Способ изготовления n-p+и p-p+-структур кремниевых непланарных приборов

Номер патента: 1222149

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Брюхно, Жарковский, Комаров, Сахаров, Шер

МПК: H01L 21/74

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ, включающий формирование в монокристаллической кремниевой пластине локальных скрытых слоев, вытравливание канавок в пластине, защиту полученного рельефа диэлектриком, осаждение со стороны рельефа поликристаллического кремниевого опорного слоя, формирование монокристаллических областей, формирование в этих областях р-п-переходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и надежности интегральных схем путем повышения напряжения пробоя р-п-переходов, канавки вытравливают в пластине на расстоянии от локальных скрытых слоев, не меньшем глубины проникновения примеси скрытых слоев в пластину, после проведения операций защиты...

Номер патента: 1830229

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Волле, Воронков, Грехов, Козлов

МПК: H01L 21/324

Метки: кремниевых, структур

Способ изготовления кремниевых структур, включающий гидрофилизацию кремниевых пластин, сушку пластин на воздухе, соединение пластин лицевыми сторонами друг с другом, термообработку при температуре не менее 1000oC, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структур при одновременном увеличении производительности, после гидрофилизации пластины помещают в раствор, содержащий не менее 1 об. плавиковой кислоты в деионизованной отфильтрованной воде, затем пластины промывают в деионизованной отфильтрованной воде, соединяют пластины попарно и извлекают их из воды в соединенном состоянии, сушку пластин проводят перед термообработкой при 100 130oC в течение времени не менее 4 ч при одновременном...

Номер патента: 1624314

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Изидинов, Разяпов

МПК: G01N 31/22, H01J 49/26

Метки: загрязнений, кремниевых, пластин, поверхностных, состава, структур

...а затем в режиме модулированной добротности.Введение добавки комплексообразователя обеспечивает, с одной стороны, повышение степени концентрирования и снижение потерь за счет образования устойчивых комплексов определяемых примесей в объеме фтористо-водородной кислотю, а с другой - визуализацию (возможность контроля) области локализации сухого остатка после испарения кислоты благодаря флуоресценции образовавшихся поверхностных комплексов при сканировании исследуемой поверхности излучением лазера в режиме свободной генерации с плотностью мощности, не превышающей значения, при котором происходит испарение вещества, Последующее воздействие лазером (предварительно оконтуренной области размещения анализируемой пробы) в режиме...

Номер патента: 1096685

Опубликовано: 07.06.1984

Автор: Литовчин

МПК: G09B 23/06

Метки: прибор, сопротивлению, учебно-демонстрационный

...3 и 4)остались плоскими и перпендикулярны 25 ми оси вала, радиусы поперечных сечений остались прямыми, длина элементавала (расстояние между дисками 3 и 4)не изменилась и не изменился диаметрвала (днаметр дисков 3 и 4).Вся деформация сводится к тому,что волокна, параллельные оси валадо его деформации, претерпеваютсдвиг и образовывают с осью валаострый угол - угол сдвига. Этот35угол виден на модели - это угол между стержнем 7, ближайшим к рычагу 6,и длинным плечом рычага 6. На моделивиден и угол закручивания элементавала - это угол между коротким плечомрычага 6 и тем радиусом диска 4,с которым это плечо было совмещенодо деформации.ФПрименение предлагаемого приборапозволит повысить эффективностьобучения путем повышения его нагляд 45ности,...

Номер патента: 1623492

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: кремниевой, соединения, структуры, термокомпенсатором

Способ соединения кремниевой структуры с термокомпенсатором, включающий помещение припоя между кремниевой структурой и термокомпенсатором, нагрев до расплавления припоя, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью увеличения напряжения пробоя за счет улучшение качества соединения, охлаждение осуществляют со скоростью 0,2...1,5oC/мин.