Способ контроля качества сегнетоэлектрических кристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
429 275 ) ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ цщ ЕН ИСАНИЕ В 336)с 24-255.83вовский орденуниверситетА. Романюк и26.33 (088.8)к В. М. Эффизических н9 595 6.0 7.0 21 1 И 10 а Ленина 1 м. Иваа ). А. Ваце х дар )анкс,1( .1 р истве ио дл ител Иост лсктромагнито ири исрспоИ И1но оляриКргс)х кт Барка чк 1970 зена. - т 101 нсив опп ИЗ,Х З,)ЦИИхдят о к дев И. С.ктрическо о наблюд Криста 11 зуцение поляри И 51 М Зг рафия Н. А., Желуроцессов зле овой солитракт)рой. 3, 403 - 408 сс - ЮО УПЬСОР 4 Ю(56) Рудя Успехи ф с. 429 - 45 Романю медленных зации сег доменной 1960, с. 5, СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН ком свидетельств ОСОБ К 011 Т Л 1:КТР 11 ЧЕ ( очак)иии.якрист;1 лл) О К ЕО ИЕРС ех 1, цто, с цег 0,151, рс. .1. Г) остс 1)оствеп ни 51, возник ио которым;3 ф 1 Г. 2 И 70,)ЛЗВЛСНЫ 3:3)ИСИ 3)С).ТРОМс 1 Г ИТ НОГО 31331 Не И Я и Р 3 СТЗЛ;ОГ 5 )Р ИИЬ)ИС)Т 31 фс)1 с 1 И СС)НЛОБОИ С 0,1 И, 3503 ИКЗК1.ССГО И 7) НЗГ)ОЖЕ 3 )Г)СКТ)ИЧССКО(О ИОЛ)3Г, )1 с 1)с)51Г) ННОГО 130(15 Р)ОИ ОС 1 К)ИСГ 3(1(015.с,7,37. Об )с) 3 С)3, СеС)ОЗГ СК)р И 1 СС Кя И К)ИСтс 3 ЛГ) Тр ИГГ И) СЛ Ь)ТЗ, И )1 СС Т фо 7)1 М Ксбс 3 СО С 1 0701)ОИ б )1(1.ЗИЫЛС НИОХ) и 30 52 1) Х 3)е И 3 10 С.51 Т СС)СО р 5313)С ЭГСКТ 703(Ь, Об.ра 3(.11 110 е)1(3 Н)Т 13 С 3 Л ОИС рОИИ(1 с)С 110 1. О 15(.ТИ(Х),)Л 51, и,")И КЗ ЗГСК ГРОХ 3 с 3 1- НТ:)ЬХ 50,3.Р) 1;1,ОЖСНии ИОС Г 05)ННОГО 3 С К ) )иСОК) с) 30,15. К:, С КТГ)0 . 5 )С.(21 Ь"3 1 5 )С СИ . 0 1(И 01 СТ 7 3:Г) Р Ы 5)3- Н : К З (Т И 3,3(31( ,3 С и 1 ) с 3 И 3 ) : ) В О, 113, и 0 . Торос ре 3 С Ги;) )О С;Х, ) Л ЬсЛОГ: С 3)СЛС Х) ИОСТОЯ)31030 ТОКК З 32 С 1:5 с 1) ИС)1 вс 10 си) изл сзмои):спс м.О х(рктс)м кривых (;)(Г 0 ГО)(с 1 СМ,15 Т 0 КИИ С 11 КС .О 1(310:5, 0)РС.(СГ) Я 10) И с 3 Ч 3 Г) 0 И Х, (15 И Ж (.1 15) О СГ С И 0 1, 1(,- ЖИИ 51 1105151, О 1(.Н) Ь) 13)СКРЗ 1)С 3 ИБ ИХ,1 ВИ; С Н И 51,1 Г 2 К Ж С;5 с 33 И С И ОС Т 11 З 3 с Н Н Ы:. Х с 1 - );Ктс С- И( О:51 С 131 ИХ Зк - (Ро(31) - 5 ) С:)С 72) М)Ы, .СИ(.Т)3 И 51 РсЛс 11 И 11,(0, ) .12 12.1 И 0 51 В Л С Н Р 1 51 С И 13 (1 Г 0 и О (Р ЕЛ С Л 5) Ют 3 Н а - ЧС 1;С 73)С)етрИС С КО 0 30,353, 3 рИ КОТС)рОМ Ис ИИс)С)(.51 31 РО)1 ССС ИСООРс 1 ТИ МОИ 105153 Г)И 323(ИИ КР).Л 2 ЛГ 1 с) 130,3(ЕИСГВИСМ 1 НС 3) ИСО ИО,1, ИРИ)ОЖСИ)ОГО К;С".Л 53)ИЗОВЗ)3)ОХ)У 0РЗ.5 . С)КО) Ч с) БИС )ОСТ 2 СИ 1 с 510 В С РОСТО 3 3 0,15 .(1 С 1 )303310 Ж 1 ОСТЬ 373 КС 1 РО)52) Ь ТО ЗНС с в)В)инсго Ноля, при котором иоляр)32- (и 5 и 7:стз;3 л (,тост и Г и(."Г3 3 с ь 1 и(с н и 51 .3)СРЫ КР 1 СТЗ;1 Г 1 с) ИС н )И 5 ОТ НЗ ОЛИ. ЖС )ИС 1(С 13;)имеие;)ие црел.:агземого С)осог)а;10;5150- ,", 51 С Г:1( В ) С 3 Т 3 Р З 3 Р (. И ) 3 Ю 1 ) )О С 1) 0 С 0 0 Н 0(. Т Ь .5 с) .)С В)1 СВСЧи 2 ИИ 51,)ОКс)51 Ы 1 ЫХ И(.ИТ 705, 110- 31 СИТЬ ИНфОРМЗТИ(5 НОСТЬ 0 ИРОЦСССЗХ ИОГ 151- Р).3 си) .(0)С)1035 Зс С)С.Т ИЗ 1 СИИ 51 СИСКТР 1 Л ЬИО 0 СОСТЗ (52 :53 )с)С 1)Х С ИГ)3 ЗГ 035, ИССГ 1 С,101)с 1 ТЬ И 701 С СС Ы НОГ(ри 3211 И В Об 7231(сХ С ОИТИЧ(СКИ Не 723;1 И И МЫ И ДОе)12 7 И, И РОС- летит), иросссы иоляр 3 аиии при Бзложс) И И ООГЬН 1 И Х И ОСТО Б)111 Х З.)СКТ,7 ) ЧССК И.
СмотретьЗаявка
3595336, 26.05.1983
ЛЬВОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. ИВАНА ФРАНКО
РОМАНЮК НИКОЛАЙ АЛЕКСЕЕВИЧ, ВАЦЕБА МИРОЛЮБ АНТОНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 27/72
Метки: качества, кристаллов, сегнетоэлектрических
Опубликовано: 07.01.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1203429-sposob-kontrolya-kachestva-segnetoehlektricheskikh-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля качества сегнетоэлектрических кристаллов</a>
Предыдущий патент: Электрохимический датчик кислорода
Следующий патент: Способ газохроматографического разделения смеси парафиновых углеводородов
Случайный патент: Червячная передача