Патенты с меткой «приборов»

Номер патента: 1634050

Опубликовано: 27.10.1999

Авторы: Волков, Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/223

Метки: диффузии, полупроводниковых, приборов, проведения, производстве, реактор

Реактор для проведения диффузии в производстве полупроводниковых приборов, включающий кварцевую трубу диаметром D с отверстием для ввода газов на одном конце и отверстием для загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин на другом, съемную кварцевую крышку с отверстием для вывода газов, цилиндрическая часть которой коаксиально входит в отверстие трубы для загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных полупроводниковых приборов и продления срока службы реактора, цилиндрическая часть съемной крышки установлена с постоянным зазором величиной g = 0,05D по отношению к стенке трубы, а со стороны отверстия для вывода газов в...

Номер патента: 762636

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко, Якушева

МПК: H01L 21/20

Метки: iiibv, основе, полупроводников, приборов, типа

Способ изготовления приборов на основе полупроводников типа AIIIBV путем жидкостной эпитаксии из двух насыщенных растворов-расплавов, одним из которых, составленным на основе бинарной системы с низкоактивным компонентом и добавкой амфотерной примеси, покрывают подложку, а другой, составленный на основе трехкомпонентной системы, приводят в контакт с первым через систему отверстии, перемещающихся относительно подложки, отличающийся тем, что, с целью получения многоэлементных приборов, повышения квантовой эффективности и расширения спектрального диапазона приборов, периодически изменяют температуру проведения процесса на 15 - 30o от номинального значения за...

Номер патента: 913753

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Богданов, Кутузов, Мезенцева, Нечепуренко, Шелопут

МПК: C30B 7/00, H01L 41/16

Метки: лития, основе, приборов, пьезоэлектрических, слоев, соединения

Способ получения слоев для пьезоэлектрических приборов на основе соединения лития, включающий нанесение слоя на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения слоев иодата лития толщиной 1 - 10 мкм, в качестве подложки используют монокристалл йодата лития, ростовую грань которого (100) покрывают слоем золота толщиной 500 - 1200 , и нанесение слоя ведут в насыщенном водном растворе йодата лития при 39 - 41oС и рН 1,9 - 2,1.

Номер патента: 1589863

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Герасименко, Грищенко, Такибаев

МПК: G21H 5/00

Метки: p-nпереходы, воздействия, космических, лучей, моделирования, полупроводниковых, приборов, тяжелых, ядер

Способ моделирования воздействия тяжелых ядер космических лучей на p-n-переходы полупроводниковых приборов, включающий бомбардировку ускоренными заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью получения возможности изучения воздействия единичных тяжелых ядер космических лучей в земных условиях и сокращения времени эксперимента, полупроводниковые приборы с p-n-переходами облучают осколками деления, возникающими при облучении нейтронами делящегося вещества, например урана-235, дозой 103 - 105 см-2 по осколкам деления.

Номер патента: 1205650

Опубликовано: 27.11.1999

Авторы: Груздев, Зимин, Карпов, Молодцов, Стопцов

МПК: G01J 1/04

Метки: подводных, приборов, световых, фотометрирования

Устройство для фотометрирования подводных световых приборов, содержащее каретки продольного и поперечного перемещений, на которых размещены несущие штанги с зажимами для их вертикального перемещения и вращения вокруг своей оси и площадками для установки подводных световых приборов и светоизмерительных датчиков, а также мерные линейки и лимбы для фиксации положения кареток, несущих штанг и площадок, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности измерений при их проведении непосредственно в рабочей среде, каждая несущая штанга снабжена приводом управления положением площадок для установки подводного светового прибора или светоизмерительного датчика, выполненным в виде...

Номер патента: 1308013

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Агафонова, Пушков, Сенчуков, Старков, Толкунов

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, конструкции, полупроводниковых, приборов, соединений, элементов

Способ контроля качества соединений элементов конструкции полупроводниковых приборов, включающий создание механического напряжения в соединения кристалла и основания корпуса прибора, измерение параметра, характеризующего качество соединения кристалла и основания корпуса, и сравнение его с эталонным, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, механическое напряжение создают сжатием или растяжением основания корпуса прибора, измеряют относительную деформацию корпуса, параметр, характеризующий качество соединения кристалла и основания корпуса, измеряют при величине относительной деформации основания корпуса прибора в пределах 10-1 - 10-3, при этом в...

Номер патента: 1706327

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Веретенников, Дроздецкая, Кан, Киселев, Мальцева, Палицын

МПК: H01J 1/14, H01J 1/30

Метки: газоразрядных, материал, приборов, электродов

Материал электродов для газоразрядных приборов, содержащий тугоплавкий металл, по крайней мере один из алюмосиликатов щелочных металлов, а также одно соединение щелочноземельного металла, выбранное из карбонатов, скандатов, алюминатов или алюмосиликатов, отличающийся тем, что, с целью повышения долговечности и стабильности электрических параметров сильноточных газоразрядных приборов, он дополнительно содержит никель при следующих соотношениях ингредиентов, мас.%:Алюмосиликат щелочного металла - 0,5 - 5,0Соединение щелочноземельного металла - 2,0 - 10,0Никель - 40,0 - 80,0Тугоплавкий металл - Остальное

Номер патента: 1819053

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Мамонтов, Чернов

МПК: H01L 21/263

Метки: n-n-ni-слоях, арсенида, галлия, интегральных, полупроводниковых, приборов, схем

Способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на n-n--ni-слоях арсенида галлия, включающий создание омических контактов и/или контактов с барьером Шоттки, формирование активных областей структуры, покрытие защитной маской активных областей, удаление незащищенных участков n-слоя травлением, ионное легирование на глубину n--слоя ускоренными заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров и повышения процента выхода годных полупроводниковых приборов и интегральных схем путем повышения термической стабильности межэлементной изоляции, в качестве активных заряженных частиц используют дейтроны, при этом...

Номер патента: 1478800

Опубликовано: 27.02.2000

Авторы: Гербин, Федоров

МПК: G01J 5/06, G01M 11/00

Метки: наблюдения, оптико-электронных, оптических, приборов, характеристики, частотно-контрастной

1. Устройство для контроля частотно-контрастной характеристики оптических и оптико-электронных приборов наблюдения, содержащее линейку одинаковых непрозрачных элементов, отличающееся тем, что, с целью повышения оперативности и достоверности контроля при работе в полевых условиях, каждый элемент устройства выполнен в виде призмы с равносторонним треугольником в основании, закрепленной на общей раме с возможностью вращения относительно вертикальной оси, при этом коэффициенты отражения соседних граней каждой призмы различны, а расстояние между осями вращения соседних призм равно длине стороны треугольника в основании.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно дополнительно снабжено...

Номер патента: 1664007

Опубликовано: 10.03.2000

Автор: Литун

МПК: G01J 5/02

Метки: приборов, температурно-частотной, тепловизионных, характеристики

Устройство для определения температурно-частотной характеристики тепловизионных приборов, включающее линейку параллельно расположенных призм с правильным треугольником в основании, причем каждая призма установлена с возможностью вращения с помощью внешнего привода вокруг своей центральной оси, а коэффициенты излучения трех боковых граней призмы различны, отличающееся тем, что, с целью повышения точности и оперативности измерений, линейка собрана из призм с равномерно меняющимися вдоль нее поперечными размерами, а расстояние между осями вращения соседних двух призм равно сумме полудлин сторон треугольников, лежащих в их основаниях.

Номер патента: 1572185

Опубликовано: 10.03.2000

Автор: Гербин

МПК: G01J 3/28

Метки: оптико-электронных, приборов, характеристики, частотно-контрастной

Устройство для контроля частотно-контрастной характеристики оптико-электронных приборов, содержащее линейку одинаковых отражающих элементов и два источника излучения, расположенных под углом к этим элементам так, что отраженный лучистый поток каждого из источника излучения оптически связан с своей одноименной поверхностью элемента, отличающееся тем, что, с целью повышения оперативности и достоверности испытаний, каждый элемент устройства представляет собой призму, имеющую в своем основании правильную "трехгранную звезду" и закрепленную на общей раме с возможностью вращения относительно вертикальной оси, причем вогнутые грани призмы выполнены с разными коэффициентами отражения и возможностью...

Номер патента: 1556167

Опубликовано: 27.03.2000

Автор: Филиди

МПК: E21B 49/06

Метки: механизмов, приборов, привода, скважинных

1. Устройство для привода механизмов скважинных приборов, содержащее корпус, размещенные в нем электропривод с цепью питания, бур, механизм прижима, гидронасос, связанный с гидроцилиндром подачи бура через клапан с системой управления, механизм возврата, отличающееся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности, оно снабжено дополнительным гидроцилиндром для механизма прижима, клапан с системой управления выполнен в виде нормально закрытого электромагнитного клапана с камерой сброса, обмотка которого включена последовательно в цепь питания постоянным током, камера сброса сообщена с полостью корпуса, клапан соединен также с подпоршневыми полостями гидроцилиндров, механизм возврата...

Номер патента: 438328

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Дубоделов, Малахова, Слепцов, Тесаков

МПК: G01D 1/12

Метки: дозиметрических, поверки, приборов

1. Устройство для поверки дозиметрических приборов, включающее гамма-излучатель, раму со шкалой отсчета расстояния, подвижную каретку с приборным столом, оптическую систему наблюдения и систему управления, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона воспроизводимых мощностей экспозиционных доз с одновременным уменьшением габаритов и веса устройства, сокращения времени на поверку одного прибора, гамма-излучатель выполнен в виде нескольких, например трех, расположенных один внутри другого цилиндров-контейнеров, из которых внутренний и промежуточный могут поворачиваться независимо друг от друга относительно общей оси, при этом внутренний контейнер имеет продольный вырез, в котором...

Номер патента: 1152182

Опубликовано: 20.04.2000

Автор: Клименко

МПК: B64G 1/00, G12B 17/06, H05K 7/20 ...

Метки: аппаратов, летательных, охлаждения, приборов

Устройство для охлаждения приборов летательных аппаратов, содержащее осесимметричные тепловые экраны, расположенные по их геометрической оси своим основанием криогенный радиатор с приемником лучистой энергии, изучающая поверхность которого обращена в открытое пространство, и теплоизоляционные узлы крепления, отличающееся тем, что, с целью повышения экономичности конструкции путем уменьшения расхода энергии на ориентирование устройства, оно снабжено термодатчиками, излучающая поверхность криогенного радиатора выполнена плоской, а его основание - в виде изогнутого стержня, свободный конец которого установлен в сосуде Дьюара с возможностью теплового контакта с приемником лучистой энергии,...

Номер патента: 429604

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Болотов, Васильев, Герасименко, Смирнов

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, приборов

Способ изготовления полупроводниковых приборов с использованием облучения полупроводника высокоэнергетическими легкими частицами, например электронами, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности уменьшения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводнике, облучение ведут при температуре выше температуры начала собственной проводимости, но ниже температуры эффективной диффузии примеси.

Номер патента: 1489389

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Горохов, Панов, Садиков

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов, силовых

1. Устройство для контроля параметров силовых полупроводниковых приборов, содержащее трансформатор, первый вывод вторичной обмотки которого соединен с первой клеммой для подключения испытуемого прибора, вторая клемма для подключения испытуемого прибора через последовательно соединенные шунт и ограничительный резистор подключена к второму выводу вторичной обмотки трансформатора, первый вывод вторичной обмотки трансформатора подключен к аноду формирующего тиристора, катод которого подключен к одному из выводов ограничительного резистора, к общей шине, и к одному из выводов первого резистора, второй вывод которого подключен к первому выводу второго резистора, второй вывод которого подключен к...

Номер патента: 1378713

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Беляева, Дученко, Майзанов, Митин, Потапчук, Фомичев

МПК: H01L 21/324

Метки: n-n+-структур, кремниевых, мощных, полупроводниковых, приборов, создания

Способ создания кремниевых n-n+-структур мощных полупроводниковых приборов, включающий операции одностороннего наращивания сильнолегированного n+-слоя на подложку n-типа, механического снятия части n-слоя и последующей термообработки при температуре 1220 - 1250oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса изготовления n-n+-структур с заданными параметрами слоев и улучшения параметров приборов на их основе за счет достижения оптимальных профилей распределения примеси, термообработку ведут в течение 20 - 80 ч с последующим травлением n-слоя n-n+-структур в полирующем травителе на глубину 20 - 100 мкм.

Номер патента: 1618211

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Асина, Бромберг, Дороднев, Зумберов, Кузьмин, Ныгес, Сурма, Шмелев

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, приборов, силовых

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий облучение полупроводниковых структур через защитные маски дефектообразующим излучением до максимальной концентрации дефектов в базовой области 1011-1013 см-3, отличающийся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик приборов, облучение проводят электронами -распада от изотопного источника Sr90.

Номер патента: 1277821

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Ворожейкин, Дудкин, Набоков

МПК: H01J 9/42

Метки: долговечности, индивидуальной, приборов, прогнозирования, электровакуумных

1. Способ прогнозирования индивидуальной долговечности электровакуумных приборов путем испытания прибора в рабочем режиме в течение времени, меньшем гарантируемой долговечности прибора, с фиксацией характера изменения прогнозирующего параметра за это время и определения ожидаемой долговечности путем пересечения экстраполяционной зависимости прогнозирующего параметра от времени с границей зоны допустимых значений прогнозирующего параметра, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и точности прогноза, в качестве прогнозирующего параметра выбирают разность между рабочей температурой катода и температурой, соответствующей переходу тока основного токоприемного электрода из режима...

Номер патента: 1110332

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Киселев, Королев, Логинов

МПК: H01J 9/04

Метки: катода, оксидного, приборов, электронных

Способ изготовления оксидного катода для электронных приборов, включающий формирование на поверхности никелевого керна губчатого активного слоя, содержащего никелевый порошок, активатор на основе гидрида циркония и суспензию карбонатов щелочноземельных металлов с последующим прессованием активного слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности тока, стабильно отбираемого с катода, гидрид циркония вводят в суспензию карбонатов активного слоя в количестве от 1,5 до 6% от веса карбоната, а прессование проводят нагрузкой от 2 до 6 т/см2.

Номер патента: 1424631

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Басовский, Зданович, Кац, Орехов, Сидоров

МПК: H01L 21/208

Метки: p-p+-структур, кремниевых, н-п.и, непланарных, приборов

Способ изготовления n-p+- и p-p+ - структур кремниевых непланарных приборов, включающий заполнение промежутка между кремниевой монокристаллической пластиной-подложкой и пластиной-источником расплавом алюминия и последующее проведение зонной перекристаллизации в поле с градиентом температур, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет уменьшения удельного сопротивления p+-слоя, в качестве пластины-источника используют пластину поликристаллического кремния, легированную бромом до уровня 1020 - 3 1020

Номер патента: 1082252

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Золотухин, Марончук

МПК: H01L 21/60

Метки: многоэлементных, полупроводниковых, приборов

Способ изготовления многоэлементных полупроводниковых приборов, включающий разделение р-n-структур большой площади пазами с двух сторон на элементы и приварку металлических выводов путем приложения давления и температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности и улучшения электрофизических параметров многоэлементных приборов, перед разделением структуры на элементы из металлической проволоки, образующей эвтектический сплав с полупроводниковым материалом, изготавливают группы контактных шин, которые прикладывают к полупроводниковым структурам и устанавливают в пакет последовательно с прижимным элементом, помещаемым в раму, выполненную из материала, отличного от...

Номер патента: 1316501

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защиты, исходного, низкотемпературных, поверхности, покрытий, полупроводниковых, приборов, стекловидных

Способ получения исходного материала для изготовления низкотемпературных стекловидных покрытий для защиты поверхности полупроводниковых приборов, включающий приготовление водного раствора азотнокислых солей стеклообразующих элементов, введение в раствор двуокиси кремния, приливание водного раствора аммиака до получения осадка гидроокисей, просушивание и растирание осадка, отличающийся тем, что, с целью улучшения защитно-пассивационных характеристик покрытий путем повышения гомогенности осадка, двуокись кремния вводят в водный раствор азотнокислых солей в виде водного раствора кремниевой кислоты.

Номер патента: 1690535

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Коваль, Подоскин

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов

1. Охладитель для полупроводниковых приборов, содержащий полое основание с выполненными из теплопроводного материала опорными противоположными стенками для размещения полупроводниковых приборов и боковыми стенками, соединенными между собой с образованием герметичной полости, которая заполнена рабочим веществом с температурой плавления не более максимально допустимой рабочей температуры полупроводникового прибора, и по крайней мере одну перегородку из теплопроводного материала, установленную в полом основании перпендикулярно его опорным противоположным стенкам и соединенную с ними с обеспечением теплового контакта с ними и с образованием полых секций, ориентированных вдоль геометрической оси...

Номер патента: 1410776

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защиты, исходного, покрытий, полупроводниковых, приборов, свинцово-силикатных, стекловидных

Способ получения исходного материала для изготовления свинцово-силикатных стекловидных покрытий для защиты полупроводниковых приборов, включающий приготовление водного раствора солей стеклообразующих компонент, основным из которых является свинец, и кремниевой кислоты, осаждение водным раствором аммиака гидрооксидов, просушивание и растирание осадка, отличающийся тем, что, с целью улучшения защитно-пассивационных характеристик покрытий путем повышения гомогенности процесса стеклообразования, свинец вводят в раствор солей стеклообразующих компонент в виде его ацетата.

Номер патента: 1187649

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Астафьев, Боронин, Изидинов, Курцин, Нанушьян, Панкратов, Полеес, Потапова, Симановская

МПК: H01L 21/56

Метки: защиты, поверхности, полупроводниковых, приборов, силовых

Способ защиты поверхности силовых полупроводниковых приборов, включающий нанесение на них защитного компаунда, содержащего кремнийорганический винилсодержащий каучук, олигометилгидридсилоксан, наполнитель и в качестве катализатора 1%-ный раствор платинохлористоводородной кислоты, и проведение термообработки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и высоковольтных приборов при одновременном сокращении времени термообработки, в компаунд вводят в качестве ингибитора вещество класса пиразолов, причем соотношение катализатора и ингибитора находится в пределах от 5 : 1 до 10 : 1, а общее количество катализатора и ингибитора составляет от 0,6 до 1,2 мас. % компаунда, и...

Номер патента: 1616429

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Дерменжи, Кондаков, Почуева, Шмелев

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов, силовых

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий формирование в полупроводниковой подложке базовой области, создание в базовой области дискретных областей эмиттерных элементов, формирование первого слоя металлизации на поверхности базовой области и областей эмиттерных элементов, выявление неработоспособных эмиттерных элементов, нанесение изолирующего покрытия, закрепление на поверхности подложки с помощью магнитной кассеты маски с окнами над эмиттерными элементами и создание второго слоя металлизации путем напыления металла в окна маски, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и снижение трудоемкости, изолирующее покрытие после выявления неработоспособных...

Номер патента: 1335055

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Блохина, Изидинов, Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов

1. Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий создание кремниевой структуры по крайней мере с одним p-n-переходом и контактное соединение кремниевой структуры с электродом припоем на основе алюминия, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик приборов, перед контактным соединением на контактной поверхности кремниевой структуры формируют поры, суммарная площадь которых составляет 15-50% площади контактной поверхности.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что поры формируют анодным электрохимическим травлением кремниевой структуры.

Номер патента: 1523010

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бучнев, Дмитриев, Зайцев, Рюмшин, Сизова, Смыслов

МПК: H01L 21/58

Метки: кремниевых, мощных, полупроводниковых, приборов, термокомпенсатор

Термокомпенсатор мощных кремниевых полупроводниковых приборов, содержащий графитовое основание с приповерхностным слоем из карбида кремния, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей термокомпенсатора за счет увеличения его смачиваемости алюминием и сплавами на основе алюминия, приповерхностный слой дополнительно пропитан кремнием с концентрацией по привесу 1 10-3 - 2,5 10-2 г/см2 поверхности.

Номер патента: 1480664

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Колоскова, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: многослойных, полупроводниковых, приборов, структур

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов, включающий очистку пластин кремния, осаждение на одну поверхность пластин пленкообразующего раствора с легирующими примесями, осаждение на другую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, содержащего этиловый спирт, азотнокислый алюминий, борную кислоту и тетраэтоксисилан, и проведение одновременной диффузии путем термообработки, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для изготовления многослойных структур тиристоров и транзисторов одной термообработкой, проводят осаждение на вторую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, дополнительно содержащего ортомышьяковую...