Такибаев

Номер патента: 1589863

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Герасименко, Грищенко, Такибаев

МПК: G21H 5/00

Метки: p-nпереходы, воздействия, космических, лучей, моделирования, полупроводниковых, приборов, тяжелых, ядер

Способ моделирования воздействия тяжелых ядер космических лучей на p-n-переходы полупроводниковых приборов, включающий бомбардировку ускоренными заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью получения возможности изучения воздействия единичных тяжелых ядер космических лучей в земных условиях и сокращения времени эксперимента, полупроводниковые приборы с p-n-переходами облучают осколками деления, возникающими при облучении нейтронами делящегося вещества, например урана-235, дозой 103 - 105 см-2 по осколкам деления.

Номер патента: 1640799

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Жарикова, Коптев, Такибаев

МПК: H02K 31/00

Метки: униполярная

...электростатическое возбуждение магнитного поля, Принцип такого возбуждения со. стоит в том, что магнитное поле машинысоздается электрическим зарядом вращающегося ротора, а сами заряды наводятся нароторе за счет электростатической индукции между ротором и расположенной вблизи металлической пластиной, заряжаемойот внешнего источника тока,На фиг. 1 приведен вариант дисковойуниполярной машины с электростатическимвозбуждением; на фиг. 2 - узел на фиг. 1,Униполярная электрическая машина(генератор) подключена к источнику 1 токаи содержит электропроводные пластины 2,установленные на поверхности ротора 3, истатор 4. Подвижные контакты 5 и 6 подключены к нагрузке 7. Диэлектрик 8 изолируетпластины 2 от других частей.Машина работает...

Номер патента: 342541

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Абдуллин, Голованов, Руденко, Такибаев, Шанин

МПК: H01J 9/04

Метки: 342541

...Вольтамперные характеристики диода снимались до облучения его гамма-квантами.Доза облучения составила 10 р. Во время облучения напряжение на диод не подавалось, После облучения и выдержки диода в рабочем режиме токоотбора в течение 1 часдо стабилизации анодного тока снималисьвольтамперные характеристики диода и сравнивались со своими аналогами, снятыми до5 облучения диода гамма-квантами.Результаты испытаний показывают, что вовсех случаях вольтамперные характеристикидиода, снятые после облучения, имеют болеевысокие значения, чем исходные, т, е. снятые10 до облучения,При облучении гамма-квантами их энергияпоглощается катодом лампы. При дозе облучения 10 р величина поглощенной энергии составляет 12 - 14 рад. Этой энергии вполне до 15...