Способ определения добротности кристаллов искусственного кварца
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1157412
Авторы: Дубовский, Романов, Семенов, Фотченков, Шапошников
Текст
.СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 21/00 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н АВТОРСКОМУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(71) Всесоюзный научно-исследовательский институт синтеза минераль ного сырья(54) (57) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДОБРОТНОСТИ КРИСТАЛЛОВ ИСКУССТВЕННОГОКВАРЦА, включающий измерение поглощения кристаллом ИК-излучения и определение добротности кристалла по результатам измерений, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения точности определения, измеряютвлощадь диффузной полосы поглощениякристалла с максимумом в области3400 см " .Составитель Г.КоломейцевРедактор А,1 Пишкина Техред М.Гергель Корректор А.Обручар Заказ 3359/41 Тираж 879ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035,Москва,Ж,Раушская наб.,д.4/5 Подписное Филиал ППП "Патент",г.Ужгород, ул.Проектная,4 1 11574Изобретение относится к способамопределения качества кристаллов кварца и может быть использовано дляконтроля кристаллов кварца в радиотехнической и электронной промышленностиеИзвестен способ оценки величиныдобротности В кристаллов кварца,включающий измерение поглощения ИКизлучения и определение добротности Окристалла по результатам измеренийИ.Недостатком способа являетсябольшой разброс получаемых значенийдобротности во всем измеряемом диапа.15зоне параметров.Наиболее близким техническим решением к изобретению является способопределения добротности Й кристалловискусственного кварца, включающий рризмерение поглощения кристалломИК-излучения и определение добротности по результатам измерений Я .Недостатком известного способаявляется низкая точность определения р 5добротности кристалловЦель изобретения - повышение точности определения добротности кристал.лов искусственного кварца,Поставленная цель достигается темчто согласно способу определениядобротности кристаллов искусственного кварца, включающему измерениепоглощения кристаллом ИК-излучения и определение добротности крис 35талла по результатам измерений,измеряют площадь диффузной полосыпоглощения кристалла с Максимумомв области 3400 см.Независящий от температуры уровеньакустических потеоь Й определяется 12 2только концентрацией неструктурных включений, содержащих гидроксильные группы и алюмосиликаты, В отличие от других методов в предлагаемом способе проведена наиболее точная оценка концентрации гидроксильных групп в составе неструктурных включений по площади диффузной полосы с максимумом на частоте 3400 см . Прн определении площади данной полосы необходимо на спектре выделить обертон 3300 см . Уровень поглощения,от которого отсчитывается величина диф. фузной полосы, определяется уровнем поглощения в районе 3000-3100 см-1 если седловая точка в области 3250 см 1 находится выше этого уровня, и проходит через седловую точку у 3250 см , если онанаходится на одном уровне нли ниже уровня-Ф поглощения в. районе 3000-3100 см. Полученная зависимость средней добротности 6 от площади диффузнойонполосыЪ имеет в отличие отнаС 1 рдругих методов значительно больший коэффициент корреляции и поэтому может использоваться для количес 1 венной оценки величины добротностиОй -г кварца в диапазоне ке,р) 20 см Дпя кристаллов со значением 1" й 20 см (6 ы ) 510-) погрешиесоность определения добротности данным способом сильно возрастает. Таким образом, по сравнению с известным способом определения добротности кристаллов искусственного кварца предлагаемый способ позволяет повысить точность определения в интервале 5О Х 3 у 2 1 О
СмотретьЗаявка
3590354, 03.05.1983
ВСЕСОЮЗНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ СИНТЕЗА МИНЕРАЛЬНОГО СЫРЬЯ
СЕМЕНОВ КОНСТАНТИН ПАВЛОВИЧ, ФОТЧЕНКОВ АНАТОЛИЙ АНДРЕЕВИЧ, ДУБОВСКИЙ АЛЕКСАНДР БОРИСОВИЧ, ШАПОШНИКОВ АНАТОЛИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, РОМАНОВ ЛЕВ НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 21/00
Метки: добротности, искусственного, кварца, кристаллов
Опубликовано: 23.05.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1157412-sposob-opredeleniya-dobrotnosti-kristallov-iskusstvennogo-kvarca.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения добротности кристаллов искусственного кварца</a>
Предыдущий патент: Способ измерения влажности волокнистых материалов и устройство для его осуществления
Следующий патент: Устройство для регистрации фотоиндуцированного послесвечения
Случайный патент: Интегрирующий преобразователь тока в код