Патенты с меткой «приборов»

Номер патента: 747319

Опубликовано: 20.07.2006

Автор: Сидельников

МПК: G05D 16/00

Метки: командных, пневматических, приборов

Устройство для контроля пневматических командных приборов по авт. св. № 598431, отличающееся тем, что, с целью расширения области применения, оно содержит дополнительный источник разрежения, подключенный к выводу "статика" контролируемого командного прибора, и вентиль, через который выводы "статика" и "атмосфера" контролируемого командного прибора соединены между собой.

Номер патента: 1840194

Опубликовано: 10.08.2006

Авторы: Крымко, Манагаров, Марков

МПК: H01L 29/78

Метки: виртуальной, зарядовой, приборов, связью, фазой

Способ изготовления приборов с зарядовой связью с виртуальной фазой, включающий операции окисления, фотолитрографии, ионного легирования и термического отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности производства при одновременном упрощении процесса изготовления, увеличения степени интеграции и процента выхода годных, после окисления наносят высокоомный поликремний, в котором последовательно вскрываются окна над легируемыми областями, начиная с области с максимальным уровнем легирования, после каждого вскрытия окон проводят ионное легирование, затем проводят одновременный термический отжиг легированных областей, после чего формируют проводящий слой, вскрывают окна над областью виртуальной фазы и легируют примесью...

Номер патента: 1314941

Опубликовано: 27.09.2006

Авторы: Кожевников, Устинов, Шаров

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов

1. Устройство для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащее групповой теплоотвод с установочными площадками и отверстиями для крепления полупроводниковых приборов, в котором выполнены каналы с продольными ребрами для охлаждающей жидкости с коллекторами, отличающееся тем, что, с целью улучшения охлаждения полупроводниковых приборов, внутри канала выполнены изолированные от него полости с поперечными ребрами на внешней стороне их стенок, а отверстия для крепления полупроводниковых приборов расположены в стенках полостей и сообщены с ними.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что полости выполнены в форме цилиндров.3. Устройство по пп.1 и 2, отличающееся тем, что...

Номер патента: 1840383

Опубликовано: 20.11.2006

Авторы: Никонов, Осоловский, Павлихин, Ростанин

МПК: G01M 7/00

Метки: грунта, движения, испытания, механический, параметров, предназначенных, приборов, регистрации, стенд, тарировки

Механический стенд для испытания и тарировки приборов, предназначенных для регистрации параметров движения грунта, содержащий корпус-раму с двумя направляющими стойками, на которых размещен подвижный стол для установки испытуемых приборов, упругую подвеску стола, подъемное устройство с захватывающим элементом и регистрирующие приспособления, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измеряемых перемещений и действующих нагрузок при воспроизведении характера движения грунта, например при ядерных взрывах, без увеличения габаритов устройства в направлении движения стола, в нем упругая подвеска выполнена в виде горизонтально расположенных амортизационных тросов регулируемой жесткости, соединенных с подвижным столом, связанным с...

Номер патента: 1840441

Опубликовано: 10.03.2007

Авторы: Артамонов, Гречинская, Копылов

МПК: H01J 23/00

Метки: волноводный, вывод, приборов, свч, энергии

Волноводный вывод энергии для СВЧ приборов, содержащий четвертьволновый трансформатор, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности приборов, трансформатор выполнен в виде цилиндрического волновода с двумя Т-образными выступами, размещенными друг напротив друга.

Номер патента: 1280964

Опубликовано: 27.05.2008

Авторы: Гудименко, Демин, Кузнецов

МПК: F15B 19/00

Метки: воздуха, защитное, испытания, командных, приборов, расхода, регуляторов, стенда

Защитное устройство стенда для испытания командных приборов регуляторов расхода воздуха по авт. св. № 1037711, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности, дроссели, установленные на участках подключения к испытуемому прибору линии питания и линии вакуумирования, выполнены с отверстиями, площади которых прямо пропорциональны объемам полостей испытуемого прибора, к которым подключены указанные дроссели.

Номер патента: 1840758

Опубликовано: 27.04.2009

Авторы: Водопьянов, Ринкис, Степанов, Щеголев

МПК: F16K 17/02, G01S 7/52

Метки: газовый, глубоководных, компенсатор, приборов

1. Газовый компенсатор для глубоководных приборов, например низкочастотных гидроакустических преобразователей, с автоматическим поддержанием противодавления в газонаполненных полостях, содержащий газонаполненные под разным давлением баллоны с диафрагмами, чувствительными к гидростатическому давлению, трубопроводы и систему клапанов, управляемых диафрагмами баллонов, отличающийся тем, что, с целью уменьшения веса компенсатора и повышения его надежности при увеличении рабочей глубины погружения, в него введены дополнительные эластичные баллоны, например из резины пониженной газопроницаемости, армированной стеклотканью, объем каждого из которых не менее чем в 10 раз превышает объем баллона с диафрагмой, а жесткость оболочки дополнительного...

Номер патента: 1840768

Опубликовано: 27.07.2009

Автор: Рыжей

МПК: G01S 7/40, G01S 7/52

Метки: гидроакустических, приборов, характеристик, частотно-фазовых

Устройство для измерения частотно-фазовых характеристик гидроакустических приборов, содержащее цифровой фазометр со схемами совпадений, приемный тракт с преобразователями частоты в его каналах и генератор фиксированных частот, например генератор гармоник, выходные напряжения которого жестко связаны между собой по частоте и фазе, и подключенный к преобразователям частоты приемного тракта, отличающееся тем, что, с целью уменьшения времени измерения, один из выходов генератора фиксированных частот соединен со входами схем совпадения фазометра.

Номер патента: 814175

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Владыченко, Данилов, Рассадин, Снитовский

МПК: H01L 21/311

Метки: диэлектрической, изоляции, полупроводниковых, приборов, создания, элементов

Способ создания диэлектрической изоляции элементов полупроводниковых приборов, включающий нанесение слоя нитрида кремния на кремниевую подложку с эпитаксиальным слоем, вскрытие в нем окон под контакты, травление кремния и локальное окисление, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборов, окна в нитриде кремния травят в виде узких полос шириной 0,5-1,5 мкм с отношением ширины полосы к расстоянию между ними, равным 0,56:0,44, а травление кремния в окнах проводят на глубину, большую, чем их ширина.

Номер патента: 1025287

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Гурский, Зеленин, Кисляк, Конюшенко

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, полупроводниковых, приборов

Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов, включающий нанесение алюминия в места формирования контактов, создание контактных площадок и присоединение золотого вывода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов путем исключения образования интерметаллических соединений, на слой алюминия дополнительно наносят пленку алюминия с добавлением сурьмы в количестве 0,1-0,5 вес.% и после присоединения вывода контакты обрабатывают в среде водорода при температуре 623-723 K в течение 0,25-4,0 ч.

Номер патента: 1059778

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Зеленин, Конюшенко, Овсянников

МПК: B23K 35/28

Метки: кристаллов, пайки, полупроводниковых, приборов, припой

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов по авт. св. 928736, отличающийся тем, что, с целью снижения склонности к трещинообразованию при пайке кристаллов больших размеров, он дополнительно содержит циркон при следующем соотношении компонентов, вес.%: Германий53-55 Иттрий0,1-2,0 Циркон4-6 АлюминийОстальное

Номер патента: 928736

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Зеленин, Конюшенко, Урецкий

МПК: B23K 35/28

Метки: кристаллов, пайки, полупроводниковых, приборов, припой

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов, содержащий германий, иттрий, алюминий, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры пайки и увеличения мощности полупроводниковых приборов, припой содержит компоненты в следующем соотношении, вес.%: Германий53-55 Иттрий0,1-2,0 АлюминийОстальное