Глудкин

Номер патента: 1512176

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Глудкин, Гуров, Иванов, Лисин, Фурсова

МПК: C23C 14/54

Метки: испарения, электронно-лучевого

1. Устройство для электронно-лучевого испарения, преимущественно при обработке подложек большой площади, содержащий электронно-лучевую пушку, высоковольтный источник постоянного напряжения, электрически соединенный с катодом электронно-лучевой пушки, регулятор режима испарения в виде транзисторного ключевого элемента, электрически соединенного через блок сравнения с волноводными датчиками режима, электрически соединительными с СВЧ-генератором, катушки отклонения и развертки электронного луча, отличающееся тем, что, с целью повышения точности поддержания скорости испарения, регулятор режима испарения снабжен генератором пилообразного напряжения, источником постоянного отклонения,...

Номер патента: 1727040

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Архипова, Глудкин, Гуров, Конюхова, Назаренко

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезии, диэлектрической, металлических, пленок, подложке, тонких

...техническому рЕшению является способ контроля адгезии тонких металлических пленок к диэлектрическому основанию, заключающийся в том, что пленку,1727040 35 40 45 50 Составитель И.КонюховаТехред М.Моргентал Корректор Н.Ревская Редактор В,Трубченко Заказ 1275 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 нанесенную на диэлектрическое основание,помещают в электромагнитное поле сверхвысокой частоты, увеличивают мощностьполя и определяют адгезию по уровню мощности поля в момент отслаивания пленки. 5Недостатком прототипа является то, чтоданным способом возможно контролировать...

Номер патента: 1689893

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Глудкин, Опадчий, Трифонов

МПК: G01R 33/032

Метки: «и—или», импульсных, магнитной, полей, составляющей, электрической, электромагнитных

...угла результирующего поворота плоскости поляризации, пропорциональногонапряженности измеряемого поля. Если угол25 поворота не превышает л/10, вторую составляющую можно считать пропорциональной произведению полной оптическоймощности, прошедшей через устройство, нанапряженность измеряемого поля. Таким30 образом, низкочастотные флуктуации полной оптической мощности являются источником мультипликативнай и аддитивнойпомехи одновременно, спектр которой сосредоточен в полосе частот 0 Гц - 100 кГц,.35 Сигналы на выходах фотоприемников 4 и5 О 1 и О 2 соответственно также имеют двесоставляющие: первая - синфазная и пропорциональна полной оптической мощности, авторая - парафазная и пропооциональна40 произведению полной оптической мощности на...

Номер патента: 1613981

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Глудкин, Опадчий, Трифонов

МПК: G01R 33/032

Метки: импульсного, магнитного, напряженности, полей, электрического

...конкретного экземпляра лавинного фотоприемника с тем, чтобы обеспечитьодинаковый коэффициент преобразованияразличных фотоприемников. Выходы четвертого и пятого суммирующих блоков17 и 18 присоединены ко входам управления коэффициентом преобразования (питания) лавинных фотоприемниковков 4 и 5,Устройство работает следующим образом,Если двулучепреломпяющий анализатор 3 повернут таким образом, чтов отсутствии измеряемого поля плоскость поляризации падающего светарасположена симметрично относительноплоскостей ортогонально поляризованных компонент прошедшего через негосвета и на оптический активный элемент 2 воздействует импульс электрического (магнитного) поля, .то интенсивности ортогонально поляризованныхкомпонент света, прошедшего...

Номер патента: 1552140

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Алмазов, Веселков, Глудкин, Опадчий, Трифонов

МПК: G01R 33/032

Метки: импульсного, магнитного, напряженности, оптического, поля, электрического

...оптической мощности на синус угла р, результирующего поворота плоскости поляризации, пропорционального напряженности измеряемого полл. Если угол поворотане превышает Т/10, вторую состав Р К П- К(Й, + Ц 2 Ц ++ Пэт (3) где 0 , - эталонное напряжение, К=КВ 1 - коэФфициент передачи операции вычитания,К,и В- сопротивление резистороров 7 и 9.При малых флуктуациях оР световой мощности около ее среднего значения Р (Р = Р, + ЙР, ДР сР ) соответствующим образом согласно (2)флуктуирует сигнал на выходе сумматора 6 ГБ= 0+ дП, сШ(0 ). Если Ц = 11, то согласно (2) и (3) йа выходе ОУ 8 имеет место П =Ц, -Кй 11,т,е. Флуктуации световой мощностивызывают противофаэные Флуктуациинапряжения 11, питающего Фотоприемники 4 и 5. С учетом вида...

Номер патента: 1492324

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Веселков, Гермацкая, Глудкин, Трифонов

МПК: G01R 33/032

Метки: импульсных, магнитной, полей, составляющей, электрической, электромагнитных

...низкочастотных шумовых составляющих, Однако из-эа погрешности суммирования в широкой полосе частот (О Гц - 100 ИГц) часть парафазного широкополосного сигнала остается не скомпенсированной и адцитивные шумовые составляющие на выходе блока 9 искажены. Это приводит к возникновению нелинейных искажений информациои. ного сигнала, выделяемого на выходе аналогового, делителя О, причем искажения тем больше, чем шире диапазон измерений устройства:(2) пряженность измеряемого поля. Таким образом, низкочастотные флуктуации полной оптической мощности являются источником мультипликативной и аддитивнсй помехи, спектр которой сосредоточен в полосе частот 0 Гц - 100 кГц.Сигналы на выхоцах фотоприемников 4 и 5 также имен)т по две составляю1492324...

Номер патента: 1476367

Опубликовано: 30.04.1989

Авторы: Глудкин, Капитонов, Опадчий

МПК: G01N 27/22

Метки: влагомер

...передачи по наИТУН 1. Амплитудное значение этого напряжения выделяется пиковым детектором 13 через фильтр 14 низкой частоты, изменяет коэффициент передачи управляемого делителя 12. Увеличение амплитуды сигнала на выходе пикового детектора 3 приводит к уменьшению коэффициента передачи управляемого делителя 12 и соответствующему уменьшению глубины частотной модуляции перестраиваемого генератора 8 и наоборот, Так как амплитуда выходного напряжения ИТУН 1 однозначно связана с крутизной фазовой характеристики цепи ИТУН 1 и 2, то изменение глубины частотной модуляции перестраиваемого генератора 8 гарантирует во всех режимах работы нахождение частоты колебаний на выходе смесителя 6 на линейном участке упомянутой фазовой...

Номер патента: 1372613

Опубликовано: 07.02.1988

Авторы: Воробьев, Глудкин, Морозов

МПК: H03K 17/945

Метки: переключатель, сенсорный

...низкого уровня напряжения тактового импульса малая емкость монтажа сенсорной площадки 4 50 успевает разрядиться прежде, чем и-р-и- и р-и-р-транзисторы 5 и 6 соответственно откроются.Таким образом, уровень напряжения 55 логической "1" с информационного входа 0-триггера 7 по положительному фронту тактового импульса, поступающего на вход синхронизации 0-триггера 7, передается на его выход и поддерживается на нем при отсутствии касания оператором сенсорной площадки 4.При касании сенсорной площадки 4 к базе и-р-п-транзистора 5 дополнительно подключается емкость тела оператора 30-50 пф) относительно общей шины сенсорного переключателя, увеличивается постоянная времени цепи разряда, образованной суммарной емкостью монтажа и тела оператора и...

Номер патента: 1071610

Опубликовано: 07.02.1984

Авторы: Глудкин, Гогия, Корзо, Коротков, Мгебришвили

МПК: C04B 37/00

Метки: керамических, однородных, пористых, соединения

...реакция разложениябудет осуществляться только на поверхности.металла, но не на поверх. ности керамики С другой стороны, процесс осаждения металла на тот же металл всегда происходит при более низкой температуре, чем при нанесении металла на диэлектрик, из которого выполнена керамикаПоэтому уда ется реализовать режим селективного осаждения соединяемого металла только на металлизированных участках керамики.Выбор типа исходных реагентов и указанных режимов обусловлен тем, что металлы хром и никель обладают высокой адгезией, коррозионной стойкостью и механической прочностью поэтому их удобно использовать в качестве соединяющего демпфирующего слоя нри стыковке различных материалов. С другой стороны, бисареновые соединения этих металлов...

Номер патента: 679949

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Глудкин, Густов, Обичкин, Черняев

МПК: G05D 7/00

Метки: конденсации, пленок, скорости, тонких

...может быть выполнена так, как показано на фиг. 2, из отдельных гибких пластин, соединенных между собой, При растягивании пластины отходят друг от друга,-а при 1 О снятии нагрузки вновь соединяются, закрывая освободившиеся отверстия,устройство работает следующим образом.Программный блок 11,постепенно повышая взводное напряжение токового транаформатора, устанавливает его на уровне, котор;.1 й должен соответствовать мощности испарения н скорости испарения, которые близки к 29 заданным. После этого программный блок дает команду на смещение шага решетки 10 через усилитель-преобразователь 7 и привод 8 и включает схему автоматического регулирования. д Испаряемый материал поступает на подложку 2 н датчик скорости конденсации 3, сигнал с...

Номер патента: 657587

Опубликовано: 15.04.1979

Авторы: Геворкян, Глудкин, Колоколов, Кравчук, Макиенков, Обичкин, Сидоров, Смогилев, Черняев

МПК: H03F 3/60

Метки: сверхвысокочастотный, транзисторный, усилитель

...5 )587Входной сигнал поступает на базу тгрпстики усилителя во всем диапазоне транзистора 2 через конденсатор 8 и достигается подбором величины С связи, отрезок 1 микрополосковой линии с сог- определяемой расстоянием между связанласующим разомкнутым шлейфом 4, обес ными отрезками 6, 7 и обеспечивающей печивающим согласование по мощности 5 требуемое изменение модуля коэффициента во входной цепи, Питание базы осущест- передачи в цепи обратной связи с подбовляется Через четвертьволновой отрезок ром места включения разделительного 10 микрополосковой линии, который замк. конденсатора 5, при котором обеспечиваетнут на конце на высокой частоте конден- ся необходимая фаза коэффициента передачи сатором 1 1 так, что вход транзистора 2 ;6 в пепи...