Печь для выращивания кристаллов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
)4 В 01 д 200 ОПИСАНИЕ ИЗОБАТЕ Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ ЕНИЯ ин,о8)НИЯ КРИСв котором нагревате 3 Р ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(54)(57) ПЕЧЬ ДЛЯ ВЫРАЩИВАТАЛЛОВ, содержащая корпуспомещены боковой и донный ли,о т л и ч а ю щ а я с я тем,что, с целью повышения интенсивности работы печи:и повышения качестваполучаемого в печи продукта, донныйнагреватель выполнен в форме подвижной металлической пластины, на которой помещены керамическая плитка снагревательной спиралью, футеровка12 Редактор О, Юрков емчик опович рект ех Заказ 4146/ ВНИИПИ п 11303Тираж 527 Государственног лам изобретений осква, Ж, Ра писн Пкомитета СССРоткрытийская наб., д. 5 Производственно-полиграфическое предприятие,г,ужгор роектна27378Изобретение относится к областихимического машиностроения, в част"ности к печам для выращивания монокристалловИзвестная печь для выращиваниякристаллов содержит корпус, в котором помещены боковой и донный нагреватели. Недостатком известной печиявляется относительно небольшаяинтенсивность ее работы и невысокое 1 Окачество получаемого продукта,Цель изобретения заключается втом, чтобы повысить интенсивностьработы печи и повысить качество полу.чаемого продукта. Для этого донный 15нагреватель выполнен в форме подвижной металлической пластины, на,которой помещены керамическая плитка с нагревательной спиралью, футеровка и клеммная коробка. 20На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 " донныйнагреватель.Шахтная электрическая печь состоит из корпуса 1, бокового нагрева- . 25теля 2, донного нагревателя 3, смонтированного на металлической пластине 4, легко вводимой в печь черезокно 5 в нижней части корпуса печи,регулирующих термопар бокового 6 и ЗОдонного 7 нагревателей, обеспечивающих надежное в заданных пределахрегулирование и стабилизацию темпе.Я 1 2ратуры в рабочем объеме печи, теплоизоляции 8, верхней крышки 9 с отверстиями для наблюдения за процессом роста и цельной крышки 10 для печи отжига.Донный нагреватель выполнен в виде отдельного узла, представляющего собой металлическую пластину 4, на которой смонтированы керамическая плитка 11 с нагревательной спиралью 12, футеровка 13 и к,еммная коробка 14. На донном нагревателе имеется прорезь для подвода термопары 15.При выходе из строя донного нагревателя временно на боковом нагревателе повышают напряжение электропитания так, чтобы скомпенсировать теплопотери, подключают запасной (аналогичный) донный нагреватель и через окно в нижней части кордуса печи производят. в течение 3-5 мин замену донных нагревателей. При этом запасной донный нагреватель вводят до упора в печь и закрепляют винтами к корпусу печи,После замены донного нагревателя вновь устанавливают на нагревательных спиралях необходимое напряжение, восстанавливают тепловой режим печи и продолжают технологический процесс выращивания монокристалла или отжига кристаллов.
СмотретьЗаявка
1120838, 19.12.1966
ГУЛЯЕВ Ф. Е, ЗАМЯТИН Ю. В, ЗАХАРИН Я. А, КРАВЧЕНКО В. С
МПК / Метки
МПК: B01J 2/00
Метки: выращивания, кристаллов, печь
Опубликовано: 30.07.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-273781-pech-dlya-vyrashhivaniya-kristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Печь для выращивания кристаллов</a>
Предыдущий патент: Самофазирующаяся антенная решетка
Следующий патент: Трикапролактамомедь (п) сульфат дигидрат, обладающий фунгицидной активностью
Случайный патент: Павильон а. с. манылова для содержания пчел в послекочевой период