Дороднев
Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов
Номер патента: 1618211
Опубликовано: 10.06.2000
Авторы: Асина, Бромберг, Дороднев, Зумберов, Кузьмин, Ныгес, Сурма, Шмелев
МПК: H01L 21/26
Метки: полупроводниковых, приборов, силовых
Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий облучение полупроводниковых структур через защитные маски дефектообразующим излучением до максимальной концентрации дефектов в базовой области 1011-1013 см-3, отличающийся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик приборов, облучение проводят электронами -распада от изотопного источника Sr90.