Способ моделирования воздействия тяжелых ядер космических лучей на p-nпереходы полупроводниковых приборов

Номер патента: 1735873

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Батюнин, Мирзаханова, Янин

МПК: G06G 7/48

Метки: измерительных, моделирования, приборов

...8и блока 9 индикации,Блок 1 фиг.2) состоит из дешифратора адреса, собранного на компа- враторах 011 и элементе ИЛИ-НЕ 12, О нНа входы блокаприходит байт вход- вной информации, причем младший разряд входной информации, поступающей рна элемент 12, указывает, какую инфор- ммацию должно принимать устройство. 1 сБайт 2 хранения выходной инфор- смации представляет собой универсаль" в.ный восьмиразрядный регистр с синх- нронной параллельной записью информа- иции, который запоминает выходное сос нтояние реверсивного счетчика 6 прииналичии разрешающего сигнала от бло"ка 1, пБлок хранения входной инФормации 3 есостоит из двух универсальных восьми вразрядных регистров 13, 14 с синхрон- иной параллельной записью информации вна каждый из которых...

Номер патента: 399885

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Груздев, Железнкков, Мирзахапова, Погул, Янин

МПК: G06G 7/48

Метки: измерительных, моделирования, приборов

...13.Блок моделирования уставок представляет собой многоканальное устройство, в данном случае 4-канальное, каждый канал которого состоит из операционного усилителя 14 постоянного тока с дифференциальным входом и усилителя на транзисторе 15, выходным элементом которого является реле 16.Прибор работает следующим образом, При изменении входного сигнала С., например, в сторону увеличения, операционный усилитель 6 блокасравнения 1 выдает напряжение положительной полярности, включающее связи реверсивного счетчика 8 для прямого счета импульсов с частотой ь поступающих с блока выбора скорости 4. Причем как для прямого счета, так и для обратного на вход реверсивного счетчика 8 можно подавать любую частоту импульсов из общего набора частот,...

Номер патента: 1363197

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Мазур, Петров, Фукалов

МПК: G06F 7/58

Метки: моделирования, обслуживающего, прибора

...этом с еговторого выхода снимается разрешающее напряжение с соответствующихвходов элементов И 5 всех М каналов3 обслуживания. Это необходимо длятого, чтобы обеспечить абсолютныйприоритет в обслуживании заявок, таккак все счетчики 7 моделируют один и тот же обслуживающий прибор. Поэтому (одновременная работа списывание чисел, записанных в счетчиках 7)в данном устройстве запрещена. Одновременно сигнал с первого выходатриггера 4 второго канала обслуживания через элемент И 6 подключает питание на счетчик 7, разряды которого с равной вероятностью устанавливается в одно из состояний, приэтом в счетчике 7 будет записанослучайное равномерно распределенноечисло продолжительности времениобслуживания поступившей заявки, Одновременно через элемент...

Номер патента: 1494016

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Адерихин, Глебов, Романов, Фукалов

МПК: G06N 7/08

Метки: моделирования, обслуживающего, прибора

...появления обслуженных заявок в суммарном 30потоке, случайная длительность импульсов соответствует случайной длительности обслуживания заявок обслуживающим прибором, а случайная амплитудаимпульса является аналогом приоритета (номера потока) потока заявок, Чембольше амплитуда импульса, тем вышеприоритет данной заявки. Дешифратор8 служит для преобразования бесконечного множества приоритетов в конечное множество путем разделения диапазона изменения (0-0) входного сигнала на К равных поддиапазонов, Навыходе дешифратора 8 Формируетсясигнал стандартной амплитуды А при 45нахождении амплитуды сигнала в 1-мдиапазоне. Конструктивно дешифратор8 может быть выполнен в виде амплитудного дискриминатора импульсов. Таким образом, на выходах...

Номер патента: 871104

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Букевич, Железняков, Молчанов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отбраковки, полупроводниковых, приборов

...эффективности,Поставленная цель достигается тем,что по способу отбраковки полупроводниковых приборов, включающему измерение электрических параметров испытуемых приборов и разбраковку по ним при-.боров на годные и дефектные, передизмерением параметров пластину выдерживают в высокочастотном электромагнитном поле.Предлагаемый способ осуществляетсяследующим образом.Полупроводниковые пластины послеформирования на них структур полупро,водниковых приборов или интегральных схем до скрайбирования на кристап лы помещают в высокочастотное электромагнитное поле, создаваемое генератором. За счет воздействия вихревых токов, вазникающих в структуре проводящих элементов, приборов, создается повышенная температура. Кроме того,воздействие...