Патенты с меткой «приборов»

Номер патента: 730202

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Дурнин, Суворов

МПК: H01L 21/58

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

СПОСОБ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ преимущественно с алюминиевой разводкой, включающий соединение кристаллов с металлическим кристаллодержателем пайкой с помощью припойной прокладки из эвтектического германиевого соединения, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности приборов и экономичности способа, используют прокладку из эвтектического соединения германия с алюминием, температура образования которого 350 - 570oС.

Номер патента: 1623502

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Климов, Масловский, Минаев, Постников

МПК: H01L 21/66

Метки: испытания, мдп-структурой, надежность, полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИСПЫТАНИЯ НА НАДЕЖНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С МДП-СТРУКТУРОЙ, включающий измерение в одинаковых условиях электрических параметров структур до и после термостатирования и выявление потенциально ненадежных приборов при изменении этих параметров, превышающих заданное значение этого изменения, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности испытаний, до термостатирования или одновременно с ним на структуру воздействуют магнитным полем, увеличивая его от 0 до 2,0 105 А/м, а затем выключая его.

Номер патента: 1380560

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Николаева, Сафронова

МПК: H01P 1/38

Метки: магнитных, настройки, невзаимных, приборов, систем, трехплечих, ферритовых

СПОСОБ НАСТРОЙКИ МАГНИТНЫХ СИСТЕМ ФЕРРИТОВЫХ НЕВЗАИМНЫХ ТРЕХПЛЕЧИХ ПРИБОРОВ, заключающийся в помещении прибора в зазор магнитной системы, подключении к двум его плечам согласованных нагрузок и подаче сигнала в его третье плечо и настройке ферритового невзаимного трехплечего прибора до получения требуемых характеристик, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени настройки ферритовых невзаимных трехплечих приборов, имеющих идентичные конструкции и идентичные ферритовые диски, и обеспечения совпадения их частотных характеристик входного сопротивления, снимают частотную характеристику входного сопротивления настроенного ферритового невзаимного трехплечего прибора в режиме холостого хода без согласующих элементов, затем каждый прибор...

Номер патента: 1371462

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Мелихов, Федотов, Холявин

МПК: H01L 21/48

Метки: герметизации, корпусах, плоских, полупроводниковых, приборов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В ПЛОСКИХ КОРПУСАХ, содержащее систему откачки, вакуумируемую камеру с эластичной прокладкой и вакуумным краном, соединяющим камеру с системой откачки, блок нагревателей, систему управления нагревателями, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции устройства и снижения его металлоемкости, вакуумируемая камера образована двумя металлическими плитами и герметизирующей упругой прокладкой, образующей боковую стенку камеры, вакуумный кран расположен на одной из плит, а эластичная прокладка расположена на другой плите.

Номер патента: 1766207

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Карасев, Пугачев, Скрылев, Фрост, Шилин

МПК: H01L 21/265

Метки: зарядовой, приборов, связью

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, включающий создание стоп-каналов, скрытого канала и области виртуальной фазы ионным легированием, нанесение подзатворного диэлектрика, проводящего слоя, формирование тактовых электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности при одновременном упрощении процесса изготовления, после нанесения проводящего слоя в нем одновременно с формированием тактовых электродов вскрывают окна над областью виртуальной фазы, затен наносят фоторезист, проводят операцию фотолитографии, вскрывая в нем окна над областью виртуальной фазы с максимальным уровнем легирования, а последующее ионное легирование в окна проводят с энергией создания скрытого канала с соотношением доз, обратно...

Номер патента: 1075874

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Вершигора, Лазарева, Михайлов, Соколов

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

РАДИАТОР ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, выполненный в виде дискообразного основания с симметрично расположенными в его центре на торцовых частях плоскими контактными площадками, образующие которого симметрично наклонены от его геометрического центра к периферии навстречу друг другу, отличающийся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей и повышения эффективности охлаждения, образующие выполнены профилированными в форме затухающих волн, причем кромки контактных площадок сопряжены с кромками одних из впадин образующих.

Номер патента: 1556432

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Бачурин, Садковская, Сопов, Федорова

МПК: H01L 21/18

Метки: высоковольтных, кремниевых, приборов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование в кремниевой подложке p-n-перехода с элементами краевой защиты от пробоя, формирование защитной пленки окисла кремния, алюминиевых электродов с контактными площадками, удаление защитной пленки окисла кремния с поверхности элементов краевой защиты, нанесение пассивирующей пленки поликремния, содержащей кислород, термообработку и присоединение к контактным площадкам внешних выводов, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик приборов и повышения выхода годных за счет исключения взаимодействия электродов с пассивирующей пленкой поликремния, увеличения прочности соединения внешних выводов с контактными площадками и увеличения плотности...

Номер патента: 1783674

Опубликовано: 09.02.1995

Автор: Юкшинская

МПК: B21B 37/16

Метки: выводов, качества, микропроволоки, полупроводниковых, приборов

СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА МИКРОПРОВОЛОКИ ДЛЯ ВЫВОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, преимущественно, изделий микроэлектроники, включающий определение механической прочности по условию разрыва неотожженной и отожженной проволоки и определение годности по заданному усилию разрыва отожженной проволоки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контроля, проводят дополнительную оценку микропроволоки по неизменности разброса содержания легирующего компонента по длине до и после отжига.Способ может быть использован для изготовления изделий микроэлектроники. От каждой серии катушек исходной микропроволоки отбирают образцы. На отобранной от первой катушки микропроволоке определяют...

Номер патента: 1823715

Опубликовано: 20.02.1995

Авторы: Джалилов, Паутов, Самсоненко, Сорокин

МПК: H01L 21/335

Метки: полупроводниковых, приборов

...сушки фоторезиста ФПпроводят экспонирование пластины по шаблону с рисунком затворного слоя (при этом описывают затворный рисунок на шаблоне в В предлагаемом способе перетрав Я 102 отсутствует и вскрывшиеся участки полупроводника в канале и Ац-Ое омические контакты на тестовых структурах травятся незначительно (скорость плазмохимического травления полупроводника составляето-40 А /мин). Растрав Я 02 под фоторезистивную маску составляет 0,06 мкм, Стенки травления близки к вертикальным и рисунок в фоторезисте переносится в ЯОЙ без изменения размеров. Фотореэист удаляют последовательно в диметилформами 40 45 50 затворный рисунок на пластине, расширенный посредством растрава ЯЮг по ф/р маску), После экспонирования устанавливают шаблон с...

Номер патента: 1083842

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Болдин, Голисов

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, легированных, микросхем, областей, полупроводниковых, приборов, создания

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ ОБЛАСТЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ путем окисления кремниевых пластин, вытравливания окон в маскирующем окисле, создания окисла в вытравленных окнах и ионной имплантации бора с последующей его разгонкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик полупроводниковых приборов и интегральных микросхем путем исключения дефектов в областях, легированных бором, выращивают окисную пленку в вытравленных окнах толщиной, определяемой соотношением d = kE,где d - толщина окисла, нм;E - энергия ионного легирования, кэВ;K - коэффициент, равный (3,6 - 4,0) нм/кэВ,после чего проводят ионную имплантацию бора в окисел энергией из диапазона 20-100 кэВ,...

Номер патента: 1816036

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Абдуллин, Сафиуллин, Станчик

МПК: E21B 47/00, E21B 49/00

Метки: приборов, прижимных, скважинных, устройств, электроприводами

...одновременную работу электроприводов на первом этапеуйравления, когда все прижимные рычагидвигаются в режиме холостого хода,Способ управления прижимными устройствами заключается в следующем,После опускания скважины приборовзонда в скважину на необходимую глубинунажимают кнопку модуля 4,1 переключателя 4 для параллельного соединения электродвигателей прижимных устройств скважинных приборов, Одна из групп переключения 4 подсоединяет измерительный резистор 2к схеме устройства для регулирования по 5 стоянного напряжения 1 с целью нормального его функционирования при тройнойнагрузке.После нажатия кнопки модуля 4.1 подают питание от источника постоянноготока,10 При этом начинают работать одновременно все электроприводы 6, 7, 8 прижимных...

Номер патента: 1774778

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Кузнецова, Ласточкина, Лисицына, Суворова, Чушикина

МПК: H01J 9/38

Метки: вакуумной, приборов, узлов, электровакуумных

СПОСОБ ВАКУУМНОЙ ОБРАБОТКИ ДЕТАЛЕЙ ИЛИ УЗЛОВ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ, включающий создание в откачиваемом объеме, с которым контактирует обрабатываемая поверхность, атмосферы рабочего газа давлением 1,3 - 26,6 Па, возбуждение высокочастотного разряда инициирующим сигналом частотой 12,2-30 МГц и напряженность высокочастотного поля, обеспечивающий энергию ионов, равную 13-17 эВ, и поддержание высокочастотного разряда до момента завершения обработки, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества обработки, предварительно обрабатывают высокочастотным разрядом очищенную поверхность контрольного изделия, определяют контрольный график изменения давления в откачиваемом объеме от времени при травлении поверхности изделия, в процессе вакуумной...

Номер патента: 1819066

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Арутюнян, Бородулина, Новиков, Тюлягин

МПК: H01L 21/58

Метки: кристалла, напайки, никелированную, поверхность, полупроводниковых, приборов, теплоотвода

...10 с при скорости разогрева 500 С/мин и составляет 100 С, В результате максимальная температура поверхности теплоотвода составляет не более 500 С, что не приводит к нарушению поверхности алюминиевых контактов кристалла,При большой скорости разогрева припоя до высокой температуры 500 С гораздо выше температуры плавления припоя 230 ОС), происходит быстрое расплавление припоя и формирование шарика за счет сил Формула изобретенияСПОСОБ НАПАЙКИ КРИСТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА НИКЕЛИРОВАННУЮ ПОВЕРХНОСТЬ ТЕПЛООТВОДА, включающий помещение в герметичную камеру теплоотвода, . трафарета, кристалла и навески припоя, откачку камеры, нагрев сборки, прекращение откачки и введение в камеру нейтрального газа, содержащего азот 5 10 15 20 25 30...

Номер патента: 1681688

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Марголис, Шур

МПК: H01J 9/42

Метки: неоднородности, приборов, термокатодов, электровакуумных, эмиссионной

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭМИССИОННОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ТЕРМОКАТОДОВ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ путем снятия эмиссионной характеристики и определения коэффициента вариации плотности тока по эмиттирующей поверхности катода по соотношениюгде IА и IВ- полный и измеряемый токи в области перехода эмиссионной характеристики из режима пространственного заряда к режиму насыщения,отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа за счет расширения номенклатуры исследуемых катодов, в качестве эмиссионной характеристики снимают накальную характеристику, а значения IА и IВ определяют при характеристической...

Номер патента: 1807817

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Ильин, Сурков

МПК: H01L 21/68

Метки: крепления, плоских, полупроводниковых, преимущественно, приборов, электрорадиоэлементов

...регулировочные винты 19, предназначенные для регулировки угла раскрытия прижимов 9.Устройство работает следующим образом,Для. закрепления изделия 6 устройствонаходится в первой рабочей позиции, изображенной на фиг.1. В этой позиции прижимы 9 удерживаются в вертикальномположении за счет прижатия к регулировочным винтам 19 пружиной 13, а пластина 3находится в крайнем верхнем положении иудерживается зацепами 10, Изделия 6 располагают на пластине 3 так, чтобы конусныерами 2 и может быть легко снято.При высокой точности изготовления по лупроводниковых приборов, интегральныхмикросхем, электроимпульсных трансформаторов всякое нарушение плоскостности изделия в процессе работы с ним приводит к деформации и браку.45 Заявляемое устройство...

Номер патента: 1829758

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Бреслер, Денисюк

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, изготовлении, источника, полупроводниковых, приборов, твердого, фосфора

...кассеты устанавливают 100 рабочих кремниевых пластин диаметром 76 мм (в каждую по 50 шт. пластин) с формируемым силовым модулем, представляющим собой тройной транзистор Дарлингтона. В этих кремниевых пластинах имеется эпитаксиальный слой птипа и созданы базовые области р-типа биполярных транзисторов с параметрами базы как в примере 1 (после диффузии галлия), в которых вскрыты эмиттерные области для диффузии фосфора. В испарители на кварцевых кассетах насыпают порошок пирофосфата кремния с дисперсностью 0,5- 100 мкм,Далее процесс производят как в примере 1, с выдержкой на рабочей температуре55 1150 С в течение 3 ч, а затем после выгрузки кремниевых пластин дальнейшие технологические операции для создания силовых модулей; вскрытию...

Номер патента: 1589886

Опубликовано: 10.05.1995

Автор: Фискис

МПК: H01J 9/38

Метки: вакуумной, высоковольтных, изоляторов, поверхности, приборов, электровакуумных

СПОСОБ ОЧИСТКИ ВАКУУМНОЙ ПОВЕРХНОСТИ ИЗОЛЯТОРОВ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ, включающий подачу на электроды постоянного напряжения и повышение его ступенями с выдержкой в течение 3 5 мин, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки диэлектрического корпуса прибора, на диэлектрический корпус устанавливают внешний кольцевой электрод, который подключают к положительному выводу источника постоянного напряжения, а отрицательный вывод подключают к выводу одного из электродов электровакуумного прибора, на который дополнительно подают высокочастотное напряжение амплитудой 10 20 кВ и частотой 0,5 2,5 МГц, а ступенчатый подъем постоянного напряжения осуществляют до величины, равной 0,6 0,7 рабочего напряжения.

Номер патента: 1385906

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Бобров, Бурмистров, Захарова, Молчанов, Остроумов

МПК: H01J 9/42

Метки: испытаний, климатических, приборов, электровакуумных

УСТРОЙСТВО КЛИМАТИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЙ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ, содержащее теплоизоляционный кожух, внутри которого размещены испытательная камера, теплообменник, вентилятор, всасывающий и нагнетающий каналы, соединенные с испытательной камерой, отличающееся тем, что, с целью повышения равномерности распределения теплового потока, испытательная камера выполнена цилиндрической, а нагнетательный канал выполнен спиралеобразным с переменным сечением, ограниченным внутренней поверхностью кожуха и цилиндрической поверхностью камеры, которая выполнена с прорезями, расположенными вдоль ее образующей.

Номер патента: 1579326

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Максимов, Панкратов

МПК: H01J 9/18

Метки: микроканальной, пластиной, приборов, фотоэлектронных

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ С МИКРОКАНАЛЬНОЙ ПЛАСТИНОЙ и анодным узлом, содержащее камеру формирования фотокатода, соединенную затворами с противоположно расположенными камерами для загрузки катодного узла и герметизации прибора, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и надежности, в него введена по крайней мере одна дополнительная камера герметизации прибора, при этом число N дополнительных камер герметизации выбирается из соотношениягде Та.у время обработки оболочек с микроканальной пластиной и анодным узлом, с;Тк.у время формирования...

Номер патента: 1061637

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Минтусова, Фисенко

МПК: H01J 9/04

Метки: активирования, катодов, оксидных, приборов, электронных

СПОСОБ АКТИВИРОВАНИЯ ОКСИДНЫХ КАТОДОВ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ, включающий поэтапное приложение напряжения накала на катод и подачу напряжения на управляющий электрод с контролем эмиссионных параметров катода на каждом этапе и корректировкой токоотбора с поддержанием тока в области перехода от режима пространственного заряда к режиму насыщения, отличающийся тем, что, с целью улучшения эмиссионных характеристик катодов в катодно-модуляторных узлах электронно-лучевых приборов, на управляющий электрод подают переменное синусоидальное напряжение с амплитудой, равной напряжению отсечки, и частотой , выбираемой из диапазона

Номер патента: 1144544

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Гродский, Егоров, Тираспольский

МПК: H01J 5/04

Метки: металлостеклянных, оболочек, приборов, электровакуумных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОСТЕКЛЯННЫХ ОБОЛОЧЕК ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ, включающий в себя вальцовку ленты из ковара вакуумной плавки в цилиндр, сварку встык плавлением кромок ленты по образующей цилиндра, формование на торце цилиндра бурта, отбортовку и соединение торца цилиндра со стеклянной колбой вакуумно-плотным спаем, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, перед сваркой между кромками ленты устанавливают вставку из ковара открытой плавки толщиной 0,5 и шириной 2,5 3 от толщины свариваемой ленты, а сварку проводят сфокусированным световым лучом с плотностью энергии 2 2,5 кВт/см2 при скорости сварки 6 9 м/ч.

Номер патента: 1188989

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Андреева, Карелин, Розинова, Тираспольский

МПК: B22F 3/02, C22F 1/18, H01J 9/08 ...

Метки: вольфрамовой, подогревателей, приборов, проволоки, электровакуумных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВОЛЬФРАМОВОЙ ПРОВОЛОКИ ДЛЯ ПОДОГРЕВАТЕЛЕЙ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ, включающий получение штабиков из вольфрама с алюмокремнещелочной присадкой и их обработку давлением до получения проволоки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годной проволоки, перед обработкой штабиков давлением измеряют их электрическое сопротивление при температуре жидкого азота (R 77,4 K), затем при комнатной температуре (R 293 K) и определяют относительное электрическое сопротивление Z штабиков из соотношения затем определяют удельное электрическое сопротивление вольфрамовой проволоки из...

Номер патента: 1718678

Опубликовано: 20.07.1995

Автор: Джагинов

МПК: H01J 1/16, H01J 9/04

Метки: катодный, приборов, прямонакальный, узел, электровакуумных

1. Прямонакальный катодный узел для электровакуумных приборов, содержащий ленточный накальный элемент из рениевого сплава с эмиссионно-активным покрытием, держатель из электроизоляционного материала и токоведущие опоры, отличающийся тем, что, с целью повышения долговечности, экономичности, сокращения времени готовности за счет упрощения конструкции, накальный элемент представляет собой слоистую структуру в виде сложенной в гармонику ленты, ленточный накальный элемент, покрытый с обеих сторон эмиссионно-активным слоем и ориентированной ребром перпендикулярно рабочей поверхности катода, а концы ленты расположены на дне продольного щелевого паза в цилиндрическом держателе из малотеплопроводящего тугоплавкого электроизоляционного материала,...

Номер патента: 1079053

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Дюжаева, Зеленцова, Тираспольский

МПК: C22C 1/04, C22F 1/18, G01N 33/20 ...

Метки: вольфрама, качества, металлокерамического, подогревателей, приборов, проволоки, электровакуумных

СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПРОВОЛОКИ ИЗ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКОГО ВОЛЬФРАМА ДЛЯ ПОДОГРЕВАТЕЛЕЙ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ, включающий получение штабиков для изготовления проволоки, содержащих пузырьки с алюмокремнещелочной присадкой, микроскопическое исследование и отбраковку, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, микроскопическое исследование проводят на штабиках путем измерения среднего диаметра пузырьков, содержащих присадку, а отбраковку проводят путем сравнения этой величины с заданной величиной среднего диаметра, исходя из условий выполнения соотношениягде dизм измеряемый средний диаметр пузырьков,

Номер патента: 1567014

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Марголис, Шур

МПК: H01J 9/04, H01J 9/42

Метки: неоднородности, приборов, термокатодов, электровакуумных, эмиссионной

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ЭМИССИОННОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ТЕРМОКАТОДОВ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ, включающий измерение токов и напряжений в режимах пространственного заряда переходном и насыщения, определение показателя эмиссионной неоднородности и составление сужения об эмиссионной неоднородности, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля и уменьшения трудоемкости способа, сначала измеряют одно значение тока в режиме пространственного заряда и два значения тока в режиме насыщения и соответствующие этим токам анодные напряжения, затем определяют величину тока Iа и величину напряжения, соответствующие точке перехода из режима пространственного заряда в режим насыщения, после чего измеряют при этом напряжении значение тока...

Номер патента: 1614476

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Залавкова, Лыс, Малышева

МПК: C09J 129/14

Метки: крепления, приборов, состав, цоколей, электровакуумных

СОСТАВ ДЛЯ КРЕПЛЕНИЯ ЦОКОЛЕЙ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ, включающий связующее, бакелитовый лак, уротропин, этиловый спирт и наполнитель, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности крепления после воздействия климатических факторов циклической смены температур и повышенной влажности, он содержит в качестве связующего поливинилбутираль, в качестве наполнителя - кварцевый песок и алунд и дополнительно содержит аминопропилтриэтоксисилан и этилцеллозольв при следующем соотношении компонентов, мас.Поливинилбутираль 4,0 8,4Бакелитовый лак 1 5Уротропин 0,073 0,370Этиловый спирт 2 7Аминопропилтриэтоксисилан 0,02 0,25Этилцеллозольв 8 16Кварцевый песок 45 58Алунд 18 26

Номер патента: 814057

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Васильев, Золототрубов, Ключанцев, Литвинов

МПК: G01R 31/26

Метки: обратных, полупроводниковых, приборов, токов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ОБРАТНЫХ ТОКОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ по авт. св. N 673939, отличающееся тем, что, с целью уменьшения времени измерения и повышения достоверности источника контроля, в него введены анализатор относительного приращения измеряемой величины, генератор временных меток, счетчик и схема И НЕ, при этом выход генератора временных меток подключен к первым входам измерителя напряжения, анализатора и счетчика, вход генератора и вторые входы счетчика и анализатора подключены к выходу устройства синхронизации, выход измерителя подключен к третьему входу анализатора, выход счетчика и первый выход анализатора раздельно подключены к входам схемы И НЕ, а объединенные второй выход анализатора и выход схемы И - НЕ подключены к...

Номер патента: 1632316

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Николаева, Саврицкая, Сафронова

МПК: H01P 1/38

Метки: магнитных, настройки, невзаимных, приборов, систем, трехплечих, ферритовых

СПОСОБ НАСТРОЙКИ МАГНИТНЫХ СИСТЕМ ФЕРРИТОВЫХ НЕВЗАИМНЫХ ТРЕХПЛЕЧИХ ПРИБОРОВ по авт.св. N 1380560, отличающийся тем, что, с целью повышения качества выявления годных приборов, в режиме холостого хода дополнительно определяют минимально допустимый уровень активной составляющей входного сопротивления на частоте низкочастотного параллельного резонанса настроенного прибора, для каждого настраиваемого прибора дополнительно контролируют значение активной составляющей входного сопротивления на частоте низкочастотного параллельного резонанса и бракуют приборы, для которых это значение активной составляющей ниже минимально допустимого уровня.

Номер патента: 1701005

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Алешко, Новоселов, Федюнина, Чугунов

МПК: G01J 5/06

Метки: оптико-электронных, приборов, температурно-частотных, характеристик

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРНО-ЧАСТОТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ, содержащее миру, полосы которой выполнены в виде двухгранного симметричного профиля, и два излучателя, установленных под углом к мире и оптически связанных с ее отражающими поверхностями, отличающееся тем, что, с целью повышения качества метрологического обеспечения, в него введен коллиматор, а мира выполнена в виде непрерывной периодической структуры из диэлектрического материала с несколькими группами профилей различной пространственной частоты, при этом мира размещена в фокусе коллиматора в плоскости, перпендикулярной его оптической оси, высота профиля в каждой группе не превышает глубины резкости коллиматора, а угол Q при вершине профиля...

Номер патента: 282537

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Зимин, Зусмановский, Симонов

МПК: H01J 23/18

Метки: приборов, резонатор, свч

РЕЗОНАТОР ДЛЯ ПРИБОРОВ СВЧ с двумя или более зазорами взаимодействия, разделенными трубами дрейфа, соединенными с корпусом резонатора с помощью изолирующих трубок или стержней, отличающийся тем, что, с целью увеличения КПД, трубы дрейфа соединены с корпусом резонатора с помощью металлических спиралей, расположенных на изолирующих трубках.