Патенты с меткой «p-nпереходы»
Способ моделирования воздействия тяжелых ядер космических лучей на p-nпереходы полупроводниковых приборов
Номер патента: 1589863
Опубликовано: 20.11.1999
Авторы: Герасименко, Грищенко, Такибаев
МПК: G21H 5/00
Метки: p-nпереходы, воздействия, космических, лучей, моделирования, полупроводниковых, приборов, тяжелых, ядер
Способ моделирования воздействия тяжелых ядер космических лучей на p-n-переходы полупроводниковых приборов, включающий бомбардировку ускоренными заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью получения возможности изучения воздействия единичных тяжелых ядер космических лучей в земных условиях и сокращения времени эксперимента, полупроводниковые приборы с p-n-переходами облучают осколками деления, возникающими при облучении нейтронами делящегося вещества, например урана-235, дозой 103 - 105 см-2 по осколкам деления.