Способ автоматического управления процессом наращивания кристаллов в вакуум-аппарате

Номер патента: 1201307

Авторы: Кушков, Трегуб

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН ЫФ С 138 1/06 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНАВТОРСИОМЪ СВИДЕТЕЛЬСТВУ/ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(71) Киевский ордена Трудового Красного Знамени технологический институт пищевой промышленности (72) В, Н, Кущков и В. Г. Трегуб (53) 6641954(088 8)(56) Авторское свидетельство СССР В 179690, кл. С 13 О 1 Об, 1966, (54)(57) СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ НАРАЩИВАНИЯ , КРИСТАЛЛОВ В ВАКУУМ-АППАРАТЕ, предусматривающий регулирование пересыщения межкристального раствора путем 801201307, А его измерения, сравнения с заданнымзначением и воздействия на подкачкусиропа или патоки, отбор пробы иэаппарата в циркуляционный контур,ее охлаждение на постоянную величину и определение появления кристаллической муки в пробе, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с цельюускорения процесса кристаллизациии повышения точности управления,заданное значение пересыщения межкристального раствора устанавливаютв зависимости от пересыщения раствора и содержания кристаллическоймуки в пробе,1201307 Составитель Г. БогачеваРедактор М. Недолуженко Техред М.Пароцай Корректор И, Эрдейи Заказ 7961/23 Тираж 363 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к сахарнойпромышленности, в частности к управлению вакуум-аппаратами,Целью изобретения является ускорение процесса кристаллизации иповышение точности управления засчет уменьшения отклонения колебаний пересыщения раствора от предельных значений в процессе наращивания:кристаллов,Предлагаемый способ автоматического управления процессом наращива.ния кристаллов в .вакуум-аппаратепредусматривает регулирование нересыщения межкристапьного раствора путем его измерения, сравнения с заданным значением и воздействия на подкачку сиропа или патоки, отбор пробы из аппарата в циркуляционный контур, ее охлаждение на постоянную величину и определение появления кристаллической.муки на выходе контура.При этом заданное значение пересыщения межкристального раствора устанавливают в зависимости от пересыценияраствора и содержания кристаллической муки в пробе.На чертеже показана система управления, реализукицая данный способ.Система состоит иэ вакуум-аппара"та 1, датчика 2, измеряющего пересыщение регулятора 3, циркуляционного контура 4 с индикатором наличия кристаллической муки, задатчика 5, регулирующего органа 6.Управление процессом наращиваниякристаллов осуществляют следукицим об"разом, После заводки кристаллов ваппарате (например используя циркуляционный контур ), измеряют пересыщение раствора датчиком 2 и полученный сигнал подают на регулятор 3 ина задатчик 5, выходной сигнал которого устанавливается равным входномуНезначительную часть раствора (пробы)из аппарата отбирают в циркуляционный контур 4, охлаждают на постоянную величину и анализируют на содержание кристаллической муки. Сигнал с 10 выхода контура 4 (в виде 0 или 1)подается на вход задатчика 5. Прнотсутствии муки на выходе контуразадатчик 5 формирует сигнал на плавное повышение пересыщения раствора.15 При этом регулятор 3 воздействует1на регулирующий орган 6, уменьшаярасход сиропа и патокив аппарат.Появление муки на выходе циркуляцион.ного контура свидетельствует о приб лижении пересыщения раствора в аппарате к границе метастабильности, Этоприводит к переключению задатчика 5на плавное убывание выходного сигнала. С целью уменьшения погрешности 25 регулирования в моменты переключенийзадатчика 5 его выходной сигнал устанавливают равным сигналу от датчика 2, соответствующему текущему значению пересыщения.30 Таким образом, наращивание кристаллов в вакуум-аппарате производится в режиме подцержания пересыщения межкристального раствора у границы метастабильности, благодаря чему ускоряется процесс кристаллизации сахара и исключается выпадение кристаллической муки. Применение данного способа позволяет сократить время кристаллизации на 7-103,

Смотреть

Заявка

3771075, 10.07.1984

КИЕВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ПИЩЕВОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ

КУШКОВ ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ, ТРЕГУБ ВИКТОР ГРИГОРЬЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: C13G 1/06

Метки: вакуум-аппарате, кристаллов, наращивания, процессом

Опубликовано: 30.12.1985

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1201307-sposob-avtomaticheskogo-upravleniya-processom-narashhivaniya-kristallov-v-vakuum-apparate.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ автоматического управления процессом наращивания кристаллов в вакуум-аппарате</a>

Похожие патенты