Патенты с меткой «приборов»

Номер патента: 1396862

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Остроухов

МПК: H01L 21/316

Метки: полупроводниковых, приборов, структуры

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий нанесение на поверхность структуры полупроводникового прибора, содержащего алюминиевую металлизацию двухслойного диэлектрического покрытия, первым из которых является фосфорсиликатное стекло, и вскрытие в покрытии контактных окон, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы приборов и увеличения выхода годных приборов путем улучшения качества диэлектрического покрытия, на слой фосфорсиликатного стекла методом низкотемпературного разложения моносилана в высокочастотном разряде осаждают пленку аморфного кремния толщиной 500 1000 нм, причем осаждение аморфного кремния до толщины пленки 50 нм проводят со скоростью 5 15 нм/мин, а затем структуру подвергают отжигу в...

Номер патента: 1572342

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Гладков, Махаев

МПК: H01L 21/66

Метки: испытаний, климатических, полупроводниковых, приборов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ КЛИМАТИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащее проходную камеру с размещенными в ней нагревателем и накопителем, отличающееся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей и повышения эффективности теплообмена, оно снабжено диаметральным вентилятором, причем нагреватель и рабочее колесо диаметрального вентилятора расположены в проходной камере параллельно оси накопителя, а длина нагревателя и длина рабочего колеса диаметрального вентилятора равны длине накопителя.

Номер патента: 1132732

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Анисимов, Годик, Матвеев

МПК: H01L 21/314

Метки: защиты, полупроводниковых, приборов

1. СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащий нанесение слоев фосфорно-силикатного стекла и поликристаллического кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и эффективности защиты от ионов щелочных металлов, после нанесения поликристаллического кремния структуру подвергают термообработке в окислительной среде, содержащей пары фосфора, затем наносят второй слой поликристаллического кремния, который уплотняют термообработкой в окислительной среде.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что термообработку слоем поликристаллического кремния ведут при температуре 1273 1373 К.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что содержание паров фосфора в окислительной среде составляет 0,1 0,2

Номер патента: 1780469

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Крячков, Куваев, Носухин, Царева

МПК: H01L 23/18

Метки: герметизации, интегральных, пластмасса, полупроводниковых, приборов, схем, термореактивная

ТЕРМОРЕАКТИВНАЯ ПЛАСТМАССА ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающая эпоксидную смолу, отвердитель, смазку и кварцевый песок в качестве наполнителя, отличающаяся тем, что, с целью повышения теплопроводности и электросопротивления, наполнитель дополнительно содержит порошок синтетического алмаза при следующем соотношении компонентов, об. ч.Кварцевый песок 5Алмазный порошок 1 106при этом кварцевый песок и алмазный порошок равномерно распределены по объему пластмассы, а объем наполнителя в пластмассе составляет 20 80% ее объема.

Номер патента: 1216884

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Вдовин, Зеленцова, Тираспольский

МПК: B22F 3/00, C22F 1/18

Метки: подогревателей, приборов, проволоки, прутков, температуры, термической, электровакуумных

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПРУТКОВ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРОВОЛОКИ ПОДОГРЕВАТЕЛЕЙ ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫХ ПРИБОРОВ, включающий отбор образцов от прутков из вольфрама с алюмокремнещелочной присадкой с активной частью в виде пузырьков, термическую обработку отобранных образцов и их микроскопическое исследование, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годной проволоки, термическую обработку образцов проводят в интервале температур от 1600 до 2400oС, причем термическую обработку каждого образца осуществляют при одном значении температуры указанного интервала через каждые 175 225oС, при микроскопическом исследовании каждого образца измеряют средний диаметр пузырьков, содержащих присадку, и...

Номер патента: 1679911

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Кастрюлев, Розес, Сидорова, Ткачева

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, полупроводниковых, приборов, создания

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование пленки барьерного металла Tiw, нанесение пленки Al Si, нанесение пленки фоторезиста, формирование рисунка межсоединений, удаление фоторезиста, ионно-химическое травление Tiw, отличающийся тем, что с целью повышения надежности полупроводниковых приборов, ионно-химическое травление пленки Tiw ведут на 2/3 толщины с дотравливанием в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты.2.Способ по п.1, отличающийся тем, что дотравливание в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты проводят при соотношении 1 1 и температуре 40 - 45oС.

Номер патента: 1335056

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Авдеев, Зотов, Колмакова, Матвеев

МПК: H01L 21/28

Метки: барьером, индия, полупроводниковых, приборов, фосфиде, шоттки

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ФОСФИДЕ ИНДИЯ, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, напыление в вакууме неактивного металла и формирование контактов, отличающийся тем, что, с целью увеличения пробивных напряжений за счет увеличения высоты барьера Шоттки, химическую обработку пластин фосфида индия осуществляют в плавиковой кислоте при температуре от 80 до 106oС в течение не менее 5 мин, а испытание неактивного металла производят через время, не превышающее 60 мин на...

Номер патента: 1581124

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Бачурин, Верников, Енишерлова-Вельяшева, Левин, Мордкович, Пащенко

МПК: H01L 21/24

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование двухслойной полупроводниковой структуры путем термокомпрессионного соединения в инертной среде двух кремниевых подложек и создание в одном из слоев полупроводниковой структуры активных областей приборов, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и улучшения электрических характеристик приборов за счет повышения сплошности соединения кремниевых подложек в двухслойной полупроводниковой структуре, перед термокомпрессионным соединением кремниевых подложек на соединяемой поверхности, по крайней мере одной из них, формируют пленку германия толщиной 0,5 - 2,0 мкм с удельным электрическим сопротивлением не выше удельного сопротивления каждой подложки, а...

Номер патента: 574063

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Беднова, Русинов

МПК: H01L 21/469

Метки: защитного, покрытия, полупроводниковых, приборов, состав

СОСТАВ ДЛЯ ЗАЩИТНОГО ПОКРЫТИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащий оксиды свинца, бора и цинка, отличающийся тем, что, с целью улучшения механических и теплофизических характеристик покрытия, он дополнительно содержит мелкодисперсный синтетический алмаз при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксид бора - 13 - 16Оксид цинка - 4 - 5Мелкодисперсный синтетический алмаз - 15 - 20Оксид свинца - Остальное

Номер патента: 1508867

Опубликовано: 27.02.1996

Автор: Пухов

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий получение сквозных проводящих каналов в полупроводниковой подложке путем выполнения углублений на одной поверхности подложки, заполнение углублений алюминием, создание градиента температуры в направлении противоположной поверхности, а также формирование функциональных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных приборов путем уменьшения неоднородности градиентов температуры, до заполнения углублений алюминием в углублениях по их центрам выполняют дополнительные углубления, при этом отношение объема дополнительного углубления к объему основного углубления находится в диапазоне от 1 : 4 до 1 : 1000, а ширина дополнительных...

Номер патента: 1817609

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Борисов, Жарый, Тараканов

МПК: H01J 23/06

Метки: о-типа, приборов, пушка, электронная

...несколько сотых долей миллиметра, тогда как для расстояния анод - фокусирующий электрод не обходимо произвести изменения внесколько десятых долей миллиметра,Так как для регулировки тока требуютсянезначительные перемещения электродов, то и величина деформируемости плоско мембранных участков основания мала, а этозначит, что в пластическом .материале (например, медь) остаточного напряжения практически не будет. Следовательно, не возникает никаких возвратных изменений, 25 поэтому скорректированный размер будетнадежно зафиксирован.В отличие от прототипа предлагаемаямеханическая регулировка тока луча имеет ряд преимуществ: ее можно использовать 30 не только в диодной пушке, но и в триодной,изменять не только расстояния анод-катод, но и катод...

Номер патента: 1496566

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Лебедев, Одиноков, Пугин

МПК: B05C 1/06, H01L 21/50

Метки: клея, монтаже, нанесения, полупроводниковых, преимущественно, приборов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ КЛЕЯ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПРИ МОНТАЖЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащее планшайбу с приводом ее вращения, дозатор клея, установленной над планшайбой, ракель для выравнивания слоя клея на планшайбе и механизм переноса клея с планшайбы на изделие, отличающееся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможнотей и повышения качества клеевого соединения, оно снабжено расположенным между дозатором и ракелем механизмом перемешивания клея на планшайбе, выполненным в виде соединенного с приводом вращения конического ролика, установленного с возможностью взаимодействия своей боковой поверхностью с рабочей поверхностью планшайбы, причем на конической поверхности ролика вполнены два участка с винтовыми канавками...

Номер патента: 1514175

Опубликовано: 20.03.1996

Автор: Пухов

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий получения сквозных проводящих каналов в полупроводниковой подложке путем выполнения углублений на одной ее поверхности, заполнение углубления алюминием, создания градиента температуры в направлении противоположной поверхности, а также формирование функциональных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных приборов путем уменьшения неоднородности градиентов температуры по подложке, до заполнения углублений на дно углублений по центру наносят пленку двуокиси кремния, при этом отношение площади пленки двуокиси кремния к площади дна углубления находится в диапазоне от 1 : 2 до 1 : 1000, толщина пленки двуокиси кремния составляет от...

Номер патента: 880167

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Волк, Волкова, Коваленко, Кокин, Лукасевич, Манжа, Одиноков, Патюков, Самсонов, Сулимин, Чистяков, Шевченко, Шепетильникова

МПК: H01L 21/82

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, полупроводниковых, приборов, тонкослойных

...проводимости (рР= 10 Ом см локально формируют и -скрытые слои (Х,+ = 3-3,2 25 мкм, р, = 36 - 40 Ом/о ). Методом эпитаксиинаращивают пленку и-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,8-1,2 Ом см, толщиной 1-1,2 мкм. Эпитаксиальную пленку маскируют двуслойным диэлектриком 30о5 Ю 2 и Рзй 4 толщиной 600 - 800 А и 1800о2000 Аз соответственно. Методом фотолитографии травят двуслойный диэлектрик и эпитаксиальную пленку на глубину 0,6-0,8 мкм. Формируют р -стопорный слой в вытравленных канавках диффузией бора, Параметры загонки р, = 85 - 90 Ом/а. Удаляют боросиликатноестекло и производят заполнение канавок окислом кремния при 1000 С в парах воды при повышенном давлении 1,5 атм в течение 2,5 ч. Толщина окисла кремния в канавках...

Номер патента: 1829767

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Баранцев, Бессонов, Костюк, Пономаренко

МПК: H01L 21/28

Метки: межсоединений, полупроводниковых, приборов

...того, в межсоединениях, изготовленных по способу-прототипу, возникает дополнительный вклад во внутренние напряжения, связанный с различием температурных коэффициентов линейного расширенич материалов окисного и проводящего слоев, В заявляемом способе этот вклад отсутствует, так как межсоединения представляют собой единую монолитную систему.Предлагаемый способ изготовления межсоединений полупроводниковых приборов позволяет, рассчитав предварительно температурный режим испарения, необходимый для реализации оптимальной глубинь фракционирования, данной навески сплава А - В - С, в дальнейшем осуществлять испарение, строго следуя этому режиму. При этом сам процесс испарения становится высокотехнологичным, а параметры получаемых...

Номер патента: 1178269

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Казуров, Кокин, Манжа, Патюков, Чистяков, Шурчков

МПК: H01L 21/76

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора окисления меза-областей, создания активной и пассивной базовой областей, осаждение нитрида кремния, вскрытие контактных окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, ионное легирование донорной примесью областей, вскрытых в диэлектрических слоях, через пленку поликристаллического кремния, одновременный отжиг всех ионолегированных слоев, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после осаждения пленки поликристаллического кремния дополнительно проводят ее ионное подлегирование акцепторной примесью дозой (5...

Номер патента: 1072666

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Патюков, Чистяков

МПК: H01L 21/331

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора, нанесение диэлектрических слоев, вскрытие окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, легирование пассивных, активных базовых и эмиттерных областей и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов и повышения плотности их компановки, после создания боковой диэлектрической изоляции проводят ионное легирование пассивной базы, осаждают нитрид кремния, осуществляют фотолитографию всех контактных окон, затем наносят пленку поликристаллического кремния, формируют фоторезистивную маску для защиты эмиттерных и...

Номер патента: 1215550

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Казуров, Манжа, Патюков, Попов, Чистяков, Шурчков

МПК: H01L 21/265

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ P-N-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, формирование глубокого коллектора, окисление меза-областей, создание базовой области, осаждение нитрида кремния, вскрытие окон в диэлектрических слоях к коллектору, активной и пассивной части базовой области, осаждение пленки поликристаллического кремния, ионное легирование вскрытых в диэлектрических слоях областей через пленку поликристаллического кремния, одновременный отжиг ионнолегированных слоев и формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после вскрытия окон в диэлектрических слоях проводят ионное подлегирование активной части базовой...

Номер патента: 1802640

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Григорьев, Мейев

МПК: H01J 23/24

Метки: замедляющая, приборов, свч

...и экспериментально. 2 ил. Яо 12 Д., Мейе(54) 1 ЗАМЕДЛЯЮЩАЯ СИСТЕМ ПРИзОРОВ СВЧ Л О( ), (71)стит (56) сист техн 1 ( Кур мощ элек СВЧ Ленинградский электт им.В.И,Ульянова (ЛТесленко Л.Ф. и дрмы, ч. П. "Обзорыке", сер 1. "Электрон) М., ЦНИИ "-Элекычкин О.И, Замедляюых широкополосныхронной технике, сер.вып, 4(834), М., ЦН ротехническии иненина)Замедляющиепо электронной ика СВЧ", вып.троника", 1972. щие системы для ЛБЗ-Обзоры по 1 "Электроника ПИ "Электрони 11) 1802 б 40 (1 З) А1802640й Редактор С. Кулаков Составитель Г, ИвановТехред М.Моргентал орректо кач Тираж Г 1 одписное НПО "Поиск" Роспатента113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 ака 13 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, У д, ул.Гагарина, 1 ГФ.ормула...

Номер патента: 758971

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Коваленко, Кокин, Манжа, Назарьян, Одиноков, Сулимин

МПК: H01L 21/822

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ с боковой диэлектрической изоляцией, включающий операции термического окисления, нанесение диэлектрического слоя, селективное травление по отношению к окислу кремния, вскрытие окон в диэлектрических слоях, легирование для формирования базовой и эмиттерной областей, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготавливаемых приборов и процента выхода годных, после операции термического окисления и вскрытия окон в окисле формируют базовую область, наносят диэлектрический слой и проводят вскрытие в нем окон под эмиттер так, что окна в термическом окисле и диэлектрическом слое перекрещиваются, после чего осуществляют легирование для формирования эмиттерной области.

Номер патента: 1582625

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Голубева, Сергиенко, Шевлякова

МПК: C09D 143/04

Метки: защиты, композиция, поверхности, полупроводниковых, приборов

Композиция для защиты поверхности полупроводниковых приборов, включающая низкомолекулярный диметилсилоксановый каучук, трис-(ацетоксимокси) винилсилан и 1,1 -бис-[диметил(изооктокси) силил]ферроцен, отличающаяся тем, что, с целью увеличения срока хранения композиции, уменьшения ее коррозионной активности и снижения внутренних механических напряжений в покрытиях на ее основе, в качестве низкомолекулярного диметилсилоксанового каучука композиция содержит низкомолекулярный полидиметилдифенилсилоксановый каучук и дополнительно содержит -эпоксипропоксипропилтриэтоксисилан при следующем соотношении компонентов,...

Номер патента: 1829804

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Васильев, Швейкин, Шелякин

МПК: H01L 31/18

Метки: оптоэлектронных, полупроводниковых, приборов

...7 мм рт,ст. выращивали пленки с еленида цинка при температуре подложки (гетер о структуры с мезой) 70 С,В первом случае используют в качестве источника нелегированный, поликристаллический сел енид цинка. Это позволило получать напыляемые пленки селенида цинка с удельным электросопротивлением р = 10 Омфсм.Во втором случае используют в качестве источника с еленид цинка, легированный примесью Ма до концентрации 810ат. Это позволило получить удельное электро- сопротивление напыляемых слоев селенида цинка 10 Омфсм,В третьем случае используют в качестве источника селенид цинка, легированный примесью Са до концентрации 810ат.0, что приводит к удельному сопротивлению напыляемых слоев сел енида цинка 10 Омфсм.П р и м е р 2. Мезаполосковые...

Номер патента: 818394

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Крымко, Попова, Пресс

МПК: H01L 27/148

Метки: заряда, матрица, переносом, приборов, фоточувствительная

Фоточувствительная матрица приборов с переносом заряда, включающая полупроводниковую подложку дырочного типа проводимости, легированную индием, эпитаксиальный слой электронного типа, диэлектрический слой SiO2 и размещенные на его поверхности затворы переноса из поликристаллического кремния, отличающаяся тем, что, с целью разделения функций считывания и накопления, эпитаксиальный слой на границе с подложкой содержит подслой, легированный индием.

Номер патента: 1780463

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Грудин, Ильин, Сурков

МПК: H01L 21/68, H05K 13/02

Метки: кассета-спутник, полупроводниковых, преимущественно, приборов

1. Кассета-спутник преимущественно для полупроводниковых приборов, содержащая основание с гнездом для корпуса полупроводникового прибора и средства фиксации выводов прибора, отличающаяся тем, что, с целью увеличения эксплуатационных возможностей, средства фиксации выводов полупроводникового прибора выполнены в виде спиральной пружины, закрепленной на дугообразной поверхности опоры, размещенной на основании.2. Кассета-спутник по п. 1, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности фиксации выводов, она снабжена плоской пружиной, закрепленной на дугообразной поверхности опоры с возможностью изменения ее прогиба, а спиральная пружина расположена на плоской пружине.3. Кассета-спутник по п. 2, отличающаяся тем, что она снабжена...

Номер патента: 965239

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Больших, Диковский, Каусова

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, кремниевых, полупроводниковых, приборов, схем

Способ изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем, включающий создание контактных окон в диэлектрике с помощью фотогравировки, очистку поверхности сильнолегированного кремния в окнах травлением в травителях, содержащих плавиковую кислоту, и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости электрических параметров приборов и повышения выхода годных структур, перед очисткой поверхность кремния в окнах дополнительно окисляют в атмосфере увлажненного кислорода при температуре 873 973К в течение 10 30 мин и очистку травлением поверхности кремния в окнах проводят при освещенности 1 10 лк.

Номер патента: 795186

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Ермаков, Черепов

МПК: G01R 31/25

Метки: напряжений, приборов, пробивных

Устройство для измерения пробивных напряжений приборов, содержащее подключенную к источнику питания через контакты кнопки управления накопительную RC-цепочку, соединенные с испытуемым прибором через диод запоминающий конденсатор и вольтметр, причем запоминающий конденсатор через нормально замкнутые контакты кнопки управления зашунтированы разрядным резистором, отличающееся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности при измерении и повышении удобства в эксплуатации, накопительная RC-цепочка подключена через вторую пару нормально замкнутых контактов кнопки управления к источнику питания, а также через пару нормально разомкнутых контактов кнопки управления к испытуемому прибору.

Номер патента: 1347737

Опубликовано: 27.03.1997

Авторы: Гурков, Николаенко, Пономарев, Стук, Шагов

МПК: G01T 3/00

Метки: контрольно-измерительных, нейтронных, приборов, проверки, работоспособности, трактов

Способ проверки работоспособности контрольно-измерительных трактов нейтронных приборов путем регистрации и сравнения рабочего и контрольного сигналов, возникающих при ионизации газа детектора продуктами ядерных реакций, образующимися в результате взаимодействия нейтронов, попадающих в объем детектора, с ядрами вещества наполнителя детектора, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности проверки работоспособности, изменяют один или несколько параметров, определяющих рабочий режим работы, таким образом, чтобы контрольный сигнал соответствовал распределению длин пробегов продуктов ядерных реакций, укладывающихся в объеме детектора в пределах K1

Номер патента: 1677898

Опубликовано: 27.07.1997

Авторы: Кримштейн, Никитин, Рогожкин, Рышков, Синельников, Тихонов

МПК: A62B 19/02

Метки: изолирующих, кислороде, патрон, приборов, регенеративный, связанном, химически

1. Регенеративный патрон для изолирующих приборов на химически связанном кислороде, содержащий корпус, внутреннюю перфорированную обечайку, распределительную трубку, фильтр, пусковое приспособление с патрубком и поджимную пружину, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов, веса и сопротивления дыханию и обеспечения эффективной разработки продукта при отрицательных температурах, распределительная трубка расположена по всей длине внутренней перфорированной обечайки, к которой прикреплены крышка патрона и внешняя обечайка, в внутренняя перфорированная обечайка снабжена гнездом для пускового брикета, непосредственно примыкающего к продукту.2. Патрон по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температуры вдыхаемого...

Номер патента: 1593337

Опубликовано: 10.05.1999

Автор: Нелепченко

МПК: E21B 47/00

Метки: приборов, скважину, спуска

Устройство для спуска приборов в скважину, содержащее герметичный корпус с фланцем для установки на устьевую арматуру и лебедку с кабелем, отличающееся тем, что, с целью снижения трудоемкости проведения работ за счет облегчения условий ввода прибора в устройство, герметичный корпус выполнен в виде П-образного трубного узла, в одной части которого размещена лебедка, а другая предназначена для прибора, причем корпус с фланцем установлены с возможностью разворота относительно фланца устьевой арматуры.

Номер патента: 845563

Опубликовано: 20.05.1999

Авторы: Горюнов, Дулов, Сергеев, Широков

МПК: G01J 5/26

Метки: времени, переход-корпус, полупроводниковых, постоянной, приборов, тепловой

Способ измерения тепловой постоянной времени переход-корпус полупроводниковых приборов, заключающийся в регистрации потока ИК-излучения с поверхности структуры полупроводникового прибора при подаче на него разогревающей мощности, изменяющейся по гармоническому закону с частотой, близкой к величине обратной тепловой постоянной времени переход-корпус, отличающийся тем, что, с целью уменьшения времени измерения, измеряют сдвиг фаз между разогревающей мощностью и регистрируемым потоком ИК-излучения и по величине этого сдвига фаз определяют тепловую постоянную времени переход-корпус.