B01J 17/32 — B01J 17/32
Способ приготовления газовой смеси для получения диэлектрических слоев
Номер патента: 443679
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Зорин, Крузе, Павлов, Туловчиков, Шитова
МПК: B01J 17/32
Метки: газовой, диэлектрических, приготовления, слоев, смеси
...ПРЦГОТОВЛСППЮ ЦСООХОДП- мой смссп От Оыта 1; Опьту ц поддср 11;аня НУГКНЫХ Р 2 СХОДОБ ЕОМПОНСНТОВ Б КОДР ОДНОГО Опыт 2. В 2 риант, еОГд 2 смссь 011 эсделснногоусосгаз 2 Готов 5 т .Рц 32 П 1 аз,с Оалл 012, цмсст Весьма Огр 211 чсхнос пр.нспспцс, тае 121 с позволяет зсстп сц 1 РЗ лишь прц да;шом соотношении смеси. (роме ТОГО, БВ:ду разно 1 летучести ео.,:1 юпспты газозо 1 с 1 сс 1 Вь 1 тск 210 т цз ба;лое 2 с разлц" Н 01 сеоостью, 1 то у.ее через несколько часов паслс сго 32 разец прц- ВОДИТ Е ЗСР УСЛ:БаОП С 51 ЦЗ РСН:51:. П,СПСТВТКО У 1232 ННОГО С 110 С 002 ПРИГО ГОВЛРНЦЯ и подачи рабочей сз;ссц, В силу отмеченных не443679 Составитель В. Пополитов Редактор Т. Шагова Техред О. Гуменюк Корректор Л. Котова Заказ 7947 Изд. ЪЪ 414 Тираж...
Способ получения слоев окиси железа
Номер патента: 466045
Опубликовано: 05.04.1975
Авторы: Грибов, Кольцов, Кощиенко, Румянцева
МПК: B01J 17/32
...высокое качество фотолитографической обработки таких слоев.Полученные предлагаемым способом на оптическом стекле слои пригодны для изготовления фотошаблонов, прозрачных для видимого и непрозрачных для ультрафиолетового света, используемого для засветки фоторезиста. Такие фотошаблоны удобны в работе, значительно облегчают операции совмещения, а по прочности превышают хромовые фото- шаблоны.Измерения электрических характеристик слоев показывают, что пленки окиси железа получение более р лоев при темпер С. Это достигается да добавляют пар внотуре 2 тем, пекиси водорода фирует процесс еак- елинию.Цель изобретения -мерных по толщине сподложки ниже 120что к потоку кислорорекиси водорода.Введение паров перционную зону интенси466045 Предмет...
Подложкодержатель для газовой эпитаксии
Номер патента: 476022
Опубликовано: 05.07.1975
Авторы: Басовский, Богородский, Дерман
МПК: B01J 17/32
Метки: газовой, подложкодержатель, эпитаксии
...герметичной камеры 1, установленной на поддоне 2. Подложкодержатель изготовлен из стойкого к газовой среде материала, например графита, покрытого слоем поликристаллического кремния. В боковой поверхности подложкодержателя выполнены окна 3, в которые вставлены диски 4, На дисках размещены подложки 5. Для их установки в нижней части дисков имеется уступ 6. Подложки могут быть также установлены на штырьках 7, вставленных в диски. Поверхность дисков, обращенная к подложкам, - плоская, а внутреццяя поверхность слегка выпуклая. Внутри подложкодержателя установлен цагреватель сопротивления из графита.Подлоккодержатель работает следующим образом.Устававливают подложки 5, камеру 1 опускают ца поддон 2 ц цз нее продувкой инертцым газом...
Устройство для газовой эпитаксии
Номер патента: 491405
Опубликовано: 15.11.1975
Авторы: Басовский, Богородский
МПК: B01J 17/32
...в бокоповерхности камеры выполнена канавка, в которой размещено кольцо б с приводными роликами.На фиг. 2 изображен нагреватель, состоя. щий из отдельных секций 11, 12, 13 и помещенный в подложкодержатель, Питание секций осуществляется через токоподводы 5.Устройство работает следующим образом.На подложкодержатель 2, установленный на промежуточном кольце 9, в котором находится нагреватель 4, загружают подложки 3, после чего устанавливают и герметпзируют колпак на опорной плите 10. Внутренний объем камеры 1 продувают инертным газом и затем водородом. В токе водорода подложкодержатель нагревают до 1100 - 1300 С и в водород вводят тетрахлорпд кремния, При этом на подложках 3 происходит осаждепие эпитаксиального слоя кремния. Во Время...
Способ получения химических элементов высокой чистоты
Номер патента: 492300
Опубликовано: 25.11.1975
Авторы: Девятых, Моисеев, Пахомов, Юшин
МПК: B01J 17/32
Метки: высокой, химических, чистоты, элементов
...давление 50 атм гелием высоной чистоты. Гидрид размораживают ион постепенно приобретает температуруокружающей среды, после чего начинаютзоего разложение в жидкой фазе, Испаряющийся гидрид нонденсируют н холодильП р и м е р 2. Получение сурьмы высокой чистоты,Процесс разложения неочищенного гидрида сурьмы проводят тан же, кан и в примере 1.Температура в реакционной зоне " 50 С(для увеличения скорости разложения).Сурьму ныделяют в виде крупных хорошо сформированных кристаллов иа стенках реактора. Спланление кристаллов сурьмы проводят н атмосфере гелия нине и возвращают в зону разложения, Давление в реакционном сосуде поддерживают на заданном уровне с помощью стравливающего клапана. Образующийся в результате распада гидрида...
Устройство для получения кристаллического полупроводникового материала
Номер патента: 493954
Опубликовано: 30.11.1975
Автор: Конрад
МПК: B01J 17/32
Метки: кристаллического, полупроводникового
...из кремния, нагревают до температуры от 1050 до 1250 С. Трубка нагревается индуктивно за счет высокочастотного электрического поля. С этой целью спираль 7 питается от источника высокочастотного переменного тока, В связи с тем, что полупроводниковый материал особенно высокой степени чистоты в холодном состоянии является плохим проводником, сначала разогревается графитовое кольцо 9, которое, со своей стороны, обогревает полупроводниковую трубку 1 за счет теплопроводности на всем участке прилегания кольца по окружности трубки, Начиная от этого участка температура полупроводниковой трубки 1 повышается, что приводит к уменьшению сопротивления на данном участке. После этого начинается непосредственный обогрев полупроводниковой трубки 1 уже...
Устройство для осаждения слоев из газовой фазы
Номер патента: 567491
Опубликовано: 05.08.1977
Автор: Иванов
МПК: B01J 17/32
Метки: газовой, осаждения, слоев, фазы
...В результате и вертикальном .реакторе тепловые потери удается сократить примерно на 25%. Одновременно вырввнивается температурное поле на поверхности,подложкодержателя и повышаетсяКПц исходных реагентов парогазовой смеси,. Кроме того, введение в реактор полыхтеплоизолирующих тел позволяет сократитьв нем свободные объемы, уменьшить темсамым мвссоперенос путем вынужденнойконвекции и обеспечить выбором их формынаиболее рациональное движение газовыхпотоков вдоль поверхности подложходержателя беэ нарушения полупроводниковой чиототы процесса,Нв чертеже приведено устройство вредложенного реактора, поперечный разрез,Реактор представляет герметичный объем,ограниченный кварцевым колпаком 1 и неподвижным металлическими фланцем 2 Связь...
Устройство для осаждения слоев из газовой фазы
Номер патента: 572288
Опубликовано: 15.09.1977
МПК: B01J 17/32
Метки: газовой, осаждения, слоев, фазы
...разрез устройства.Устройство включает корпус 1, выполненный в виде усеченного конуса с сужением кверху, и установленный на усеченном конусе, 2 с сужением, книзу. Оба конуса 1 и 2 снабжены рубашкой охлаждения 3, через которую пропускают воду. В верхней части корпуса 1 размещен завихритель газа 4, выполненный в виде концентрически расположенных цилиндров 5 и 6, между которыми установлены элементы, образующие каналы 7 под углом к оси корпуса. Завихритель соединен с патрубком 8 подачи газа, а для вывода газа служит патрубок 9.Внутри корпуса 1 на штоке 10 устан подложкодержатель 11, выполненный в конусообразной спирали, на которой уст,9 ливают подложки 12. Устройство обогревается индукционным нагревателем 13.Устройство для осаждения...
Устройство для получения слоев
Номер патента: 575126
Опубликовано: 05.10.1977
МПК: B01J 17/32
Метки: слоев
...что реакционная ка,мера выполнена кольцевой, а средства дпя 5ввода и вывода газовой смеси - в виде,радиально установпенных патрубков со шепямина концах, распопоженными непосредственнонад подножками.20На фиг. 1; изображено предпагаемое устройство, обший вид; на фиг. 2 - разрез А-Афиг. 1.Устройство содержит подпожкодержатепь1 с расположенными йа нем подложками 2,смонтированный на вапу 3 и помещенный вкопьцевом канале 4 охпаждаемого корпусакамеры 5, Подпожкодержатель 1 нагреваетсиот нагреватепя 6. Для ввода газовой смесив камере вмонтированы патрубки 7 со шелями 8, а дпя отвода - патрубки 9 со щелями 10. Для герметичности рабочей полости камера снабжена охпаждаемыми уппотнениями 1 1 и 12,Устройство работает следующим...
Устройство ввода многокомпонентной газовой смеси в реактор для осаждения слоев
Номер патента: 587987
Опубликовано: 15.01.1978
Авторы: Веремейчук, Горлов, Кириллов
МПК: B01J 17/32
Метки: ввода, газовой, многокомпонентной, осаждения, реактор, слоев, смеси
...регулировочным винтом 7, установленным с помощью сильфонов 8, герметично введенных вовпускные камеры 1,3Смесительная камера 2 имеет сборочные стенки 9, выполненные в виде отдельных пластин, установленных с зазором 10 под углом 110 - 120 по отношению друг к другу,Устройство работает следующим образом.Предварительно перед включением реактора для осаждения слоев устанавливают необходимую ширину зазоров устройства ввода. При этом регулирование ширины зазоров осуществляют поступательным перемещением стенки 5 и винтом 7, Особенность регулирования параметров зазоров состоит в том, что благодаря герметичному, вводу винта 7 в полость впускной камеры оно возмоино и в ходе процесса.После установки ширины зазоров включают реактор.Потоки тазовых...
Устройство ввода газа в реактор вертикального типа для осаждения слоев
Номер патента: 592438
Опубликовано: 15.02.1978
Автор: Сигалов
МПК: B01J 17/32
Метки: ввода, вертикального, газа, осаждения, реактор, слоев, типа
...направленными вверх, установленный на нижнем фланце реактора с возможностью вращения, Устройство содержит трубчатый вал, который введен через нижний фланец и уплотнен в нем, например, резиновыми манжетами. Газ вводят в реактор по вращаемому трубчатому валу. Известное устройство не обеспечивает герметичности ввода таза в реактор из-за истирания резиновых манжет во время вращения вала (использовать смазку нельзя по условиям протекающего в реакторе процесса).Целью изобретения является обеспечение большей герметичности ввода газа в реактор.Согласно изобретению в известном устройстве ввода газа, содержащем коллектор с соплами, направленными вверх, установленный на нижнем фланце реактора с возможностью вращения, коллектор выполнен в виде...
Способ изготовления труб из кремния или карбида кремния и устройство для его осуществления
Номер патента: 593646
Опубликовано: 15.02.1978
МПК: B01J 17/32
...ета Совета Мииистровй и открьггидушскаи иаб., д, 4/5 го комит изобретеи ЖЗЬ, Р Государствеипо делам 35, Москва ППППа тъ,г.У род, уя. или ет токовые контакты, снабженные патрубками для ввода и вывода газов, содержащих кремний или карбид кремния. Кожух может быть снабжен средствами ввода и вывода инертного газа, чтобы защитить графитовый носитель от обжига во время нагревания.На чертеже изображено предлагаемое устройство. Оно содержит трубчатое полое тело из графита 1 с токовыми контактами по бокам 2 и 3, которое используется в качестве .носителя для внутреннего осаждения полупроводникового материала, Для этой цели графитовая трубка 1 снабжена затворами для впуска 4 и выпуска 5 газа для реакции. Для защиты тлеющего графитового тела 1 во...
Устройство ввода газов в реакционную камеру
Номер патента: 598630
Опубликовано: 25.03.1978
Авторы: Веремейчук, Иванова
МПК: B01J 17/32
Метки: ввода, газов, камеру, реакционную
...распределителей ус-тановлены концентрично с возможностьйперемещения одного относительно другого и имеют прямоугольное сечение сОскосом 7 внутреннего угла внешнегокольца, отверстия которого выполненына скосе. Скос расположен код углом40-45 к общей оси колец (фиг.3)Один из газовых компонентов подают через распределитель 4, а другой через распределитель 3. Получаемый газовый поток, образуют два противолежащих телесных угла (см.фиг.2), что обеспечивает интенсивное и равномер" ное смешивание газовых компонентов. Перемещением распределителя 4 вдоль .оси относительно распределителя 3 обеспечивается смешивание газовых компонентов непосредственно в зоне осаж" дения и регулировка расстояния точки смешивания от обрабатываемой...
Способ получения эпитаксиальных слоев кремния
Номер патента: 612610
Опубликовано: 25.06.1978
МПК: B01J 17/32
Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных
...на полом основанииб, внутрь которого при помощи впускного 7и выпускного 8 каналов может подаваться вола.Внутри камеры 1 установлена подставка 9,вращающаяся на вертикальной оси 10 и изготовляемая, например, из углерода. Подставка имеет форму шестигранной усеченной призмы, у которой каждая из шести наклонныхповерхностей 11 снабжена буртом 12 для установки на нем обрабатываемой полупроволниковой подложки 13.Ось 10 установлена на вертикальном валу 14, помещенном внутри муфты 15 и снабженном подшипником 16. Нижний конец вала 14 снабжен шкивом 7, который приводится в движение через ременную передачу 1825 от двигателя 19 с регулируемой скоростью.При работе реактора подставка 9 медленновращается в циркулирующих через камеру 1газа х.Смесь...
Устройство для газовой эпитаксии
Номер патента: 621368
Опубликовано: 30.08.1978
Авторы: Басовский, Дерман, Старшинов, Хазанов
МПК: B01J 17/32
...представлено описываемое устройство, поперечный разрез.Устройство включает вертикальную реакционную камеру, внутри которой установлен полый графитовый подложкодержатель 1. На боковых сторонах подложкодержателя 1 размещены подложки 2. Внутри полого подложкодержателя 1 установлен с зазором графитовый нагреватель 3 сопротивления, закрепленный на водоохлаждаемых токоподводах 4.Вверху и внизу нагревателя выполнено по одной кольцевой проточке 5.Для увеличения электрического сопротивления нагреватель изготовлен разрезным, причем на конце резов 6 выполнены отверстия 7, обеспечивающие уменьшение плотности тока и соответственно перегрев на конце резов.Устройство работает следующим образом,1-1 а время загрузки реакционную камеру поднимают и на...
“способ получения кристаллических соединений а1у ву14
Номер патента: 570239
Опубликовано: 05.02.1979
Авторы: Бочкарев, Домрачев, Жук, Каверин, Кириллов, Нестеров, Хамылов
МПК: B01J 17/32
Метки: а1у, ву14, кристаллических, соединений
...ФормулуЙ А ВщЧ, гдеЦи 3 - водород или алкилы.С целью получения кристаллическим,эпитаксиальных слоев термическое разложение ведут при осаждении продуктовна кристаллическую нагретую подложку.С целью получения слоев теллуридаалова -Блие в качестве элементоорганического соединения используют соединение общей Формулы ЙЬп"еЙз илиЧ ВпРебп Й- гдето иц - алкилы, 10выбранные из ряда кетил, этил,пропил,бутил, и осаждение ведут на подлокку, нагретую до 250-375 фС,С целью получения нитевидных кристаллов подложку нагревают изотропным 15ИК-светом или направленным излучением со скользящим углом падения наподложку.П р и м е р 1. Для получениякристаллических слоеввпТе берут в качестве исходного соединения бис-триэтилстанилтеллур. Подложкой...
Устройство для непрерывного осаждения слоев из газовой фазы
Номер патента: 720996
Опубликовано: 05.03.1980
Автор: Роджер
МПК: B01J 17/32
Метки: газовой, непрерывного, осаждения, слоев, фазы
...что каждый имеет един"ственный вход сверху. 1:ижняя частькаждого этого стыка позволяет осуществлять независимый выбор между двумясоседними камерами осаждения, Стык12 обеспечивает раздел входов в ка- Зомерах 3 и 4, а стык 14 - раздел входов в камеры 5 и б,Стык 13 (фиг.5) имеет особую кон"струкцию, Его назначением являетсяизоляция выпускаемых газов во второйкамере 4 осаждения от выпускаемыхгазов в третьей камере 5 осаждения,Это позволяет проводить процессыосаждения в смежных камерах, когдагазы несовместимы. Центральный входпредназначен для газа, который является совместимым в обоих процессахосаждения. Левый выход стыка 13 направлен в коллектор, который является общим для всех выходов с левойстороны реактора, Этот выход направлен в...
Устройство для осождения слоев из газовой фазы
Номер патента: 769834
Опубликовано: 07.09.1981
МПК: B01J 17/32
Метки: газовой, осождения, слоев, фазы
...На уровне середины .траектории подвижных трубок расположена неподвижная трубка б, на которую опускается подложка, когдаподвижные трубки 5 находятся нижесреднего уровня. Время прохожденияподвижных трубок ниже неподвижнойопоры " это время холостого хода,когда подложка находится в покое, акрайние трубки возвращаются в исходное положение.Кйждая точка плеч преобразователясовершает движение по траекториив Форме эллипса или окружности (взависимости от расстояния до оси преобразователя). Горизонтальные составляющие траектории (вдоль оси реактора) для точек, расположенных с разныхсторон от. оси, имеют противоположные направления. Соответственно подвижные трубки в направлении оси реактора движутся в противоФазе, чтоприводит к повороту подложки на...