Способ обнаружения дефектов в доменосодержащих эпитаксиальных пленках

СОЮЗ СО 8 ЕТСКИХ СО.ИАЛИСТИЧЕСК 1474 2 51)4 С 1 БРЕТСТВУ ИЯВИДЕТ К АВТОРСКО Р 15рственный унив ЕНКАХ57) Изоб агнитной ыть испо ся к област тение отн икро элек т ики и мо домено онт аль ных изготовл устройст ся повыш ба обнар чает воз т вклюся к областиники, может щей плен неразрушающег щих эпитаксиых пленок призапоминающих совершенствов ения по авт. с оменосоде импульсн а участок оздейству нео ещения, конапример,ка длитель м см ным по ыть со дным маг а торое може пропускани ностью 3-5 м импульсов мкс через и им диаметро итуда этого очна для по а туш ло порядка миллиполя должна, с внутренн метра, Ампбыть достанич ивания ния явля ности из ия,дефек стн пного перем вствител обнаруже шениеспособ в,ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГННТ СССР ПИСАНИЕ(71) Донецкий госит ет(54) СПОСОДОМЕНОСОДЕ Ковалев и И, В, Никонец27,66(088.8)ское свидетельство СССРкл, С 11 С 11/4, 1986Б ОБНАРУЖЕНИЯ ДЕФЕКТОВ ВРЖАШИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЪХ ПЛ льзовано для неразрушающегосодержащих эпитаксиррит-гранатовых пленок при нии доменных запоминающ Целью изобретения явл ние чувствительности сп жения дефектов. Способ ействие на эпитаксиальнИзобретение относимагнитной микроэлектрбыть использовано дляконтроля доменосодержальных феррит - гранатоизготовлении доменныхустройств и являетсянием основного изобреУ 1322373,Целью изобрете пленку импульсным неоднородным магнитным полем смещения, кратковременно перемагничивающим доменосодержащую пленку до насыщения, Противоположно вертикальной составляющей импульсного поля подают однородное постоянное поле смещения, Дефект пленки обнаруживают по наличию изолированного кольцевого домена на фоне однородно намагниченной области. Дополнительное повышение чувствительностидостигается при использовании регулируемого по величинемагнитного поля в плоскости пленки. Наличие однородного постоянного и регулируемогопланарноГо полей повышает чувствительность способа обнаружения дефектов за счет облегчения зародышеобразования в размагничивающейся послеокончания воздействия импульсногополя доменосодержащей пленке. Способобладает хорошей визуализацией дефектов. 1 з.п, ф-лы. Предлараемый способ обнаруженияектов заключается в следующем. асти пленки внутри ка144737 Сос тав итель Г, Ан ике евРедактор Л, Гратилло Техред Л. Сердюкова Корректор Л, Пилипенко Заказ 1901/51,Тираж 558 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 эоизводственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,11 тушки. Об этом можно судить по появлению в пленке системы радиально сходящихся к центру катушки полосовыкдоменов (при отсутствии других полейсмещения). Доменную структуру можнонаблюдать в поляризационный микроскоп, освещая пленку поляризованнымсветом. При подаче на эпитаксиальнуюпленку однородного постоянного полясмещения, направленного встречно вертикальной составляющей импульсного,неоднородного магнитного поля, вокруг дефекта образуется изолированный кольцевой домен, появляющийся вместе раздела двух систем доменов(радиально сходящейся полосовой ирадиально расходящейся из дефекта в.пленке гребешковой) в результате коллапса обеих доменных структур. Величина напряженности магнитного однородного постоянного поля смещения,при которой возникают также кольцевыедомены, является характеристикойпленки и не меняется от дефекта кдефекту, Эта величина определяетсяэкспериментально,Перемещая пленку относительно катушки, можно обнаружить все дефектыпо появлению кольцевых доменов. Экспериментально установлено, что подача однородного поля смещения повышает чувствительность способа за счетоблегчения условий зарождения новыхдоменов на дефектах в пленке,Дополнительное повьппение чувствительности способа достигается прииспользовании также регулируемого повеличине напряженности магнитного поля в плоскости пленки.Наличие этого поля способствуетпроявлению новых центров зародьппеобразования в размагничивающейся после кратковременного воздействияжпульсным магнитным полем плен.Лке, намагничивающим ее до насыщения.В комбинации с однородным постоянным полем смещения регулируемое планарное поле, монотонно изменяющее своюнапряженно сть от нуля, поз ноля ет по 5очереди выявить практически все дефекты пленки, вплоть до самых слабых,Благодаря хорошей визуализации дефектов при таком способе возможна точнаяфиксация значений напряженности пла О нарного поля, т,е. возможна калибровка дефектов по степени их активности,Таким образом, предлагаемый способ обладает хорошей визуализациейдефектов доменосодержащих пленок, 15 позволяет повысить чувствительностьобнаружения дефектов с малой коэрцитивной силой и размерами, дает возможность калибровать дефекты по ихактивности.20Фо рмула изо б ре те нйя Способ обнаружения дефектов вдоме носодержащих эпитаксиальных плен ках по авт. св. 9 1322373, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью по вьпп ения чув ств ительно сти спо соб а, на эпитаксиальную пленку подают однородное постоянное поле смещения, на правленное про тив опо ложно в ертикальной составляющей импульсного неоднородного магнитного поля смещения, и по наличию изолированного кольцевого домена на фоне однородно намагниченной области обнаруживают дефект, расположенный в области пленки внутри кольцевого домена.2, Способ по п. 1, о т л и ч а -ю щ и. й с я тем, что в плоскости 40 пленки подают монотонно изменяющеесяпо величине напряженности магнитное поле и фиксируют проявление областей перемагничивания в пленке в виде новых кольцевых доменов, по моменту 45 появленияи положению которых судятсоответственно об активности и местоположении дефектов пленки.