧ-нагревом нанесенный металлический слой облучают ионами элементов, обладающих электроотрицательностью меньшей чем электроотрицательность нанесенного металла, причемЭм - Ээ = Э

Способ создания силицидов металлов

Номер патента: 884481

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Соколов

МПК: H01L 21/24, H01L 21/28

Метки: металлов, силицидов, создания

Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металлической пленки на кремний и импульсный нагрев структуры, кремний - металлическая пленка, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев при одновременном сохранении свойств исходного кремния, структуру нагревают импульсами СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность отдельного импульса менее 10-5 с и временные промежутки между ними 10-2 -10-1с, частота СВЧ-излучения 30 МГц - 100 ГГц, плотность поглощения энергии СВЧ-импульса рассчитывается по формулеE c

Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках

Номер патента: 884482

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников

МПК: C23C 14/00, H01L 21/24

Метки: диэлектриках, металлических, покрытий, полупроводниках, создания

Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках, включающий нанесение металла на подложку и последующий нагрев, отличающийся тем, что, с целью исключения нагрева подложки, уменьшения глубины проникновения металла в подложку, нагрев осуществляется импульсом СВЧ-излучения мощностью импульса, обеспечивающей плотность поглощенной энергии 0,1 - 6 дж/см2, длительностью импульса менее 10-5 с и частотой излучения, определяемой по формуле: где d - толщина металлического покрытия; - проводимость данного металла;

Способ создания многослойных проводящих покрытий

Номер патента: 1047333

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников

МПК: H01L 21/24

Метки: многослойных, покрытий, проводящих, создания

1. Способ создания многослойных проводящих покрытий на полупроводниковых приборных структурах, включающий нанесение пленок диэлектрика, кремния, металла и нагрев, отличающийся тем, что, с целью сокращения числа операций термообработки, на поверхность каждого слоя металла перед нанесением слоя диэлектрика наносят разделительный слой кремния, а нагрев проводят однократно после нанесения всех слоев структуры.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что нагрев проводят СВЧ излучением со следующими параметрами: длительность воздействия СВЧ излученичя 10-2 - 100 с, плотность поглощенной энергии СВЧ излучения 0,1 - 10 кДж/см2, основная частота СВЧ излучения определяется по...

Способ создания мелких n-p-переходов и контактов к ним

Номер патента: 1450665

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: n-p-переходов, контактов, мелких, ним, создания

Способ создания мелких n-p-переходов и контактов к ним, включающий операции ионного легирования, термообработки и нанесения покрытия из силицидообразующего металла, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет устранения опасности проплавления n-слоя при уменьшении его толщины, в качестве силицидообразующего используют металл, обладающий величиной электроотрицательности, Хм, удовлетворяющей условию: Хм > Хпр > Xgi, где Хпр - электроотрицательный легирующей примеси, Xgi - электроотрицательность кремния, а термообработку проводят после нанесения покрытия из силицидообразующего металла при 550-1100 К в...

Способ создания фоточувствительных элементов на антимониде индия

Номер патента: 915684

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Вихрев, Герасименко, Лебедев, Ободников

МПК: H01L 21/425, H01L 31/18

Метки: антимониде, индия, создания, фоточувствительных, элементов

Способ создания фоточувствительных элементов, на антимониде индия p-типа проводимости, включающий операции фотолитографии, нанесения диэлектрических покрытий, облучения протонами для создания p-n-переходов, нанесения контактов к элементам на кристалле, присоединения кристаллов к основанию корпуса, отличающийся тем, что, с целью избежания деградации параметров p-n-переходов во время технологических нагревов, облучение проводят после всех технологических операций.

Устройство для создания в жидкости низкочастотного акустического поля

Номер патента: 1012166

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Дюдин, Тимошенко

МПК: G01S 7/52, H04R 17/00

Метки: акустического, жидкости, низкочастотного, поля, создания

Устройство для создания в жидкости низкочастотного акустического поля, содержащее электроакустический преобразователь, подключенный к выходу двухчастотного генератора, и нелинейный элемент, соединенный с излучающей поверхностью преобразователя, отличающееся тем, что, с целью увеличения коэффициента преобразования энергии исходных волн в энергию разностной частоты, нелинейный элемент выполнен в виде закрытого с торцов звукопрозрачными мембранами металлического стакана, заполненного ферромагнитной жидкостью и снабженного обмоткой возбуждения, подключенной к источнику электрического напряжения.

Устройство для создания сверхвысокого давления

Номер патента: 702643

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Бибаев, Верещагин

МПК: B01J 3/06

Метки: давления, сверхвысокого, создания

Устройство для создания сверхвысокого давления при обжатии материала, содержащее соосно установленные и скрепленные бандажными кольцами встречно перемещающиеся пуансоны, на рабочих торцах которых выполнены кольцевые выступы, служащие для образования уплотняющего заусенца впадины, отличающееся тем, что, с целью увеличения стойкости, кольцевые выступы пуансона образованы концентрично закрепленными на пуансоне кольцами, выполненными из материала с более высокими прочностными характеристиками, чем у пуансона.

Устройство для создания сверхвысокого давления

Номер патента: 483867

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Валов, Верещагин, Капитанов, Яковлев

МПК: B01J 3/06

Метки: давления, сверхвысокого, создания

1. Устройство для создания сверхвысокого давления, содержащее образующие камеру две соосно расположенные матрицы, обращенные друг к другу торцовыми поверхностями, в центральной части которых выполнены углубления, заполненные контейнером из пластичного материала с размещенным в нем образцом, а также устройство для предотвращения вытекания контейнера, выполненное в виде установленного в пластичных прокладках удерживающего кольца из малодеформируемого по сравнению с пластичными прокладками материала, отличающееся тем, что, с целью создания более высоких давлений, на обращенных друг к другу торцах матриц выполнены дополнительные выемки, сопряженные с центральными углублениями, а часть...

Устройство для создания высоких давлений и температур

Номер патента: 487507

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Бибаев, Верещагин, Яковлев

МПК: B01J 3/00

Метки: высоких, давлений, создания, температур

1. Устройство для создания высоких давлений и температур, содержащее два соосно расположенных твердосплавных пуансона с углублениями на обращенных друг к другу поверхностях, образующими при сближении пуансонов рабочую полость для размещения в ней пластичного контейнера из теплоэлектроизоляционного материала, отличающееся тем, что, с целью увеличения рабочего объема реакционной зоны, оно снабжено жесткими поршнями, расположенными в имеющихся в пуансонах осевых каналах.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в осевых каналах пуансонов и зазорах между ними и поршнями размещен пластичный материал.

Устройство для создания высокого давления и температуры

Номер патента: 1630061

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Калинин, Малиновский, Ран, Шурин

МПК: B01J 3/06

Метки: высокого, давления, создания, температуры

Устройство для создания высокого давления и температуры, включающее разъемный в горизонтальной плоскости сферический сосуд с автономными эластичными камерами, затвор, многопуансонный блок с рабочим телом и нагревательным элементом, трубопроводы для подачи охлаждающей среды во внутреннюю полость многопуансонного блока, силовые электровводы и гибкие токовые шины, размещенные в автономных эластичных камерах, отличающееся тем, что, с целью обеспечения безопасных условий работы при упрощении устройства и снижения энергозатрат при нагреве, силовые электровводы установлены в нижнем полукорпусе один в другом, образуя между собой концентрически замкнутую полость, причем во внутреннем электровводе...

Блок-матрица для создания сверхвысокого давления

Номер патента: 389683

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Бибаев, Верещагин, Яковлев

МПК: B01J 3/06

Метки: блок-матрица, давления, сверхвысокого, создания

Блок-матрица для создания сверхвысокого давления, содержащая вставку с прессовой полостью на рабочей поверхности, поддерживающие кольца, запирающий вставку кольцевой клин, расположенный между вставкой и внутренним поддерживающим кольцом, токопроводящую прокладку, отличающаяся тем, что, с целью многократного использования материала вставки и упрощения технологии изготовления матрицы, вставка выполнена из спрессованного без связки порошка сверхтвердого материала, например кубического нитрида бора, алмаза, карбидов, и опирается тыльной поверхностью на выполненную из закаленной стали пробку, расположенную во внутреннем поддерживающем кольце.

Устройство для создания высоких давлений в сочетании с высокими температурами

Номер патента: 363618

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Архипов, Бакуль, Бутузов, Верещагин, Галактионов, Демяшкевич, Иванов, Лившиц, Попов, Прихна, Рябинин, Семерчан, Слесарев

МПК: B01J 3/00

Метки: высокими, высоких, давлений, создания, сочетании, температурами

1. Устройство для создания высоких давлений в сочетании с высокими температурами, состоящее из изолированных и упрочненных снаружи пуансонов, выполненных с вершинами в виде усеченного конуса и с токоподводами, а также механизма, передающего усилие на пуансоны, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения надежности его работы, в вершинах пуансонов сделаны углубления, образующие при сближении пуансонов рабочую камеру.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона создаваемых давлений, углубления с торцовой стороны усеченного конуса пуансонов выполнены в виде части сферы.

Устройство для создания высокого давления

Номер патента: 777933

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Коняев, Пивоваров, Поляков

МПК: B01J 3/06

Метки: высокого, давления, создания

1. Устройство для создания высокого давления, содержащее две соосно установленные матрицы с центральными углублениями на обращенных друг к другу торцах, имеющими сферические поверхности, вставки, имеющие форму усеченных конусов, соосно установленные в углублениях, образец, установленный между торцами вставок, кольцо с боковой поверхностью, образованной пересекающимися поверхностями, установленное концентрично с образцом, и прокладками из электроизоляционного материала, отделяющие поверхность кольца от поверхности углублений, отличающееся тем, что, с целью повышения давления и увеличения надежности работы устройства, радиус сферических поверхностей кольца составляет 1,05 - 1,30 радиуса...