Устройство для расслоения кристаллов слюды

Номер патента: 79929

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Сизов

МПК: B23K 13/00, H05B 6/10

Метки: вставок, кристаллов, пластин, приварки

...к месту сварки. Устройство предлагается выполнить в виде поворотной револьверной головки со смен ,е 1 ыми колодками и пуансое 1 ом) а такгже колодки с огверстнями в ней для подачи газов.На фиг. 1 и 2 чертежа описываемое устройство изображено в двух проекциях (с разрезом).Здесь: 1 - обрабатываемое изделие; 2 - наносимый сплав, в данном случае в форме плоской пластинки; 3 - колодка, пз электроизолирующего материала (напри мер, плавленого кварца, керамики31 Своп. Выпуск , и 1, 1950 г. и т. д.), снабженная отверстиями для подачи защитных газов; 4 - виток-индуктор; б - пуансон, передающий давление прижимной пружиной б на привариваемую пластин ку 2; 7 - отверстие в пуансоне для подачи защитного газа в зону сварки.Форма рабочей поверхности...

Номер патента: 1827696

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Байкулов, Беккер, Волкова, Приходько, Шлыков

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разделения

...Здесь создается поле однородных напряжений сжатия, определяющеежелательное направление распространения микротрещин. Величина нагрузки Рподбирается экспериментально для данно 55 го алмаза скрайбера, т, к. зависит от глубины надреза пластин и шириныскрайбирования дорожки,Нагретая до температуры Т 1 нижняяплита находится о непосредственном тепловом контакте со скрайбированной повер 5 10 15 20 25 На фиг. 3 представлено схематическое расположение векторов внешнего механического напряжения о и термомеханического напряжения о), а также показано направление градиента температурного поля, где Т 2Т 1. Как видно из фиг. 3 градиент температурного поля направлен параллельно внешним механическим напряжениял ае, а разделяющие пластину...

Номер патента: 1619359

Опубликовано: 07.01.1991

Автор: Абраров

МПК: H01L 23/04

Метки: кристаллы, ориентированного, пластины, полупроводниковой, разделения

...материала.Плотность силы разламывания пластинОна кристаллы в ячейке в первом случаеопределяют из выражения(4) Поскольку наиболее ответственным участком при разделении пластины является ячейка с зазором (Е + д) и именно параметры этой ячейки обуслов- ливают процесс беспрепятственного разламь,вания пластины на кристаллы, то необходимую напряженность электрического поля и плотность силы раэламывания определяют из выражений (2) и (4).При этом толщинаи диэлектрическая проницаемость Е пленочного материала известны. Например, для материала полиэтилентерефталат ПЭТФ толщина пленок составляет 10-12 мкм, Я = = 3, 1, для фторлона ФБА 10 мкм, Е = = 8,6. Задаваясь, например, напряжением питания устройства в 1,6 кВ, определяют необходимую...

Номер патента: 545020

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Аверченко, Зобенс, Ковалевский, Харламова

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, пластины, полупроводниковой, разделения

...проводят скрайбирование, образуются на пластине путем проведения дополнительной операции: между разделяемыми кристаллами по всей их длине в двух взаимно перпендикулярных и 545020.Оставн 1 сл Н, ОстровскаТсхрсд А. К 11 мкниннкова лактор Е. Караулова ррсктор А. Николаева Пол 1 гнсноГССР Заказ 209,Изд 1 о 166 Тираж 1019 Гол дарственного комитета Совета .Л 1 иннстро по лелагв изобретений н открытий 13035, Москва, )К1 аушскан наб., л. 4 51 ИПИ 11 н 1 ографив, ир. Сапунов положенную между линией разделения, например, риской, наносимой инструментом при скрайбировании, и той частью кристалла, в которой создан полупроводниковый прибор. Такими локальными областями в приповерхностном слое являются границы различных фаз и места концентрации...

Номер патента: 1744737

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Иващук, Сухина, Титенко

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, монокристаллических, пластин, разделения

...последующее разламывание пластины до ее разделения на отдельные кристаллы, создание зон концен.5 10 15 2025 30 35 40 45 50 55 трации механических напряжений осуществляют путем нанесения микроуколов индентором до образования смыкающихся междусобой микротрещин.Кроме тогоперед нанесением микроуколов индентором на лицевой и тыльнойсторонах пластины формируют ограничительные зоны, расположенные параллельноплотно упакованным кристаллографическим направлениям.После нанесения микроуколов индентором пластину кратковременно охлаждают вжидком азоте,Как известно, плотно упакованные кристаллографические направления в полупроводниковом монокристаллическомматериале совпадают с направлениями плоскостей скольжения и скалывания материала, При локальном...