Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов

Описание

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий облучение полупроводниковых структур через защитные маски дефектообразующим излучением до максимальной концентрации дефектов в базовой области 1011-1013 см-3, отличающийся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик приборов, облучение проводят электронами -распада от изотопного источника Sr90.

Заявка

4061700/25, 28.04.1986

Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина

Асина С. С, Сурма А. М, Бромберг Б. В, Шмелев В. В, Зумберов В. В, Ныгес М. Т, Дороднев В. Н, Кузьмин В. Л

МПК / Метки

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, приборов, силовых

Опубликовано: 10.06.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1618211-sposob-izgotovleniya-silovykh-poluprovodnikovykh-priborov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов</a>

Похожие патенты