Патенты с меткой «приборов»

Номер патента: 1830156

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Йоханнес, Петер, Роланд, Хенрикус

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, приборов

...а когда+используются ионы В, энергия имплантации может составлять 40 КэВ. Вследствие анизотропного характера ионной имплантации, как показано стрелками, ионы имплантируются в поверхность участка 27 поликристаллического кремния на верхней поверхности ступени б и в область поверхности 3 полупроводниковой структуры 1, но не имплантируются сколько-нибудь значительно в участок 26 на боковой поверхности ступени 6, которая имеет поверхность, расположенную приблизительно параллельно направлению имплантации, и фактически маскирована от имплантации участком 27 на верхней поверхности ступени 6.После операции имплантации полупроводниковую структуру 1 подвергают термической обработке, чтобы дать возможность имплантированным ионам продиффундировать...

Номер патента: 1830495

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Александров, Угандеев

МПК: G01R 35/00

Метки: автоматической, поверки, приборов, стрелочных, электроизмерительных

...выходе вычислительно-управляющего блока 11 и записывается в регистргле хранится д тачниесего цикла поверки данного прибора, Параллельный код с выхода регистра 20 загрукается в счетчик 21, на счетный вход которого поступают кадровые синхроимпульсы с третьего выхода формирователя 7 раз.вертки. Работа счетчика 21 в режиме вычитания разрешается по команде вычислительно-управляющего блока 11 в течение времени р = КмаксТк, где Тк - длительность кадра, На выходе счетчика 21 формируется уставка длительности выделяемого видеоимпульса, которая уменьшается на единицу в каждом кадре в течение времени 1 р.Сигнал о выделении наиболее широкой отметки с третьего выхода блока 6 анализа поступает на третий вход формирователя 14 зоны анализа...

Номер патента: 1831732

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Молдавский, Скрынников, Федоров

МПК: H01L 25/03

Метки: блок, полупроводниковых, приборов, силовых

...относится к преобразовательной технике, в частности к сильноточным полупроводниковым преобразователям, и может использоваться в полупроводниковых преобразовательных агрегатах различного назначения. ьэования: в полупроводзовательных агрегатах ения. Сущность изобреаэовательных узлов устааме без фиксированнойприжимных устройс 1 в, выполнено о виде гибкощегося элемента. с двух сположены сферические беспечивэется соосность преобразовательных узеобходимое кон 1 актное вые полупроводниковые ция позволяет проиэвону приборов. 2 ил.необходимое контактное давление на силовые полупроводниковые приборы 2 и обеспечить их быструю замену (фиг, 2). При необходимости на каждом силовом полупроводниковом приборе 2 могут быть установлены...

Номер патента: 1832176

Опубликовано: 07.08.1993

Автор: Соколов

МПК: G01B 5/00

Метки: динамических, испытаний, приборов

...фиксаторов испытуемая и эталонная измерительная скобы 7, 8, Измерительные скобы выставляются по весу и выставляются на О. С помощью регулируемого вращаемого привода 6 приводим во вращение ротор 4. При перемещении испытуемой 7 и эталонной 8 скоб с помощью привода 10 измерительные наконечники контактируют с ротором 4 на участке Архимедовой спирали. Аналоговый сигнал с тенэодатчика 5 поступает в измерительный преобразователь 11, где аналоговые напряжения преобразуются в цифровой эквива1832176 оставитель А. Сокехред М. Моргентал Корректор Л. Ливринц едактор С, Кулако аз 2606 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 оизводстввнно-издательский комбинат...

Номер патента: 1837402

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Биткин, Несвижский, Самсон

МПК: H02H 7/20, H04B 1/04

Метки: анодной, быстродействующей, защиты, класса, модуляцией, передатчика, приборов, радиовещательного, электровакуумных

...разделительному конденсатору 9, С выхода второго элемента ИЛИ 6 сигнал также.через третий элемент ИЛИ 7 поступает на вход формирователя 17. Сигнал с выхода. второго элемента ИЛИ 6 поступает также на вход четвертого элемента ИЛИ 21, через который запускает формирователь 18, который включает разрядный элемент 13. В качестве датчиков использованы датчики токов короткого замыкания, содержащие два сердечника, выполненные из материалов с различными магнитными проницаемостями, с последовательно соединенными обмотками управления. включенными в цепи ЭВП блока 4, а потенциальные выводы вторичных обмоток размещены на указанных сердечниках, соединены через диоды с соответствующими элементами ИЛИ, Все разрядные элементы выполняют функцию...

Номер патента: 1480679

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Аросев, Дорогутин, Кравчук, Филоненко

МПК: H01L 21/603

Метки: гибридных, интегральных, полупроводниковых, приборов, сборки, схем, элементов

...аргон под давлением 2,5 кгс мм (фиг. 3). Проходя канал 4 инст 2румента, обогреваемого кольцевым нагре вателем 5, гаэ нагревается до 250 С и оказывает давление на всю поверхность крисалла. Температура подложки 1 при подаче нагретого газа поднимается до 390 С и на границе контактных поверхностей обра эуется жидкий слой 6 электрического состава, В момент образования этого слоя кольцевой нагреватель инструмента отключается и жидкий слой затвердевает под давлением холодного газа (фиг. 4). Затем газ 45 отключается и инструмент возвращается на исходную позицию для захвата очередного кристалла (фиг. 5). Для получения сравнительных данных, характеризующих различные варианты изобретения, параллельно 50проводилась сборка однотипных структур при...

Номер патента: 936755

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Вето, Марчук, Скрылев, Тренева, Шилин

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, основе, приборов, связью

...ция 5; разделительный регистр 6, расположенный между секциями 4 и 5, идентичный по конструкции регистрам 1 и 2; выходной регистр 7 и четыре выходных устройства, неразрушающего считывания 8 и 9 и 10 и 11.20Технологически устройство выполнено. наполупроводниковой пластине кремнияКЭФориентации 100) по трехслойнойполикремниевой технологии, Средние толщины поликремниевых электродов достига 25 ют величины 0,4-0,5 мкм. Затворный окиселобразуется окислением полупроводниковойпластины в атмосфере сухого кислорода с.добавкой хлористого водорода при 1200 О С.Толщина затворного окисла колеблется в30 пределах 0,1-0,11 мкм. Устройства неразрушающего считывания информации выполнены на основе плавающих затворов,Устройство работает следующим образом.35...

Номер патента: 1090182

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Андрушкевич, Антонов, Семенов, Тореев, Тупикин

МПК: H01J 23/24, H01P 11/00

Метки: 0-типа, замедляющей, приборов, резонаторов, связанных, системы, типа, цепочки

Номер патента: 1464784

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Андрушкевич, Григорьев, Перелыгин, Сахаджи, Явчуновский

МПК: H01J 23/087

Метки: 0-типа, магнитных, приборов, свч, систем, фокусирующих

...в первую секцию МФС 6 электронный пучок испытывает воздействие поперечного магнитного поля этой секции, чтоприводит к некоторому смещению его от осиприбора. В следующей секции 7 смещенный40 электронный пучок отклоняется под воздействием поперечного магнитного поля этойсекции. Ориентируя поперечные магнитныеполя соседних кольцевь)х магнитов взаимнопротивоположно (фиг,2), добиваются того,45 что воздействия поперечных магнитных полей соседних секций МФС на электронныйпучок компенсируют друг друга. В результате электронный пучок совершает лишь небольшие колебания около оси прибора, чем50 обеспечивается стабилизация положенияэлектронного пучка и, соответственно, устойчивое высокое токопрохождение в приборе, наиболее эффективна...

Номер патента: 778607

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Андрушкевич, Антонов, Тореев

МПК: H01P 11/00

Метки: 0-типа, замедляющей, приборов, резонаторов, связанных, системы, типа, цепочки

...1. Фиксация положения отверстия 7 связи в контролируемойячейке 1 по отношению к отверстию б связи в эталонной ячейке 5 осуществляется с помощью направляющего штифта 9 в технологических отверстиях 10 ячеек 1.Способ изготовления замедляющей системы типа цепочки связанных резонаторов приборов О-типа заключается в следующем; Изготавливаются элементарные ячейки 1 без отверстия связи, затем они нумеруются и постудают на операцию радиотехнического контроля по собственным частотам,Из каждой ячейки 1 замедляющей системы,с помощью короткозамыкающей заглушки 2 с отверстием 3 связи образуют одиночный резонатор и, подключив его к выходу 4 измерительной установки, измеряют его собственную резонансную частоту 1 О,Эта операция проделывается со. всеми...

Номер патента: 2004720

Опубликовано: 15.12.1993

Автор: Шумейко

МПК: E03D 5/08

Метки: автоматической, приборов, промывки, санитарных

...одним концом пружина35 крытием затворного клапана 20, которыйнаполнит бачок 2 до повторного освобождения площадок 11 а, сопровождающего смыв чаши 1.Простота конструкции позволяет не толь ко оборудовать новые уборные, но и снабдитьсуществующие без существенных переделок, Замена автоматического дозированного периодического смыва группы клозетных чаш. на индивидуальный смыв предложенным ус тройством каждой отдельной чаши сэкономитреки воды и повысит санитарное состояние общественных туалетов. Устройство применимо для любых смывных бачков как по расположению установки, так по исполнению смывного клапана,5 10 15 20 25 30 17, второй конец которой присоединен к опоре 4, Плечо 13 подпружинено пружиной 18, помещенной в пружинодержатели...

Номер патента: 1499567

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Журавлев, Трофимова, Фатеев, Юдин

МПК: G21C 17/00

Метки: доставки, приборов

...две пары жестких цилиндрических роликов 54 и смонтированные на подпружиненных рычагах 55 две пары поджимных цилиндрических роликов 56. играющих роль призматических поясов, 45 предотвращающих закручивание штанги 4.Каретка 1 установлена на направляющих 57поворотной платформой 58. смонтированной на опорном кольце 59, закрепленном на фланце контролируемого корпуса 16.50 Крайние заданные перемещения элементов устройства обеспечены их контактом с конечными выключателями (на чертежах не показано).Устройство работает следующим обра зом.Фиксатор 35 выводят из отверстий 33нижнего фланца 30, сжимая пружину 34, расстопоривают барабан 29. поворачивают на его оси 28, закрепленной на стойке 27 основания 26 подьемника 2.и подают сек 149956750 цию 5,...

Номер патента: 1839284

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Ким, Потапов

МПК: H05K 13/00

Метки: выводов, гибких, полупроводниковых, приборов, рихтовки

...показано устройство для рихтовки выводов; на фиг, 2-5 показана последовательность проведения операций способа,Предложенный способ может быть реализован при помощи устройства (фиг, 1), содержащего транспортирующий ротор 1 с гнездами 2 для размещения полупроводниковых приборов 3, которые подаются из питателя 4. По окружности ротора 1 установлены механизм 5 ориентации приборов и механизм 6 рихтовки выводов 7 полупроводниковых приборов 3, Механизм 6 рихтовки содержит установленный с возможностью возвратно-поступательного перемещения пуансон 8. Формула изобретения СПОСОБ РИХТОВКИ ГИБКИХ ВЫВОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ путем транспортирования их к пуансону и разведения выводов посредством введения между выводами пуансона,Предложенный...

Номер патента: 1653474

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Накрап, Шиндяпина

МПК: H01J 23/24, H01J 25/34

Метки: 0-типа, замедляющая, приборов, резонаторов, связанных, типа, цепочки

...фигурах вввдены следующие обозначения: продольная часть 3 С - полуцилиндр 1; диафрагма 2; трубка 3 дрейфа; щель 4 связи; паз 5 в диафрагме для щели связи; отверстие 6 для трубки дрейфа; поперечный паэ 7 для диафрагмы со стороны, противоположной щели связи в диафрагме, поперечный паз 8 для диафрагмы со стороны щели связи.Предложенное устройство состоит из двух продольных частей с внутренней поверхностью в форме полуцилиндров 1 и с периодически чередующимися поперечными пазами 7 и 8 на ней, куда вставляются диафрагмы 2 таким образом, что оси трубок 3 дрейфа, расположенных в отверстиях 6, совпадают с ось:о вол новода, а пазы 5 диафрагм образуют с внутренней поверхностью Формула изобретения ЗАМЕДЛЯЮЩАЯ СИСТЕМА ТИПА ЦЕПОЧКИ СВЯЗАННЫХ...

Номер патента: 1052014

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Зюрин, Молчанов, Таркин, Фионов

МПК: E21B 47/00

Метки: подъема, приборов, скважинных, спуска

УСТРОЙСТВО ДЛЯ СПУСКА И ПОДЪЕМА СКВАЖИННЫХ ПРИБОРОВ, содержащее накопительный барабан с кабелем, привод, тяговый механизм с двумя роликами, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции и обеспечения безопасной работы за счет устранения самосбрасывания кабеля с барабана при спуске силами инерции вращающегося барабана, оно снабжено качающейся в вертикальной плоскости рамой, на которой установлены один над другим ролики тягового механизма, причем привод выполнен в виде двух одинаковых гидроприводов, один из которых кинематически связан с нижним роликом тягового механизма, а другой - с накопительным барабаном.

Номер патента: 1621770

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Галина, Киселев, Литвинюк

МПК: H01J 1/20

Метки: катодно-подогревательный, приборов, торцовый, узел, электронных

...эмиссионным покрытием, держатель 2, выпалненный в виде единой детали из колпачка вцентральной части и отходящих от него радиально лепестков, подогреватель 3, точки4 соединения керна с держателем, Точкисоединения расположены по образующей в 15промежутках между лепестками. Если соединение осуществляется точечной сваркой,то высота колпачка й выбирается из соотношениябй -0,0950,где О - диаметр керна катода, мм;б - минимальный размер сварной точки,мм однозначно приеодиг к значительному увеличению времени разогрева по сравнению с известными конструкциями катодноподогревательных узлов. Из анализа разработанных конструкций можно сделать вывод, что допустимое увеличение времени разогрева достигается при высоте колпачка не более 0,095 от размера...

Номер патента: 1393200

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Галина, Киселев, Лобова, Никонов

МПК: H01J 9/04

Метки: катода, приборов, электронных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КАТОДА ДЛЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ, включающий нанесение на керн, выполненный из никеля с активирующими присадками, пасты на основе порошка щавелевокислого никеля, восстановление порошка до металлического никеля и нанесение карбонатного покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения долговечности и выхода годных катодов за счет стабилизации количества активатора в керне и снижения растрескивания карбонатного покрытия на тонкостенном керне, зернистость порошка щавелевокислого никеля выбирают в интервале 1 - 5 мкм, а пасту наносят слоем толщиной 0,4 - 0,7 толщины керна.

Номер патента: 1702825

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Зенин, Колычев

МПК: H01L 21/60

Метки: полупроводниковых, приборов

...слоя и вцтравленйых канологического процесса разделения навок путем термического оксидирования пластин кристаллы(ширина реза), ориенти- многоступенчатым способом создают слой руясь на наличие минимального зазора 15 30 толщиной 1,5-2 мкм, например 1,7 мкм, между изоляцией кармана и краем кристал- Затем на всю окисленную поверхность плала 12 мкм. Минимизация этого размера свя- стины наращивают слой 1 поликристалличезана экономией площади пластины ского кремния, толщиной 200-250 мкм, в (возможно большим сьемом кристаллов с результате чего всеканавкиполностьюзапластины), максимально возможное рассто растают. На презиционном станке часть пояние между краем кристалла и изоляцией ликремния сошлифовывают, обеспечивая кармана (при...

Номер патента: 1367592

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Таркин, Черный

МПК: E21B 47/00

Метки: кабеле, подъема, приборов, спуска

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ СПУСКА И ПОДЪЕМА ПРИБОРОВ НА КАБЕЛЕ , содеpжащее лубpикатоp и помещенную в кузове тpанспоpтного сpедства спускоподъемную часть, включающую баpабан, тяговые pолики, пpиводные pевеpсивные двигатели, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности в pаботе на скважинах с высоким давлением на устье, оно снабжено геpметичным коpпусом с сальниковым уплотнением, холодильным агpегатом и насосом, тpубопpоводами для соединения полости геpметичного коpпуса с лубpикатоpом, пpи этом тяговые pолики помещены в полости геpметичного коpпуса, гидpавлически связанной с насосом, сальниковое уплотнение геpметичного коpпуса выполнено в виде тpех кольцевых камеp, охватывающих сходящую с баpабана ветвь кабеля, две из котоpых соединены с...

Номер патента: 803744

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Айзенштат, Игнатьев, Липин

МПК: H01L 21/338

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий создание омических контактов, формирование маски для получения рисунка затвора из двух защитных пленок, нанесение материала затвора, удален с защитных пленок и выделение активной области прибора, отличающийся тем, что, с целью получения приборов с затворами субмикронной длины и субмикронным расстоянием между катодом (анодом) и затвором без использования специального оборудования, предварительно создают на поверхности эпитаксиального слоя субмикронный контактный слой, затем наносят первую защитную пленку, проводят фотолитографию и последовательно стравливают незащищенные фоторезистором участки защитной пленки и слоя материала, предназначенного для создания омических контактов, не...

Номер патента: 807915

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Айзенштат, Игнатьев, Ковязина, Липин

МПК: H01L 21/72

Метки: полупроводниковых, приборов, создания

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование областей истока и стока, нанесение контактного слоя, создание активной области и формирование с помощью фотолитографии затвора, отличающийся тем, что, с целью получения полупроводниковых приборов с субмикронными длинами канала и затвора путем увеличения его поперечного сечения, формирование затвора осуществляют путем нанесения на контактный слой первого защитного материала, травления окон в нем, нанесения второго защитного материала на слой фоторезиста с находящимся на нем материалом второго защитного слоя, вытравливания контактного слоя с одновременным подтравливанием его под края защитного слоя, нанесения фоторезиста под края защитных слоев, осаждения барьерообразующего...

Номер патента: 1811330

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Паутов, Самсоненко, Сигачев, Сорокин

МПК: H01L 21/335

Метки: полупроводниковых, приборов

...(на 0,1 мкм) позволяет получитьразмер затвора 0,24-0,27 мкм, Кроме того.при меньшей толщине электронного резиста ( 0,35 мкм) в канале облегчается контроль появления рисунка. При толщине слояреэиста 0,4 - 0,5 мкм дно проявленной канавки малого размера0,3 мкм) практически4 Я1не просматривается (используют микроскоп1 еа, увелич. 5000),После вплавления контактов создаютфоторезистивную маску (используют ФП 383) со вскрытым рисункомлокальных областей -пластины, граничащих с каналомтранзистора. Это области выхода затворнойметаллизации за пределы канала (см, фиг.1).Устранение. электропроводности на этихучастках полупроводникового слоя необходимо для снижения токов утечки затвор-омические контакты. Изоляцию осуществляютимплантаиией ионов...

Номер патента: 1777517

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Гришмановский, Козлова, Лебедева, Плаксенков

МПК: H01L 21/48

Метки: выводных, заготовок, полупроводниковых, приборов, профильных, рамок

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРОФИЛЬНЫХ ЗАГОТОВОК ВЫВОДНЫХ РАМОК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий соединение ленточных материалов выводов и теплоотвода, резку и штамповку, отличающийся тем, что, с целью экономии материалов и снижения трудоемкости, на ленточном материале выводов размещают одну или несколько полос ленточного материала теплоотвода и прокладку, предотвращающую сварку, наматывают полученную слоистую структуру на оправку, выполненную из жаропрочного материала с высоким температурным коэффициентом линейного расширения, на сформированный рулон наматывают металлическую ленту из материала с низким температурным коэффициентом линейного расширения и нагревают рулон с оправкой в защитной среде до температуры, равной 0,8 величины,...

Номер патента: 1750407

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, подстройки, приборов, центральной, частоты

1. СПОСОБ ПОДСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ ПРИБОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение центральной частоты прибора, сравнение ее с заданной, при несовпадении которых осуществляют обработку поверхности прибора в ВЧ-плазме нейтрального газа, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных за счет увеличения точности подстройки центральной частоты прибора, управление величиной подстройки центральной частоты осуществляют путем изменения плотности ВЧ-мощности в плазме, при этом обработку прибора в ВЧ-плазме осуществляют в течение 15 - 20 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при проведении обработки прибора в плазме аргона требуемую плотность ВЧ-мощности в плазме определяют, исходя из...

Номер патента: 693903

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Вето, Левин, Марков, Пресс, Скрылев

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, основе, приборов, регистр, связью, сдвиговый

СДВИГОВЫЙ РЕГИСТР НА ОСНОВЕ ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащий полупроводниковую подложку, диэлектрик, три изолированные поликремниевые системы электродов с замыкающими шинами, выполненными в виде трехслойных гребенок, вложенных одна в другую, отличающийся тем, что, с целью обеспечения передачи информационного заряда одновременно в продольном и поперечном направлениях, регистр содержит два разрешающих затвора, расположенных параллельно замыкающим шинам систем электродов, причем замыкающие шины двух систем электродов расположены на противоположных сторонах сдвигового регистра, а замыкающая шина системы электродов, расположенной в верхнем слое, размещена между замыкающими шинами первых двух систем электродов.

Номер патента: 743502

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Докучаев, Кузнецов, Пресс

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, матрица, приборов, связью, фоточувствительная

ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ МАТРИЦА ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащая подложку, фоточувствительные элементы, p-n-переходы с контактными площадками, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения части площади фоточувствительной матрицы, не участвующей в формировании изображения, контактные площадки размещены на неосвещаемой стороне подложки, а p-n-переходы под ними выполнены V-образной формы.

Номер патента: 1190829

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Ивлев, Королева, Палицын, Серегина

МПК: H01J 1/24

Метки: катодно-подогревательный, приборов, узел, электронных

КАТОДНО-ПОДОГРЕВАТЕЛЬНЫЙ УЗЕЛ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ, содержащий керн из молибдена или его сплава, на котором через изолирующую прокладку, содержащую окись алюминия и окись иттрия, закреплен подогреватель, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и долговечности узла, изоляционная прокладка дополнительно содержит окись циркония при следующем соотношении компонентов, мас.%:Al2O3 52 - 59ZrO2 5 - 17V2O3 31 - 37

Номер патента: 1777502

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Моос, Пожарская, Славнова, Тебелева

МПК: H01J 1/30

Метки: газоразрядных, катод, приборов, холодный

ХОЛОДНЫЙ КАТОД ДЛЯ ГАЗОРАЗРЯДНЫХ ПРИБОРОВ, содержащий металлическую подложку с эмиссионным покрытием, отличающийся тем, что, с целью повышения эрозионной стойкости и стабилизации эмиссии по поверхности катода, эмиссионное покрытие выполнено трехслойным, причем первый к подложке слой выполнен толщиной 0,1 - 0,3 мкм из металла, взятого из группы металлов - магний, барий, кальций, второй слой выполнен толщиной 0,5 - 0,8 мкм из эвтектической смеси одного из соединений Mg2Sn, BanSn, CanSn, где n = 1,2 с оловом, а третий слой - из олова толщиной 0,05 - 0,1 мкм.

Номер патента: 1251749

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Алексахин, Бодунова, Маркман, Панин

МПК: H01L 21/02

Метки: выводами, объемными, полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ОБЪЕМНЫМИ ВЫВОДАМИ, включающий нанесение на планарную поверхность полупроводниковых пластин с p - n-переходами защитного диэлектрического слоя, выращивание объемных выводов, резку пластин на кристаллы и монтаж, отличающийся тем, что, с целью повышения качества монтажа приборов и их надежности, после выращивания выводов в качестве защитного диэлектрического слоя наносят полимерный лак, толщина которого находится в пределах от 8 мкм до 2/3 высоты объемных выводов, а оптимальная толщина слоя равна высоте медного основания объемного вывода, а затем режут пластины на кристаллы.

Номер патента: 1311547

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Вето, Крымко, Кузнецов, Марков, Шилин

МПК: H01L 27/04

Метки: зарядовой, основе, приборов, регистр, связью, сдвиговый

СДВИГОВЫЙ РЕГИСТР НА ОСНОВЕ ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащий канал переноса, расположенный в плоскости полупроводниковой подложки, стоп-каналы противоположного типа проводимости каналу переноса и фазовые электроды, выполненные в виде диффузионных областей, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции сдвигового регистра и упрощения управления им, фазовые электроды имеют тот же тип проводимости, что и канал переноса, расположены в одной плоскости с каналом переноса и электрически объединены между собой, при этом канал переноса отделен от фазовых электродов и от поверхности полупроводниковой подложки стоп-каналами, размер канала переноса в направлении, перпендикулярном направлению переноса заряда, является периодически...